Wafer de carburo de silicio SiC 4H-N 2"3"4"6"8"12" N Tipo Prime / Dummy / grado de investigación

Substrato de carburo de silicio (SiC) de 4H-N 2/3/4/6/8/12 pulgadas

Esta serie de productos proporciona sustratos de carburo de silicio (SiC) de alta pureza en múltiples diámetros (2", 3", 4", 6", 8" y 12"), diseñados para semiconductores avanzados, electrónica de potencia,y aplicaciones optoelectrónicasDisponibles en grados Prime (de calidad de dispositivo), Dummy (de prueba de proceso) y Research (experimental), estos sustratos presentan una excelente conductividad térmica (> 400 W/m·K para SiC), un alto voltaje de ruptura y una alta resistencia a la presión.,y una estabilidad química superior.

El grado Prime asegura una densidad de defectos muy baja, lo que lo hace ideal para dispositivos de alto rendimiento como MOSFET, diodos Schottky y componentes de RF.El Dummy Grade ofrece soluciones rentables para la optimización de procesos, mientras que el grado de investigación apoya la I+D académica e industrial en tecnologías de semiconductores de banda ancha.

Con especificaciones personalizables (dopaje, grosor, pulido), estos sustratos cumplen con las exigencias estrictas de la electrónica de potencia, las comunicaciones 5G y las aplicaciones de vehículos eléctricos (VE).

Cuadro de especificaciones

Aplicaciones de las obleas de SiC

Nuestros sustratos 4H-N están diseñados para tecnologías de vanguardia en múltiples industrias:

1. Energía electrónica
- Vehículos eléctricos (VE): MOSFET SiC de alto voltaje e inversores para una conversión eficiente de energía.
- Sistemas de carga rápida: permite cargadores compactos y de alta eficiencia para vehículos eléctricos y electrónica de consumo.

- Motor de accionamiento industrial: rendimiento robusto en ambientes de alta temperatura.

2Comunicación radio y inalámbrica
- Estaciones base 5G: transistores de alta frecuencia con baja pérdida de señal.
- Sistemas de radar y satélites: mejor manejo de la energía para aplicaciones aeroespaciales y de defensa.

3. Optoelectrónica
- LED UV y láseres: gestión térmica superior para aplicaciones de alta luminosidad.

4Tecnologías de investigación
- Investigación de semiconductores de banda ancha: estudios fundamentales sobre las propiedades de los materiales.

Preguntas frecuentes (FAQ)

1¿Se pueden personalizar estos sustratos en términos de dopado y grosor?

Sí, ofrecemos variantes tipo N (dopado con nitrógeno) y tipo P (dopado con aluminio) con resistencia ajustable.

2- ¿Cuál es el tiempo de entrega para los pedidos?

- Tamaños estándar (2"-6"): 2-4 semanas.
- Tamaños grandes (8"-12"): de 4 a 6 semanas (según disponibilidad).

3¿Cómo deben almacenarse y manipularse los sustratos?

- Conservar en un cuarto limpio (clase 1000 o superior).
- Manejar con guantes de nitrilo para evitar la contaminación.
- Evite el esfuerzo mecánico en los bordes.