Lente modificada para requisitos particulares descolorida transparente de HPSI 4H-SEMI SIC

ZMSH ofrece sic la oblea y la epitaxia: Sic la oblea es el material ancho del semiconductor del bandgap de la tercera generación con excelente rendimiento. Tiene las ventajas del bandgap ancho, de la alta conductividad termal, del campo eléctrico de la alta avería, de la alta temperatura intrínseca, de la resistencia de radiación, de la buena estabilidad química y de la alta tarifa de la deriva de la saturación del electrón. Sic la oblea tiene también grandes perspectivas del uso en espacio aéreo, tránsito del carril, la producción de energía fotovoltaica, la transmisión de poder, nuevos vehículos de la energía y otros campos, y traerá cambios revolucionarios a la tecnología de la electrónica de poder. La cara del Si o la cara de C es CMP como grado epi-listo, lleno por el gas del nitrógeno, cada oblea está en un envase de la oblea, debajo sitio de clase limpio 100.

sic las obleas Epi-listas tienen tipo de N o semiaislante, su polytype es 4H o 6H en diversos grados de calidad, densidad de Micropipe (MPD): Libre, <5>