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solo Crystal Gallium Arsenide Substrates Semiconductor N tipo de 2inch
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tipo substratos del método P del crecimiento de 6Inch VGF del GaAs de las obleas del GaAs
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CVD SiC Epitaxy Wafer de 2 pulgadas 3 pulgadas 4 pulgadas 6 pulgadas de espesor epitaxy 2,5-120 um para energía electrónica
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Wafer de zafiro de 2 pulgadas Al2O3 monocristalino Dia 50.80mm espesor 430um BOW <10 plano A
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4 pulgadas GaN-on-Si Wafers Gallium Nitride Wafer Epi-wafer 6 pulgadas 8 pulgadas Dureza 9.0 Mohs para potencia RF LED
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2 pulgadas 4 pulgadas 6 pulgadas 8 pulgadas 12 pulgadas Wafer de carburo de silicio SiC 4H-N Grado Dummy Rrime Grado Materiales semiconductores de alta dureza
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Equipo de pulido de una sola cara de alta precisión para obleas de Si/SiC/zafiro
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Oblea semiaislante del INP del fosfuro de indio de 4 pulgadas para el diodo láser del LD
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Color del negro del diámetro de la oblea 100m m del fosfuro de indio del INP del diodo láser
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2 tipo semi aislador oblea simulada de la pulgada 50m m N del fosfuro de indio del INP
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tipo tipo de los substratos DSP N del arseniuro de galio de las obleas de 4inch GaAs de P
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Wafer de zafiro de 6 pulgadas DSP Diámetro 150 mm espesor 350 μm para electrónica de potencia