grado de la producción de la oblea de 8inch 6inch 4 H-N Type Sic Substrate para los dispositivos de la radiofrecuencia
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2 pulgadas / 4 pulgadas / 6 pulgadas Sic Substrato de carburo de silicio 4H-P Tipo fuera del eje 2,0 ° hacia el grado de producción
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Oblea del carburo de silicio de SIC del substrato del semiconductor de 4H-N 8inch para fotovoltaico solar
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Sic Substrato de carburo de silicio tipo 6H-P en el eje 0° Dureza de Mohs 9.2 para dispositivo láser
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12 pulgadas de diámetro 300 mm SIC Substrato epitaxial Wafer pulido de carburo de silicio Ingot Prime Grade 4H-N Tipo conductor solar fotovoltaico
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Wafer SiC tipo 6H-N: Substrato de 2 pulgadas, espesor 350 μm o 650 μm
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tipo grado de 2inch 3inch Dia100m 4H-N de la producción de la oblea del carburo de silicio para el dispositivo de semiconductor
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Vídeo
De 4 H-N Production Grade Dummy del grado oblea 8inch Dia200mm del substrato sic
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resistencia 0.015-0.028ohm del substrato de 10x10m m 5x5m m sic. El cm o >1E7ohm.Cm sic salta
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Wafer de carburo de silicio de 4 pulgadas de diámetro x 350um 4H-N tipo P/R/D grado MOSEFTs/SBD/JBS
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Lente modificada para requisitos particulares descolorida transparente de HPSI 4H-SEMI SIC
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El horno de crecimiento de lingotes de SiC utiliza métodos PVT, Lely TSSG y LPE para crecer cristales de gran tamaño de 4 pulgadas, 6 pulgadas y 8 pulgadas