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Wafer SICOI de 4 pulgadas, 6 pulgadas, 8 pulgadas, 4H-SiC sobre aislante, película de SiC de 100 a 150 mm SOBRE silicio

Nombre De La Marca:	ZMSH
Número De Modelo:	SICOI Wafers
MOQ:	25
Precio:	by case
Tiempo De Entrega:	2-4weeks
Condiciones De Pago:	T/T

Información detallada

Descripción de producto

Información detallada

Place of Origin:

CHINA

Certificación:

rohs

Tamaño:

4 pulgadas/6 pulgadas/8 pulgadas

Rugosidad de la superficie:

Ra <0.5 nm

Dureza a la fractura:

3.5 MPa · M¹/²

CTE (4H-Sic):

4.2 × 10⁻⁶/k

Resistividad (Si):

> 1 × 10⁶ Ω · cm

Aplicaciones:

Electrónica de alta potencia, dispositivos RF

Packaging Details:

package in 100-grade cleaning room

Resaltar:

Wafer de 4H-SiC en el aislante

Wafer SICOI de 100 a 150 mm

Película de SiC sobre sustrato de silicio

Descripción de producto

Descripción general de las obleas SICOI

Oblea SICOI de 4, 6 y 8 pulgadas 4H-SiC sobre aislante de 100 a 150 mm de película de SiC SOBRE silicio

Las obleas SICOI (carburo de silicio sobre aislante) representan un material de sustrato semiconductor de alto rendimiento que combina las excepcionales propiedades físicas del carburo de silicio (SiC) con las ventajas de aislamiento eléctrico de una capa aislante (como SiO₂ o Si₃N₄). La estructura SICOI típicamente consta de una capa monocristalina de SiC, una capa aislante y un sustrato de soporte (por ejemplo, Si o SiC). Esta configuración encuentra amplias aplicaciones en dispositivos electrónicos de alta potencia, alta frecuencia y alta temperatura, así como en los campos de RF (radiofrecuencia) y MEMS.

Wafer SICOI de 4 pulgadas, 6 pulgadas, 8 pulgadas, 4H-SiC sobre aislante, película de SiC de 100 a 150 mm SOBRE silicio

En comparación con las obleas de SiC convencionales, las obleas SICOI reducen significativamente la capacitancia parásita y la corriente de fuga mediante la incorporación de una capa aislante, mejorando así la frecuencia de operación del dispositivo y la eficiencia energética. Esta tecnología es particularmente adecuada para aplicaciones que requieren alta resistencia al voltaje, baja pérdida y un rendimiento térmico superior, como vehículos eléctricos, comunicaciones 5G y electrónica aeroespacial.

Wafer SICOI de 4 pulgadas, 6 pulgadas, 8 pulgadas, 4H-SiC sobre aislante, película de SiC de 100 a 150 mm SOBRE silicio

Características clave de las obleas SICOI

Categoría de característica

Parámetros/Rendimiento específicos

Ventajas técnicas

Estructura del material

Capa monocristalina de SiC (4H/6H-SiC) + capa aislante (SiO₂/Si₃N₄) + sustrato de soporte (Si/SiC)

Permite el aislamiento eléctrico y reduce los efectos parásitos

Rendimiento eléctrico

Alta resistencia a la ruptura (>3 MV/cm), baja pérdida dieléctrica

Ideal para dispositivos de alta frecuencia y alto voltaje

Rendimiento térmico

Alta conductividad térmica (4,9 W/cm·K), resistencia a altas temperaturas (>500 °C)

Excelente capacidad de disipación de calor, adecuada para entornos de alta temperatura

Rendimiento mecánico

Alta dureza (dureza Mohs 9,5), bajo coeficiente de expansión térmica

Resiste el estrés mecánico y mejora la fiabilidad del dispositivo

Calidad de la superficie

Superficie atómicamente plana (Ra <0,2 nm)Optimiza la calidad del crecimiento epitaxial y minimiza los defectos

Rendimiento de aislamiento

Alta resistencia de aislamiento (>10¹⁴ Ω·cm), baja corriente de fuga

Adecuado para dispositivos de RF y de potencia que requieren alto aislamiento

Tamaño y personalización

Soporta obleas de 4/6/8 pulgadas con grosor personalizable (capa de SiC: 1-100 µm, capa aislante: 0,1-10 µm)

