Detalles del producto
Lugar de origen: China.
Nombre de la marca: ZMSH
Certificación: rohs
Número de modelo: Placa portadora de SiC
Condiciones de pago y envío
Precio: by case
Tiempo de entrega: 2-4weeks
Condiciones de pago: T/T
Densidad: |
3.21 g/cc |
Calor específico: |
0.66 J/g °K |
Durabilidad de la fractura: |
2.94 MPa m1/2 |
Dureza: |
2800 |
Tamaño del grano: |
2 - 10 μm |
Aplicaciones: |
Fabricación de semiconductores, producción de LED |
Densidad: |
3.21 g/cc |
Calor específico: |
0.66 J/g °K |
Durabilidad de la fractura: |
2.94 MPa m1/2 |
Dureza: |
2800 |
Tamaño del grano: |
2 - 10 μm |
Aplicaciones: |
Fabricación de semiconductores, producción de LED |
La placa portadora de SiC (placa portadora de carburo de silicio) es un componente cerámico de alto rendimiento ampliamente utilizado en sectores de fabricación avanzados como semiconductores, LED y electrónica de potencia.Reconocido por su excepcional resistencia térmica, alta conductividad térmica, baja expansión térmica y resistencia mecánica superior, es la solución ideal para procesos de alta temperatura.incluido el diseño, fabricación, pruebas y soporte postventa, lo que garantiza un rendimiento y una fiabilidad óptimos para el manejo de obleas, el crecimiento epitaxial y otras aplicaciones críticas.
Propiedad | Valor | Método |
Densidad | 3.21 g/cc | Flotación del fregadero y su dimensión |
Calor específico | 0.66 J/g °K | Flash láser pulsado |
Fuerza de flexión | 450 MPa560 MPa | 4 puntos de curva, RT4 puntos de curva, 1300° |
Resistencia a las fracturas | 2.94 MPa m1/2 | Microindicaciones |
Dureza | 2800 | Vicker's, 500 gramos de carga |
Modulo elástico Modulo del joven | 450 GPa430 GPa | 4 pt de curvatura, RT4 pt de curvatura, 1300 °C |
Tamaño del grano | 2 ¢ 10 μm | El SEM |
1.Resistencia a temperaturas muy altasFuncionamiento estable hasta 1650°C, ideal para CVD, MOCVD y otros procesos a alta temperatura.
2.Gestión térmica superiorLa conductividad térmica de 120-200 W/m·K garantiza una rápida disipación del calor y minimiza la tensión térmica.
3.Baja expansión térmica(4.3×10−6/K)
4.Alta dureza y resistencia al desgasteDureza de Mohs de 9.2, muy superior al cuarzo y al grafito, prolonga la vida útil.
5.Inertitud químicaResistente a la erosión de ácidos, álcalis y plasma, adecuado para ambientes hostiles.
6.Alta pureza y libre de contaminaciónLos niveles de impurezas metálicas < 1 ppm, que cumplen con los estándares de limpieza de los semiconductores.
- ¿ Qué?
· Fabricación de semiconductores️ Epitaxia de obleas (GaN/SiC), portador de la cámara de reacción CVD.
· Producción de LEDApoya los sustratos de zafiro para un crecimiento uniforme de MOCVD.
· Energía electrónica transportador de sinterización a alta temperatura para dispositivos de potencia SiC/GaN.
· Envases avanzados Substrato de colocación y procesamiento láser de precisión.
Categoría | Punto de trabajo | Descripción |
Compatibilidad de los procesos | Epitaxia a alta temperatura | Compatible con el crecimiento epitaxial de GaN/SiC (> 1200°C) |
Entornos de plasma | Resiste el bombardeo de plasma de RF/microondas para sistemas de grabado | |
Ciclos térmicos rápidos | Excelente resistencia al choque térmico para calentamiento/enfriamiento repetidos | |
Tipos de materiales | SiC enlazado por reacción (RBSiC) | Eficacia en términos de costes para aplicaciones industriales |
Deposición química de vapor SiC (CVD-SiC) | De puridad ultra alta (> 99,9995%) para procesos de semiconductores | |
SiC prensado en caliente (HPSiC) | Alta densidad (> 3,15 g/cm3) para cargas pesadas de obleas | |
Funciones básicas | Manejo y fijación de obleas | Asegura las obleas sin deslizamiento a altas temperaturas |
Uniformidad térmica | Optimiza la distribución de la temperatura para el crecimiento epitaxial | |
Alternativas al grafito | Elimina los riesgos de oxidación y contaminación por partículas |
ZMSH ofrece soluciones integrales de extremo a extremo para placas portadoras de carburo de silicio (placas portadoras de SiC), ofreciendo servicios de diseño personalizados con dimensiones a medida, patrones de apertura,y tratamientos de superficie, incluido el pulido de espejos y revestimientos especializados, fabricación de precisión utilizando procesos CVD/RBSiC que mantienen una estricta consistencia del lote dentro de tolerancias de ± 0,05 mm, protocolos de inspección de calidad rigurosos,Entrega acelerada de prototipos con 72 horas de respuesta, y soporte técnico global con capacidad de respuesta las 24 horas del día, los 7 días de la semana, garantizando que los clientes reciban productos de alto rendimiento con una uniformidad y fiabilidad excepcionales para sus aplicaciones críticas.
1P: ¿Cuál es la temperatura máxima para las placas portadoras de SiC?
R: Las placas portadoras de SiC soportan un funcionamiento continuo hasta 1650 °C, ideal para el crecimiento epitaxial de semiconductores y el procesamiento a alta temperatura.
2P: ¿Por qué usar SiC en lugar de grafito para portadores de obleas?
R: El SiC ofrece cero generación de partículas, 10 veces más vida útil y mejor resistencia al plasma que los portadores de grafito.
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