LNOI Wafers de película delgada de niobato de litio 4 pulgadas 6 pulgadas 8 pulgadas X-cortado Y-cortado Z-cortado Orientaciones
Las obleas de LNOI (niobato de litio en aislante) son plataformas fotónicas avanzadas basadas en películas de niobato de litio (LiNbO3) ultrafinas (300~900 nm) unidas a sustratos aislantes (por ejemplo, silicio, zafiro,o vidrio) mediante implantes iónicos y técnicas de unión directa..
Las principales ventajas incluyen:
· Tamaños flexibles: obleas personalizables de 48 pulgadas con espesor de película ajustable (estándar de 600 nm, escalable a microescala).
· Integración heterogénea: Compatible con silicio, nitruro y vidrio para la integración monolítica de moduladores electroópticos, fuentes de luz cuántica, etc.
· Servicios de ZMSH: diseño de obleas, optimización del proceso de unión, fabricación a nivel de obleas (fotolitografía, grabado, metalización) y soluciones llave en mano para la creación de prototipos y la producción en masa.
Especificación para las obleas de niobato de litio cortadas en X en aislante (LNOI)
| S.N. |
Parámetros |
Especificaciones |
| 1 |
Especificaciones generales de la oblea LNOI |
| 1.1 |
Estructura |
LiNbO3 / óxido / Si |
| 1.2 |
Diámetro |
F100 ± 0,2 mm |
| 1.3 |
El grosor |
525 ± 25 μm |
| 1.4 |
Duración plana primaria |
32.5 ± 2 mm |
| 1.5 |
En el caso de las plaquetas |
Tipo R |
| 1.6 |
El valor de la renta variable |
< 1,5 μm (5 × 5 mm2) / 95% |
| 1.7 |
- ¿ Por qué? |
+/-50 μm |
| 1.8 |
La velocidad warp. |
< 50 μm |
| 1.9 |
Recorte de bordes |
2 ± 0,5 mm |
| 2 |
Especificación de la capa de niobato de litio |
| 2.1 |
espesor medio |
Se aplicarán las siguientes medidas: |
| 2.2 |
Orientación |
Eje X ± 0,5° |
| 2.3 |
Orientación plana primaria |
Eje Z ±1° |
| 2.4 |
Roughness de la superficie delantera ((Ra)) |
< 1 nm |
| 2.5 |
Defectos de los bonos |
> 1 mm Ninguno ≤ 1 mm dentro de un total de 80 |
| 2.6 |
Rasguño en la superficie delantera |
> 1 cm Ninguno;≤1 cm dentro de ≤3 en total |
| 3 |
Especificación de la capa de óxido (SiO2) |
| 3.1 |
El grosor |
4700 ± 150 nm |
| 3.2 |
Uniformidad |
± 5 por ciento |
| 4 |
Especificación de la capa Si |
| 4.1 |
El material |
Sí, sí. |
| 4.2 |
Orientación |
Se aplicarán las siguientes medidas: |
| 4.3 |
Orientación plana primaria |
Se aplicará el método de calibración de la temperatura. |
| 4.4 |
Resistencia |
> 10 kΩ·cm |
| 4.5 |
En la parte posterior |
En forma de grabado |
| Nota:Se requiere una autorización válida/última del fabricante OEM. |
Características clave deOferta de LNOI
- ¿ Qué?1. Propiedades materiales - ¿ Por qué?
· Un elevado coeficiente electroóptico (r33 ≈ 30 pm/V) y una amplia ventana de transparencia (0,35 μm), lo que permite aplicaciones UV-MIR.
· Pérdida de guía de onda ultrabaja (< 0,3 dB/cm) y alta no linealidad para modulación de alta velocidad y conversión de frecuencia cuántica.
- ¿Qué quieres?Ventajas del proceso - ¿ Por qué?
· Las películas sub-300 nm reducen el volumen modal, apoyando moduladores de ancho de banda > 60 GHz.
· Mitigar la incompatibilidad de la expansión térmica mediante la ingeniería de interfaces de unión (por ejemplo, capas amorfas de silicio).
- ¿ Qué?3. Comparación del rendimiento - ¿ Por qué?
· en comparación con Silicon Photonics/InP: menor consumo de energía (< 3 V de voltaje de media onda), mayor tasa de extinción (> 20 dB) y una huella más pequeña del 50%.
Las aplicaciones principales deOferta de LNOI
1- ¿ Por qué?Comunicaciones ópticas de alta velocidad - ¿ Por qué?
- ¿ Por qué?Moduladores electro-ópticos.: Habilitar módulos de 800 Gbps/1,6 Tbps con ancho de banda > 40 GHz, 3 veces la eficiencia sobre el silicio.
- ¿ Qué?- Módulos coherentes.: Integrado heterogéneamente con fotónica de silicio para una transmisión de larga distancia de baja pérdida y alta fiabilidad.
- ¿ Qué?2. Sistemas de información cuántica- ¿ Por qué?
- ¿ Qué?- Fuentes de luz cuántica.: Generadores integrados de pares de fotones entrelazados para la manipulación del estado cuántico en el chip.
- ¿ Por qué?Los chips de computación cuántica.: Aprovechar la no linealidad de LiNbO3 para la fabricación de qubits y arquitecturas tolerantes a fallas.
- ¿ Qué?3. Sensores y imágenes - ¿ Por qué?
- ¿ Qué?- Detectores de terahercios.: Imagen no criogénica con resolución en mm mediante modulación EO.
- ¿ Por qué?Giroscopios de fibra óptica.: Navegación inercial de alta precisión para la industria aeroespacial.
- ¿ Qué?4. Computación óptica y aceleración de la IA - ¿ Por qué?
- ¿ Qué?- Los circuitos fotónicos.: Puertas lógicas y interruptores de latencia ultrabaja para procesamiento paralelo de IA.
Servicios de la ZMSH
1Servicios básicos
Personalización de obleas: obleas LNOI de 4 ′′ 8 con orientaciones de corte X / Z, dopaje de MgO y espesor de capa de óxido enterrado (50 nm ′′ 20 μm).
Integración heterogénea: Enlace con silicio, zafiro o nitruro para chips ópticos EO híbridos (por ejemplo, monolitos de modulador láser).
Servicios de fabricación: litografía UV de 150 nm, grabado en seco, metalización Au/Cr y envasado/prueba a nivel de obleas.
Soporte de extremo a extremo: simulación de diseño (herramientas de PIC Studio), optimización del rendimiento y producción a gran escala.
2Tendencias tecnológicas
Wafers más grandes: transición a LNOI de 8 pulgadas para reducir costos y ampliar la capacidad.
Películas ultrafinas: desarrollar películas < 200 nm para superar los límites de absorción de longitud de onda corta (aplicaciones de luz visible).
Integración híbrida: Enlace con materiales III-V (InP) para la integración láser-modulador.
Fabricación inteligente: optimización de parámetros de grabado impulsada por IA para reducir los defectos (<1 defecto/cm2).
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