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2 tipo semi aislador oblea simulada de la pulgada 50m m N del fosfuro de indio del INP

Name: 2 tipo semi aislador oblea simulada de la pulgada 50m m N del fosfuro de indio del INP
Brand: SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD
SKU: InP-2INCH
Price: 50,002.00 USD
Availability: InStock

Detalles del producto

Lugar de origen: CHINA

Nombre de la marca: zmkj

Número de modelo: InP-2INCH

Condiciones de pago y envío

Cantidad de orden mínima: 3pcs

Precio: by case

Detalles de empaquetado: sola caja de la oblea

Tiempo de entrega: 3-4Weeks

Capacidad de la fuente: 1000pcs/month

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Detalles del producto

Descripción de producto

Resaltar: 
                                                                                                                                                                                                                                                                                oblea del fosfuro de indio de 50m m, Oblea semi aislador del fosfuro de indio, tipo oblea de n del INP
                              

Materiales:	Solo cristal del INP	Industria:	substratos del semiconductor, dispositivo,
Color:	Negro	Tipo:	tipo semi-
Diámetro:	100m m 4inch	Grueso:	625um o 350um
Paquete:	sola caja de la oblea

Materiales:	Solo cristal del INP
Industria:	substratos del semiconductor, dispositivo,
Color:	Negro
Tipo:	tipo semi-
Diámetro:	100m m 4inch
Grueso:	625um o 350um
Paquete:	sola caja de la oblea

2 tipo semi aislador oblea simulada de la pulgada 50m m N del fosfuro de indio del INP

n-tipo oblea primera simulada de 2inch dia50.8mm del fosfuro de indio del INP del grado

oblea semiaislante para el diodo láser del LD, oblea de semiconductor, oblea del INP 3inch, solos substratos cristalinos para el uso del LD, oblea de semiconductor, oblea del INP, sola oblea cristalina del INP del fosfuro de indio 4inch del INP de wafer2inch 3inch 4inch

El INP introduce

Solo cristal del INP

el crecimiento (método modificado de Czochralski) se utiliza para tirar de un solo

cristal a través de un líquido bórico del óxido encapsulant a partir de una semilla.

El dopante (FE, S, Sn o Zn) se añade al crisol junto con el polycrystal. La alta presión se aplica dentro de la cámara para prevenir la descomposición de la compañía del indio Phosphide.he ha desarrollado un proceso para rendir pureza completamente stoechiometric, elevada y cristal bajo del INP de la densidad de dislocación el solo.

La técnica del tCZ mejora sobre las gracias del método de LEC

a una tecnología termal del bafle con respecto a un numérico

modelado de las condiciones termales del crecimiento. el tCZ es un rentable

tecnología madura con la reproductibilidad de alta calidad del boule al boule

Especificación

El FE dopó el INP

Especificaciones semiaislantes del INP

Nota: Otras especificaciones quizá disponibles a petición

n- y p-tipo INP

Especificaciones semiconductoras del INP

Método del crecimiento	VGF
Dopante	n-tipo: S, Sn Y sin impurificar; p-tipo: Zn
Forma de la oblea	Ronda (diámetro: 2", 3", Y 4")
Orientación superficial	(100) ±0.5°

Orientaciones del *Other quizá disponibles a petición

Dopante	S y Sn (n-tipo)	Sin impurificar (n-tipo)	Zn (p-tipo)
Concentración de portador (cm-3)	(0.8-8) × 1018	× 1015 (de 1-10)	(0.8-8) ×1018
Movilidad (cm2/V.S.)	× 103 (de 1-2.5)	× 103 (de 3-5)	50-100
Densidad de la echada del grabado de pistas (cm2s)	100-5,000	≤ 5000	≤ 500

Diámetro de la oblea (milímetros)	50.8±0.3	76.2±0.3	100±0.3
Grueso (µm)	350±25	625±25	625±25
TTV [P/P] (µm)	≤ 10	≤ 10	≤ 10
TTV [P/E] (µm)	≤ 10	≤ 15	≤ 15
DEFORMACIÓN (µm)	≤ 15	≤ 15	≤ 15
DE (milímetros)	17±1	22±1	32.5±1
DE/SI (milímetros)	7±1	12±1	18±1
Polish*	E/E, P/E, P/P	E/E, P/E, P/P	E/E, P/E, P/P

*E=Etched, P=Polished

Nota: Otras especificaciones quizá disponibles a petición

Proceso de la oblea del INP

Cada lingote se corta en las obleas se traslapan que, pulido y la superficie preparada para la epitaxia. El proceso total se detalla abajo.

Especificación e identificación planas	La orientación es indicada en las obleas por dos planos (de largo planos para la orientación, el pequeño plano para la identificación). El estándar de E.J. (europeo japonés) se utiliza generalmente. La configuración plana alterna (los E.E.U.U.) se utiliza sobre todo para Ø 4" las obleas.

Orientación del boule	Se ofrecen las obleas exactas (100) o misoriented.

Exactitud de la orientación de DE	En respuesta a las necesidades de la industria optoelectrónica, nosotros obleas de las ofertas con la exactitud excelente de la orientación: < 0="">

Perfil del borde	Hay dos espec. comunes: borde químico que procesa o que procesa mecánico del borde (con una amoladora del borde).

Polaco	Las obleas se pulen mediante un proceso sustancia-mecánico dando por resultado una superficie plana, libre de daños. proporcionamos las obleas pulidas y solo-lado pulidas del doble-lado (con el lado trasero traslapado y grabado al agua fuerte).

Preparación superficial y empaquetado finales	Las obleas pasan con muchos pasos químicos quitar el óxido producido durante el pulido y crear una superficie limpia con la capa estable y uniforme del óxido que está lista para el crecimiento epitaxial - la superficie epiready y ésa reduce los oligoelementos a extremadamente - los niveles bajos. Después de la inspección final, las obleas se empaquetan de una manera que mantenga la limpieza superficial. Las instrucciones específicas para el retiro del óxido están disponibles para todos los tipos de las tecnologías epitaxiales (MOCVD, MBE).

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Paquete y entrega

FAQ:

Q: ¿Cuál es su MOQ y plazo de expedición?

: (1) para el inventario, el MOQ es 5 PC.

(2) para los productos modificados para requisitos particulares, el MOQ es 10-30 PC para arriba.

(3) para los productos modificados para requisitos particulares, plazo de expedición en 10days, tamaño custiomzed para 2-3weeks

Tags:

InComo arseniuro de indio2 pulgadas 3 pulgadas 4 pulgadas Substrato de cristal único N/P Tipo de semiconductor espesor de la oblea 300-800um

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