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Buen precio Máquina de unión semiautomática a temperatura ambiente 2/4/6/8/12 pulgadas Material compatible Zafiro Si SiC InP GaAs GaN LT/LN Cristal de diamante en línea
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modificado para requisitos particulares 4 obleas del carburo de silicio de los substratos 4inch 6inch de H-N Type Semi-Insulating sic

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Placa portadora recubierta de SiC de alta pureza para el manejo y transferencia de obleas

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alta lente sic óptica termal del bloque de la resistencia de la conductividad para la óptica del quántum

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Lente modificada para requisitos particulares descolorida transparente de HPSI 4H-SEMI SIC

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Obleas de 4 pulgadas, 6 pulgadas, 8 pulgadas, 4H-SiCOI, sustratos compuestos de SiC sobre aislante

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330um del grueso 4 de H-N Type grado Dia50.8mm 2inch de la producción del substrato sic

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2 pulgadas 4 pulgadas 6 pulgadas 8 pulgadas 12 pulgadas Wafer de carburo de silicio SiC 4H-N Grado Dummy Rrime Grado Materiales semiconductores de alta dureza

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2 pulgadas / 4 pulgadas / 6 pulgadas / 5,0 * 5,0 mm / 10,0 * 10,0 mm Sic Substrato de carburo de silicio Tipo 3C-N En el eje: < 111 > ± 0,5 ° Grado de producción Grado de simulacro

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5x40m m modificados para requisitos particulares forman las obleas sic cristalinas 4 microprocesadores de H-N Sic Substrates

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El carburo de silicio transparente descolorido sic pulió la lente de la oblea

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