Obleas de 4 pulgadas, 6 pulgadas, 8 pulgadas, 4H-SiCOI, sustratos compuestos de SiC sobre aislante

4 pulgadas 6 pulgadas 8 pulgadas 4 H-SiCOI obleas SiC compuesto en sustratos aislantes

Las obleas SICOI (Carburo de silicio en aislante) representan una tecnología de sustrato compuesto avanzada fabricada a través de procesos de Smart Cut TM o Bonding & Thinning. ZMSH supply 4-6 inch 4H-SICOI wafers by integrating high-quality SiC thin films with insulating layers (SiO₂/AlN) on silicon or SiC substrates via hydrophilic bonding or plasma-activated bonding techniques. Proceso Smart CutTM: utiliza el implante de iones de hidrógeno, la unión a baja temperatura y la exfoliación de precisión para lograr capas de SiC ultrafinas (50nm-20μm) con uniformidad de espesor de ±20nm,ideal para alta frecuencia, dispositivos de baja pérdida. Proceso de molienda + CMP: adecuado para requisitos de película más gruesa (200 nm a espesores personalizados) con uniformidad ± 100 nm, ofreciendo eficiencia de costos para aplicaciones de electrónica de potencia. Las ZMSH proporcionan películas de SiC conductoras o semi-aislantes personalizables,con opciones para la optimización del recocido por implantación iónica o el adelgazamiento o pulido directo para satisfacer diversos requisitos de rendimiento y costo.

Características clave deOferta de SiCOI

Las aplicaciones principales deOferta de SiCOI

1. Energía electrónica

Inversores EV: Los MOSFET SiC en sustratos SICOI funcionan a 1200V con pérdidas de conmutación 30% más bajas, compatibles con sistemas de carga rápida de 800V.

Motor industrial: las obleas SICOI con capas aislantes de AlN mejoran la disipación de calor en un 50%, apoyando el embalaje de módulos > 10kW.

2. Comunicaciones RF y 5G

Amplificadores de potencia de onda de mm: los HEMT GaN en SICOI semi-aislantes alcanzan una salida de 8W/mm a 28GHz con una eficiencia > 65%.

Antennas de matriz en fase: baja pérdida dieléctrica (tanδ <0,001) minimiza la atenuación de la señal para las comunicaciones por satélite.

3Computación cuántica y sensores

Spin Qubit Carriers: las películas de SiC ultrafinas (<100nm) proporcionan entornos de bajo ruido, extendiendo los tiempos de coherencia más allá de 1 ms.

Sensores MEMS de alta velocidad: funcionamiento estable a 300 °C para el monitoreo de motores aeroespaciales.

4Electrónica de consumo

IC de carga rápida: Los dispositivos GaN basados en SICOI permiten cargar > 200W con una huella 40% menor.

1P: ¿Qué es una oblea SICOI?
R: La oblea SICOI (Carburo de Silicio en aislante) es un sustrato compuesto avanzado que integra una película monocristalina 4H-SiC con una capa aislante de SiO2 sobre una base de silicio/zafiro.que permiten dispositivos de alta potencia y RF con un rendimiento térmico/eléctrico superior.

2P: ¿Cómo se compara SICOI con SOI?
R: SICOI ofrece una conductividad térmica 5 veces mayor (> 300W / m · K) y un voltaje de ruptura 3 veces mayor (> 8MV / cm) que SOI, lo que lo hace ideal para electrónica de potencia de 800V + y aplicaciones 5G mmWave.

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