LNOI Wafers de película delgada de niobato de litio 4 pulgadas 6 pulgadas 8 pulgadas X-cortado Y-cortado Z-cortado Orientaciones

LNOI Wafers de película delgada de niobato de litio 4 pulgadas 6 pulgadas 8 pulgadas X-cortado Y-cortado Z-cortado Orientaciones

Las obleas de LNOI (niobato de litio en aislante) son plataformas fotónicas avanzadas basadas en películas de niobato de litio (LiNbO3) ultrafinas (300~900 nm) unidas a sustratos aislantes (por ejemplo, silicio, zafiro,o vidrio) mediante implantes iónicos y técnicas de unión directa..

Las principales ventajas incluyen:
· Tamaños flexibles: obleas personalizables de 48 pulgadas con espesor de película ajustable (estándar de 600 nm, escalable a microescala).

· Integración heterogénea: Compatible con silicio, nitruro y vidrio para la integración monolítica de moduladores electroópticos, fuentes de luz cuántica, etc.

· Servicios de ZMSH: diseño de obleas, optimización del proceso de unión, fabricación a nivel de obleas (fotolitografía, grabado, metalización) y soluciones llave en mano para la creación de prototipos y la producción en masa.

Especificación para las obleas de niobato de litio cortadas en X en aislante (LNOI)

Características clave deOferta de LNOI

- ¿ Qué?1. Propiedades materiales - ¿ Por qué?

· Un elevado coeficiente electroóptico (r33 ≈ 30 pm/V) y una amplia ventana de transparencia (0,35 μm), lo que permite aplicaciones UV-MIR.

· Pérdida de guía de onda ultrabaja (< 0,3 dB/cm) y alta no linealidad para modulación de alta velocidad y conversión de frecuencia cuántica.

- ¿Qué quieres?Ventajas del proceso - ¿ Por qué?

· Las películas sub-300 nm reducen el volumen modal, apoyando moduladores de ancho de banda > 60 GHz.

· Mitigar la incompatibilidad de la expansión térmica mediante la ingeniería de interfaces de unión (por ejemplo, capas amorfas de silicio).

- ¿ Qué?3. Comparación del rendimiento - ¿ Por qué?

· en comparación con Silicon Photonics/InP: menor consumo de energía (< 3 V de voltaje de media onda), mayor tasa de extinción (> 20 dB) y una huella más pequeña del 50%.

Las aplicaciones principales deOferta de LNOI

1- ¿ Por qué?Comunicaciones ópticas de alta velocidad - ¿ Por qué?

- ¿ Por qué?Moduladores electro-ópticos.: Habilitar módulos de 800 Gbps/1,6 Tbps con ancho de banda > 40 GHz, 3 veces la eficiencia sobre el silicio.

- ¿ Qué?- Módulos coherentes.: Integrado heterogéneamente con fotónica de silicio para una transmisión de larga distancia de baja pérdida y alta fiabilidad.

- ¿ Qué?2. Sistemas de información cuántica- ¿ Por qué?

- ¿ Qué?- Fuentes de luz cuántica.: Generadores integrados de pares de fotones entrelazados para la manipulación del estado cuántico en el chip.

- ¿ Por qué?Los chips de computación cuántica.: Aprovechar la no linealidad de LiNbO3 para la fabricación de qubits y arquitecturas tolerantes a fallas.

- ¿ Qué?3. Sensores y imágenes - ¿ Por qué?

- ¿ Qué?- Detectores de terahercios.: Imagen no criogénica con resolución en mm mediante modulación EO.

- ¿ Por qué?Giroscopios de fibra óptica.: Navegación inercial de alta precisión para la industria aeroespacial.

- ¿ Qué?4. Computación óptica y aceleración de la IA - ¿ Por qué?

- ¿ Qué?- Los circuitos fotónicos.: Puertas lógicas y interruptores de latencia ultrabaja para procesamiento paralelo de IA.

Servicios de la ZMSH

1Servicios básicos

Personalización de obleas: obleas LNOI de 4 ′′ 8 con orientaciones de corte X / Z, dopaje de MgO y espesor de capa de óxido enterrado (50 nm ′′ 20 μm).

Integración heterogénea: Enlace con silicio, zafiro o nitruro para chips ópticos EO híbridos (por ejemplo, monolitos de modulador láser).

Servicios de fabricación: litografía UV de 150 nm, grabado en seco, metalización Au/Cr y envasado/prueba a nivel de obleas.

Soporte de extremo a extremo: simulación de diseño (herramientas de PIC Studio), optimización del rendimiento y producción a gran escala.

2Tendencias tecnológicas

Wafers más grandes: transición a LNOI de 8 pulgadas para reducir costos y ampliar la capacidad.

Películas ultrafinas: desarrollar películas < 200 nm para superar los límites de absorción de longitud de onda corta (aplicaciones de luz visible).

Integración híbrida: Enlace con materiales III-V (InP) para la integración láser-modulador.

Fabricación inteligente: optimización de parámetros de grabado impulsada por IA para reducir los defectos (<1 defecto/cm2).