Enviar mensaje
PRODUCTOS
PRODUCTOS
Hogar > PRODUCTOS > Oblea LiNbO3 > LT Thin Films Wafers 42°Y de las obleas LN de LiTaO3 LiNbO3

LT Thin Films Wafers 42°Y de las obleas LN de LiTaO3 LiNbO3

Detalles del producto

Lugar de origen: China

Nombre de la marca: zmkj

Número de modelo: LT-001

Condiciones de pago y envío

Cantidad de orden mínima: 25pcs

Precio: by case

Detalles de empaquetado: Películas del ANIMAL DOMÉSTICO o caso del casstle 25pcs por el sitio de limpieza de 100 grados

Tiempo de entrega: 15-30days

Capacidad de la fuente: 5000pcs/month

Consiga el mejor precio
Resaltar:

oblea de 4inch LiTaO3

,

Obleas de LT Lithium Tantalate Thin

,

Oblea del semiconductor LiNbO3

Materiales:
Solo cristal de LT LN
Industria:
la oblea de semiconductor, vio la oblea, oblea óptica
Uso:
5G, dispositivo de la SIERRA, vidrio óptico,
Color:
amarillo, rojo, negro
Tamaño:
4inch
orientación:
Campo común de Y-42°
Materiales:
Solo cristal de LT LN
Industria:
la oblea de semiconductor, vio la oblea, oblea óptica
Uso:
5G, dispositivo de la SIERRA, vidrio óptico,
Color:
amarillo, rojo, negro
Tamaño:
4inch
orientación:
Campo común de Y-42°
LT Thin Films Wafers 42°Y de las obleas LN de LiTaO3 LiNbO3

LT Thin Films Wafers 42°Y de las obleas LN de LiTaO3 LiNbO3

Oblea del LT y de LN

El principio de base de los dispositivos de la SIERRA es la generación de ondas superficiales elásticos de señales eléctricas y de su reconversión. El material del substrato es un cristal piezoeléctrico tal cuarzo (SiO2), el tantalato del litio (LiTaO3) o el niobato del litio (LiNbO3). Éste es los solos materiales cristalinos, que se cortan después del proceso del crecimiento con una orientación definida a una oblea. NQW produjo esta oblea para la fabricación de la SIERRA y los centros del R&D. Encuentre por favor debajo de requisitos típicos de la especificación.

Uso

Utilizado principalmente en campos fotoeléctricos y otros

Especificación

  • Oblea size4 " 6" 4" 6"
  • Diámetro (milímetro) 100,0 ± 0,2 del ± 0.2150.0 del ± 0.2100.0 del ± 0.2150.0
  • Grueso (μm) 350 ± 20 del ± 20200/350 del ± 20200/350 del ± 20500
  • Y girada Orientation128º axis128º giró Y Y girada axis36-50º axis36-50º giró eje de Y
  • Plano de la orientación (milímetro) 32,5 ± 1,0 del ± 1.047.5 del ± 1.032.5 del ± 1.047.5
  • NTV (μm) ≦4≦4≦4≦4
  • PLNTV (≦0.5μm, tamaño 5m m) (%) del sitio 100100100100
  • Sori (μm) ≦50≦50≦50≦75/≦50
  • Superficie: Frente sidePolishedPolishedPolishedPolished
  • Superficie: Detrás sideLapped
  • (CROMATOGRAFÍA GASEOSA #2000) traslapado
  • (CROMATOGRAFÍA GASEOSA #2000) traslapado
  • (GC#1000) traslapado
  • (GC#2000/GC#1000)

Exhibición del producto

LT Thin Films Wafers 42°Y de las obleas LN de LiTaO3 LiNbO3 0

LT Thin Films Wafers 42°Y de las obleas LN de LiTaO3 LiNbO3 1

Productos relacionados

Oblea del GaAs

LT Thin Films Wafers 42°Y de las obleas LN de LiTaO3 LiNbO3 2

Oblea de GE

LT Thin Films Wafers 42°Y de las obleas LN de LiTaO3 LiNbO3 3

FAQ

Q. ¿Usted tiene acción de la oblea o de lingotes?

sí, 3inch aslike, obleas comunes de los substratos del tamaño 4inch están en la acción.


Q. ¿Dónde localizan a su compañía?
Nuestra compañía situada en Shangai, China. la fábrica está en la ciudad de Wuxi.

¿Q. cuánto tiempo tomará para conseguir los productos?
Tomará generalmente 1~4 semanas para procesar y entonces entrega.

Es depender de la cantidad y del tamaño de los productos.

Q: ¿Cómo sobre término y entrega de la paga?

T/T 50%deposit y parte izquierda antes de la entrega por el MANDO.