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2 pulgadas 4 pulgadas 6 pulgadas Sic Substrato de carburo de silicio 6H Tipo de alta P-dopaje Fuera del eje 4,0° hacia el grado primario grado falso
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2 pulgadas / 4 pulgadas / 6 pulgadas / 5,0 * 5,0 mm / 10,0 * 10,0 mm Sic Substrato de carburo de silicio Tipo 3C-N En el eje: < 111 > ± 0,5 ° Grado de producción Grado de simulacro
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Dureza modificada para requisitos particulares del substrato del carburo de silicio del tamaño 9,4 sic porciones para el equipo
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6 pulgadas de carburo de silicio Semi-aislante de SiC Substrato compuesto Tipo P Tipo N Tipo de Polish único Doble Polish grado de producción
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Semi - substrato aislador del carburo de silicio, sic pureza elevada de la oblea 4H
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N-tipo 6H o 4H de las obleas del carburo de silicio 2Inch o sic substratos semiaislantes
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Oblea del carburo de silicio de SIC del substrato del semiconductor de 4H-N 8inch para fotovoltaico solar
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Tipo conductor de encargo sic oblea para fotovoltaico solar de alto voltaje de alta temperatura del dispositivo de poder
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6inch Sapphire Wafer Orientation 0001 Al2O3 solo Crystal Optical Transparency
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4inch SSP Sapphire Wafer Quartz Glass Thickness 0.1m m 0.15m m 0.2m m
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Wafer de carburo de silicio SiC 4H-N 2"3"4"6"8"12" N Tipo Prime / Dummy / grado de investigación
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modificado para requisitos particulares 4 obleas del carburo de silicio de los substratos 4inch 6inch de H-N Type Semi-Insulating sic