Substrato de carburo de silicio (SiC) de 4H-N 2/3/4/6/8/12 pulgadas
Esta serie de productos proporciona sustratos de carburo de silicio (SiC) de alta pureza en múltiples diámetros (2", 3", 4", 6", 8" y 12"), diseñados para semiconductores avanzados, electrónica de potencia,y aplicaciones optoelectrónicasDisponibles en grados Prime (de calidad de dispositivo), Dummy (de prueba de proceso) y Research (experimental), estos sustratos presentan una excelente conductividad térmica (> 400 W/m·K para SiC), un alto voltaje de ruptura y una alta resistencia a la presión.,y una estabilidad química superior.
El grado Prime asegura una densidad de defectos muy baja, lo que lo hace ideal para dispositivos de alto rendimiento como MOSFET, diodos Schottky y componentes de RF.El Dummy Grade ofrece soluciones rentables para la optimización de procesos, mientras que el grado de investigación apoya la I+D académica e industrial en tecnologías de semiconductores de banda ancha.
Con especificaciones personalizables (dopaje, grosor, pulido), estos sustratos cumplen con las exigencias estrictas de la electrónica de potencia, las comunicaciones 5G y las aplicaciones de vehículos eléctricos (VE).
Cuadro de especificaciones
| Propiedades |
Especificaciones |
| El material |
4H SiC |
| Envasado |
Envase de una sola oblea |
| El tipo |
Tipo N |
| Diámetro |
Se aplicarán las siguientes medidas: |
| El grosor |
500 μm ± 50 μm |
| La rugosidad de la superficie (cara de carbono) |
Ra ≤ 0,5 nm con cara de carbono preparada para epi |
| Roughness de la superficie (cara de silicio) |
Opticamente pulido |
| Orientaciones |
4.0 grados fuera del eje ± 0,5 grados hacia <11-20> |
| MPD (Departamento de Protección del Medio Ambiente) |
≤ 0,5/cm2 o menos |
| TTV/BOW/Warp |
El valor de las emisiones de gases de efecto invernadero es el valor de las emisiones de gases de efecto invernadero. |
| FWHM |
≤ 30 arcosegundos o menos |
| Apartamento primario y secundario |
No se requiere (no hay molienda plana) |
| Resistencia |
< 0,25 ohm.cm |
Aplicaciones de las obleas de SiC
Nuestros sustratos 4H-N están diseñados para tecnologías de vanguardia en múltiples industrias:
1. Energía electrónica
- Vehículos eléctricos (VE): MOSFET SiC de alto voltaje e inversores para una conversión eficiente de energía.
- Sistemas de carga rápida: permite cargadores compactos y de alta eficiencia para vehículos eléctricos y electrónica de consumo.
- Motor de accionamiento industrial: rendimiento robusto en ambientes de alta temperatura.
2Comunicación radio y inalámbrica
- Estaciones base 5G: transistores de alta frecuencia con baja pérdida de señal.
- Sistemas de radar y satélites: mejor manejo de la energía para aplicaciones aeroespaciales y de defensa.
3. Optoelectrónica
- LED UV y láseres: gestión térmica superior para aplicaciones de alta luminosidad.
4Tecnologías de investigación
- Investigación de semiconductores de banda ancha: estudios fundamentales sobre las propiedades de los materiales.
Preguntas frecuentes (FAQ)
1¿Se pueden personalizar estos sustratos en términos de dopado y grosor?
Sí, ofrecemos variantes tipo N (dopado con nitrógeno) y tipo P (dopado con aluminio) con resistencia ajustable.
2- ¿Cuál es el tiempo de entrega para los pedidos?
- Tamaños estándar (2"-6"): 2-4 semanas.
- Tamaños grandes (8"-12"): de 4 a 6 semanas (según disponibilidad).
3¿Cómo deben almacenarse y manipularse los sustratos?
- Conservar en un cuarto limpio (clase 1000 o superior).
- Manejar con guantes de nitrilo para evitar la contaminación.
- Evite el esfuerzo mecánico en los bordes.
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