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LT Thin Films Wafers 42°Y de las obleas LN de LiTaO3 LiNbO3

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LT Thin Films Wafers 42°Y de las obleas LN de LiTaO3 LiNbO3

Ampliación de imagen : LT Thin Films Wafers 42°Y de las obleas LN de LiTaO3 LiNbO3

Datos del producto:

Lugar de origen:	China
Nombre de la marca:	zmkj
Número de modelo:	LT-001

Pago y Envío Términos:

Cantidad de orden mínima:	25pcs
Precio:	by case
Detalles de empaquetado:	Películas del ANIMAL DOMÉSTICO o caso del casstle 25pcs por el sitio de limpieza de 100 grados
Tiempo de entrega:	15-30days
Capacidad de la fuente:	5000pcs/month

Contacto

Descripción detallada del producto

Materiales:	Solo cristal de LT LN	Industria:	la oblea de semiconductor, vio la oblea, oblea óptica
Uso:	5G, dispositivo de la SIERRA, vidrio óptico,	Color:	amarillo, rojo, negro
Tamaño:	4inch	orientación:	Campo común de Y-42°
Resaltar:	oblea de 4inch LiTaO3 , Obleas de LT Lithium Tantalate Thin , Oblea del semiconductor LiNbO3

LT Thin Films Wafers 42°Y de las obleas LN de LiTaO3 LiNbO3

Oblea del LT y de LN

El principio de base de los dispositivos de la SIERRA es la generación de ondas superficiales elásticos de señales eléctricas y de su reconversión. El material del substrato es un cristal piezoeléctrico tal cuarzo (SiO2), el tantalato del litio (LiTaO3) o el niobato del litio (LiNbO3). Éste es los solos materiales cristalinos, que se cortan después del proceso del crecimiento con una orientación definida a una oblea. NQW produjo esta oblea para la fabricación de la SIERRA y los centros del R&D. Encuentre por favor debajo de requisitos típicos de la especificación.

Uso

Utilizado principalmente en campos fotoeléctricos y otros

Especificación

Oblea size4 " 6" 4" 6"
Diámetro (milímetro) 100,0 ± 0,2 del ± 0.2150.0 del ± 0.2100.0 del ± 0.2150.0
Grueso (μm) 350 ± 20 del ± 20200/350 del ± 20200/350 del ± 20500
Y girada Orientation128º axis128º giró Y Y girada axis36-50º axis36-50º giró eje de Y
Plano de la orientación (milímetro) 32,5 ± 1,0 del ± 1.047.5 del ± 1.032.5 del ± 1.047.5
NTV (μm) ≦4≦4≦4≦4
PLNTV (≦0.5μm, tamaño 5m m) (%) del sitio 100100100100
Sori (μm) ≦50≦50≦50≦75/≦50
Superficie: Frente sidePolishedPolishedPolishedPolished
Superficie: Detrás sideLapped
(CROMATOGRAFÍA GASEOSA #2000) traslapado
(CROMATOGRAFÍA GASEOSA #2000) traslapado
(GC#1000) traslapado
(GC#2000/GC#1000)

Exhibición del producto

LT Thin Films Wafers 42°Y de las obleas LN de LiTaO3 LiNbO3 0

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FAQ

Q. ¿Usted tiene acción de la oblea o de lingotes?

sí, 3inch aslike, obleas comunes de los substratos del tamaño 4inch están en la acción.

Q. ¿Dónde localizan a su compañía?
Nuestra compañía situada en Shangai, China. la fábrica está en la ciudad de Wuxi.

¿Q. cuánto tiempo tomará para conseguir los productos?
Tomará generalmente 1~4 semanas para procesar y entonces entrega.

Es depender de la cantidad y del tamaño de los productos.

Q: ¿Cómo sobre término y entrega de la paga?

T/T 50%deposit y parte izquierda antes de la entrega por el MANDO.

etiqueta:

Persona de Contacto: Mr. Wang

Teléfono: +8615801942596

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Tamaño:: Personalizado

Orientación de cristal:: No se puede

película fina del X-corte LN 400nm LiNbO3 de 4inch 6inch en el substrato de silicio

Materiales: Solo cristal LiTaO3

industria: la oblea de semiconductor, vio la oblea, oblea óptica

Uso: 5G, dispositivo de la SIERRA, vidrio óptico,

Color: amarillo, rojo, negro

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