Cumple con diversos requisitos de aplicación

Aplicaciones principales de las obleas SICOI

Campo de aplicación

Escenarios específicos	Ventajas principales	Electrónica de alta potencia
Inversores de VE, estaciones de carga rápida, módulos de potencia industriales	La alta resistencia al voltaje y la baja pérdida mejoran la eficiencia energética	Dispositivos de RF
Amplificadores de potencia (PA) de estaciones base 5G, frontales de RF de onda milimétrica	La baja capacitancia parásita permite la operación de alta frecuencia con mínima pérdida	Sensores MEMS
Sensores de presión de alta temperatura, dispositivos de navegación inercial	Resiste altas temperaturas y radiación, adecuado para entornos hostiles	Aeroespacial
Sistemas de potencia de aeronaves, equipos de comunicación por satélite	Alta fiabilidad y resistencia a temperaturas extremas	Red Eléctrica Inteligente
Transmisión de corriente continua de alto voltaje (HVDC), interruptores automáticos de estado sólido	Las altas propiedades de aislamiento reducen la pérdida de energía	Optoelectrónica
LED UV, sustratos de diodos láser	La alta coincidencia de red mejora el rendimiento del dispositivo	El proceso de preparación de 4H-SiCOI

Wafer SICOI de 4 pulgadas, 6 pulgadas, 8 pulgadas, 4H-SiC sobre aislante, película de SiC de 100 a 150 mm SOBRE silicio

El proceso de fabricación de 4H-SiCOI y los microresonadores con características destacadas.

a Proceso de fabricación de la plataforma de material 4H-SiCOI prístino.

b Fotografía de un sustrato 4H-SiCOI a escala de oblea de 4 pulgadas fabricado mediante el método de unión y adelgazamiento, se marca la región de falla.
c Variación total del grosor del sustrato 4H-SiCOI.
d Imagen de un dado 4H-SiCOI.
e Diagrama de flujo de fabricación de un microdisco resonador de SiC.
f Micrografía electrónica de barrido (SEM) del microdisco resonador fabricado.
g Imagen SEM ampliada de la pared lateral del resonador. Inserción, escaneo de microscopía de fuerza atómica (AFM) de la superficie superior del resonador (barra de escala = 1 µm).
h Imagen SEM de vista lateral del resonador fabricado con superficie superior con forma de parábola.
Obleas SICOI

Wafer SICOI de 4 pulgadas, 6 pulgadas, 8 pulgadas, 4H-SiC sobre aislante, película de SiC de 100 a 150 mm SOBRE silicio

Preguntas y respuestas1. P: ¿Qué es una oblea SICOI?

R: Una oblea SICOI (carburo de silicio sobre aislante) es un sustrato semiconductor avanzado que combina las propiedades de alto rendimiento del SiC con una capa aislante para un mejor aislamiento eléctrico en dispositivos de potencia y RF.
2. P: ¿Cuáles son las ventajas de las obleas SICOI?

R: Las obleas SICOI ofrecen menor capacitancia parásita, mayor voltaje de ruptura y mejor gestión térmica en comparación con las obleas de SiC estándar, lo que las hace ideales para aplicaciones 5G y de VE.
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consisten en algunas micras de SiC sobre unas pocas micras de SiO₂, sobre Si.

Etiquetas:

Oblea del zafiro

Sic substrato

Zafiro Windows óptico

Oblea de silicio de IC

El alambre vio la máquina

Zafiro sintético Rod

Placa del cuarzo fundido

Piezas del zafiro

Piedra preciosa sintética

Equipo del semiconductor

Oblea LiNbO3

Oblea del fosfuro de indio

substrato de cerámica

Envoltura del laboratorio

Oblea del nitruro del galio

Oblea del GaAs

Oblea del zafiro

Sic substrato

Zafiro Windows óptico

Oblea de silicio de IC

El alambre vio la máquina

Zafiro sintético Rod

Placa del cuarzo fundido

Piezas del zafiro

Piedra preciosa sintética

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Oblea LiNbO3

Oblea del fosfuro de indio

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Envoltura del laboratorio

Oblea del nitruro del galio

Oblea del GaAs

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Wafer SICOI de 4 pulgadas, 6 pulgadas, 8 pulgadas, 4H-SiC sobre aislante, película de SiC de 100 a 150 mm SOBRE silicio

Wafer de 4H-SiC en el aislante

Wafer SICOI de 100 a 150 mm

Película de SiC sobre sustrato de silicio

Oblea SICOI de 4, 6 y 8 pulgadas 4H-SiC sobre aislante de 100 a 150 mm de película de SiC SOBRE silicio

Características clave de las obleas SICOI

Campo de aplicación

El proceso de fabricación de 4H-SiCOI y los microresonadores con características destacadas.

Preguntas y respuestas​1. P: ¿Qué es una oblea SICOI?

sic oblea

sic substrato

substrato del carburo de silicio

Customized SiC Tray:CVD SiC SSiC Flat grooved High thermal conductivity Low coefficient of thermal expansion

Cerámica de alúmina: Óxido de aluminio blanco marfil mecanizado de precisión, personalización admitida

Preguntas y respuestas1. P: ¿Qué es una oblea SICOI?