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Buen precio 2/4/6/8 pulgadas Sic Substrato de semillas de cristal de carburo de silicio 4H-N Tipo Alta dureza P grado R grado D grado en línea
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2 pulgadas de Sic Substrato 6H-N Tipo de espesor 350um 650um Wafer Sic

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330um del grueso 4 de H-N Type grado Dia50.8mm 2inch de la producción del substrato sic

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2inch cristal del grado de la investigación del substrato 4H-Semi del diámetro 50.8m m sic solo

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4 de H-N Type Semi-Insulating obleas del carburo de silicio de los substratos 2inch 3inch 4inch sic

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12 pulgadas de diámetro 300 mm SIC Substrato epitaxial Wafer pulido de carburo de silicio Ingot Prime Grade 4H-N Tipo conductor solar fotovoltaico

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6inch tipo sic substrato del grueso 350um 4H del diámetro 150m m N para SBD MOS Application

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Sic substrato CON 9,7 conductividad termal dieléctrica de la constante 4,9 W/mK

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resistencia 0.015-0.028ohm del substrato de 10x10m m 5x5m m sic. El cm o >1E7ohm.Cm sic salta

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grado de la producción de la oblea de 8inch 6inch 4 H-N Type Sic Substrate para los dispositivos de la radiofrecuencia

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comprar 10 milímetros X 10 milímetros de tipo semiaislante sic grado sic Crystal Substrate de 6H de la investigación del substrato Fabricación en línea Vídeo

10 milímetros X 10 milímetros de tipo semiaislante sic grado sic Crystal Substrate de 6H de la investigación del substrato

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Oblea del carburo de silicio de 3 pulgadas, sic características transitorias excelentes del substrato

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