Substrato SiC de 6 pulgadas 4H-SEMI para gafas AR y dispositivos RF 5G

El sustrato de carburo de silicio 4H-SEMI (4H-SiC) de 6 pulgadas es un material semiconductor de banda ancha basado en la estructura cristalina hexagonal (4H politipo),diseñados para propiedades de semi-aislamiento (resistividad ≥ 1 × 107 Ω·cm)Fabricado mediante transporte de vapor físico (PVT) o epitaxia de fase líquida (LPE), ofrece una banda ancha de 3,26 eV, un campo de descomposición de 3,5 MV / cm, una conductividad térmica de 4,9 W / cm · K,y características de baja pérdida de alta frecuencia , lo que lo hace ideal para aplicaciones en entornos extremos como comunicaciones 5G, dispositivos de RF y electrónica aeroespacial.Ofrece 10 veces más fuerza de campo de descomposición y 3 veces mayor conductividad térmica., que permite un funcionamiento estable a través de -200 °C a 1.600 °C, y sirve como un sustrato óptimo para dispositivos de alto voltaje, alta frecuencia y alta potencia.

1- Rendimiento eléctrico.

• Amplia banda (3,26 eV): el sustrato SiC 4H-SEMI de 6 pulgadas soporta voltajes superiores a 10 kV, adecuado para escenarios de alto voltaje como redes inteligentes e inversores EV.

• Alto campo de ruptura (3,5 MV / cm): 10 veces más alto que el silicio, minimizando la corriente de fuga y mejorando la fiabilidad.

• Alta movilidad de electrones (900 cm2/V·s): el sustrato SiC 4H-SEMI de 6 pulgadas optimiza la velocidad de conmutación en dispositivos RF, reduciendo las pérdidas de conducción.

2. Propiedades térmicas y mecánicas

• Alta conductividad térmica (4,9 W/cm·K): disipa el calor 3 veces mejor que el silicio, soportando temperaturas extremas (de 200°C a 1.600°C).

• Alta dureza (Mohs 9.2): el sustrato SiC 4H-SEMI de 6 pulgadas es resistente al desgaste, compatible con procesos de precisión como el CMP y el grabado en seco.

3. Compatibilidad de los procesos

• Baja densidad de micropipos (<1 cm−2): el sustrato SiC 4H-SEMI de 6 pulgadas minimiza los defectos de la red para una calidad superior de la capa epitaxial.

• Superficie plana (Ra < 0,2 nm): el sustrato SiC 4H-SEMI de 6 pulgadas garantiza la compatibilidad con la litografía y la deposición de película delgada.

6 pulgadas de 4H-SEMI SiC Substrato Core Aplicaciones

1. Comunicaciones 5G y dispositivos RF

• Módulos de RF de onda milimétrica: el sustrato SiC 4H-SEMI de 6 pulgadas permite dispositivos de RF GaN-on-4H-SiC para bandas de 28 GHz +, mejorando la eficiencia de la señal.
• Filtros de baja pérdida: el sustrato SiC 4H-SEMI de 6 pulgadas reduce la atenuación de la señal, mejorando la sensibilidad del radar y la comunicación.

- ¿ Qué?

2. Vehículos eléctricos (VE)

• Inversores de alta frecuencia: compatibles con plataformas de carga rápida de 800 V, reduciendo la pérdida de energía en un > 40%.
• MOSFETs de potencia: el sustrato SiC de 4H-SEMI de 6 pulgadas reduce las pérdidas de conducción 80~90%, ampliando el alcance de conducción.

- ¿ Qué?

3Aeroespacial y Defensa.

• Dispositivos resistentes a la radiación: sustituye los componentes de silicio, prolongando la vida útil de los sistemas de satélites y cohetes (> 100 Mrad de tolerancia).
• Radares de alta potencia: el sustrato SiC 4H-SEMI de 6 pulgadas aprovecha las propiedades de baja pérdida para una mayor precisión de detección.

- ¿ Qué?

4. Sistemas industriales y energéticos

• Inversores solares: mejora la eficiencia de conversión en un 1·3%, reduciendo el volumen en un 40·60% para ambientes hostiles.
• Redes inteligentes: el sustrato SiC 4H-SEMI de 6 pulgadas admite transmisión de CC de alto voltaje, minimizando la disipación de calor y las necesidades de enfriamiento.

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2. Carburo de silicio de 6 pulgadas Semi-isolante de SiC Substrato compuesto Tipo P Tipo N Tipo Single Polish Doble Polish grado de producción

Substrato de SiC de 6 pulgadas 4H-SEMIPreguntas frecuentes