Detalles del producto
Lugar de origen: China
Nombre de la marca: zmkj
Certificación: ROHS
Número de modelo: pureza elevada 4h-semi sin impurificar
Condiciones de pago y envío
Cantidad de orden mínima: 3pcs
Precio: 400USD/pcs
Detalles de empaquetado: Empaquetado en un ambiente del sitio limpio de la clase 100, en los casetes de solos envases de la o
Tiempo de entrega: 10-20Days
Condiciones de pago: Western Union, T/T
Capacidad de la fuente: 5000pcs/Months
Material: |
cristal del carburo de silicio |
TAMAÑO: |
40X5X2m m |
Uso: |
Óptico |
Resistencia: |
>1E7 o los 0.015~0.28Ω.cm |
Tipo: |
4H-SEMI |
Grueso: |
2m m |
Superficie: |
DSP |
Orientación: |
0° de c-AXIS |
dureza del MOS: |
9,2 |
Temperatura del uso: |
《2000° |
Material: |
cristal del carburo de silicio |
TAMAÑO: |
40X5X2m m |
Uso: |
Óptico |
Resistencia: |
>1E7 o los 0.015~0.28Ω.cm |
Tipo: |
4H-SEMI |
Grueso: |
2m m |
Superficie: |
DSP |
Orientación: |
0° de c-AXIS |
dureza del MOS: |
9,2 |
Temperatura del uso: |
《2000° |
Lente óptica sic cristalina transparente elevada 4H-SEMI de las obleas DSP de la pureza HPSI 4H-SEMI 4H-N 10X10m m 5x5m m sic por tamaño customzied
ZMSH ofrece sic la oblea y la epitaxia: Sic la oblea es el material ancho del semiconductor del bandgap de la tercera generación con excelente rendimiento. Tiene las ventajas del bandgap ancho, de la alta conductividad termal, del campo eléctrico de la alta avería, de la alta temperatura intrínseca, de la resistencia de radiación, de la buena estabilidad química y de la alta tarifa de la deriva de la saturación del electrón. Sic la oblea tiene también grandes perspectivas del uso en espacio aéreo, tránsito del carril, la producción de energía fotovoltaica, la transmisión de poder, nuevos vehículos de la energía y otros campos, y traerá cambios revolucionarios a la tecnología de la electrónica de poder. La cara del Si o la cara de C es CMP como grado epi-listo, lleno por el gas del nitrógeno, cada oblea está en un envase de la oblea, debajo sitio de clase limpio 100.
sic las obleas Epi-listas tienen tipo de N o semiaislante, su polytype es 4H o 6H en diversos grados de calidad, densidad de Micropipe (MPD): Libre, <5>
2. los substratos clasifican de nuestro tamaño estándar
|
especificación del substrato del carburo de silicio de 4 pulgadas de diámetro (sic) |
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| Grado | Grado cero de MPD | Grado de la producción | Grado de la investigación | Grado simulado | |||||
| Diámetro | 76,2 mm±0.3 milímetro o 100±0.5m m; | ||||||||
| Grueso | 500±25um | ||||||||
| Orientación de la oblea | 0° (0001) del eje | ||||||||
| Densidad de Micropipe | cm2s ≤1 | cm2s ≤5 | cm2s ≤15 | cm2s ≤50 | |||||
| Resistencia | 4H-N | 0.015~0.028 Ω•cm | |||||||
| 6H-N | 0.02~0.1 Ω•cm | ||||||||
| 4/6H-SI | ≥1E7 Ω·cm | ||||||||
| Plano primario y longitud | {10-10} ±5.0°, 32,5 mm±2.0 milímetro | ||||||||
| Longitud plana secundaria | 18.0mm±2.0 milímetro | ||||||||
| Orientación plana secundaria | Silicio cara arriba: El 90° CW. de ±5.0° plano primero | ||||||||
| Exclusión del borde | 3 milímetros | ||||||||
| TTV/Bow /Warp | ≤15μm/≤25μm/≤40μm | ||||||||
| Aspereza | Ra≤1 polaco nanómetro, CMP Ra≤0.5 nanómetro | ||||||||
| Grietas por la luz de intensidad alta | Ninguno | 1 permitida, ≤2 milímetro | ≤ acumulativo 10m m, solo length≤2mm de la longitud | ||||||
| Placas del hex. por la luz de intensidad alta | Área acumulativa el ≤1% | Área acumulativa el ≤1% | Área acumulativa el ≤3% | ||||||
| Áreas de Polytype por la luz de intensidad alta | Ninguno | Área acumulativa el ≤2% | Área acumulativa el ≤5% | ||||||
Sic la oblea y los lingotes 2-6inch y el otro tamaño modificado para requisitos particulares también puede ser proporcionado.
exhibición del detalle 3.Products
Entrega y paquete
