HPSI Hojas de SiC de alta pureza semi-aislantes de 2 " 3 " 4 " 6 " 8 " grado primario / ficticio / de investigación

Obleas de SiC semiconductores de alta pureza HPSI – 2/3/4/6/8 pulgadas, grado Prime/Dummy/Investigación

Las obleas de carburo de silicio (SiC) HPSI (semiconductores de alta pureza) son sustratos semiconductores avanzados diseñados para aplicaciones de alta frecuencia, alta potencia y alta temperatura. Disponibles en diámetros de 2, 3, 4, 6 y 8 pulgadas, estas obleas se ofrecen en grados Prime (grado de producción), Dummy (prueba de proceso) e Investigación (experimental) para satisfacer diversas necesidades industriales y académicas.

Las obleas de grado Prime presentan una densidad de defectos ultrabaja y alta resistividad, lo que las hace ideales para dispositivos de RF, amplificadores de potencia y aplicaciones de computación cuántica. El grado Dummy proporciona soluciones rentables para la optimización de procesos en la fabricación de semiconductores, mientras que el grado Investigación apoya estudios de materiales de vanguardia y el desarrollo de prototipos.

Con una conductividad térmica superior (> 490 W/m·K) y una banda prohibida amplia (3,2 eV), las obleas de SiC HPSI permiten la electrónica de próxima generación para comunicaciones 5G, aeroespacial y sistemas de vehículos eléctricos (EV).Tabla de especificaciones

Propiedades

Obleas HPSI1. Dispositivos de RF y microondas

- Estaciones base 5G: Amplificadores de alta potencia con baja pérdida de señal.
- Sistemas de radar: Rendimiento estable en aplicaciones aeroespaciales y de defensa.
2. Electrónica de potencia

- Inversores de vehículos eléctricos: Conmutación eficiente de alto voltaje.
- Cargadores rápidos: Diseños compactos y de alta eficiencia.
3. Investigación de alta tecnología

- Estudios de banda prohibida amplia: Investigación sobre las propiedades del material SiC.
4. Desarrollo de procesos industriales

- Obleas Dummy: Calibración de equipos en fábricas de semiconductores.
Preguntas frecuentes (FAQ)

1. ¿Qué define el SiC "semiconductor"?

El SiC semiconductor tiene una resistividad extremadamente alta, lo que minimiza la fuga de corriente en dispositivos de RF y alta potencia.

2. ¿Se pueden personalizar estas obleas?

Sí, ofrecemos personalización de dopaje, grosor y acabado superficial para los grados Prime e Investigación.
3. ¿Cuál es la diferencia entre los grados Prime y Dummy?

- Prime: Fabricación de dispositivos (bajos defectos).
- Dummy: Prueba de procesos (costo optimizado).
4. ¿Cómo se empaquetan las obleas?

Paquetes sellados al vacío de una sola oblea
5. ¿Cuál es el plazo de entrega típico?

- 2-4 semanas para tamaños estándar.
- 4-6 semanas para especificaciones personalizadas.
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