Su búsqueda [ silicon carbide substrate ] coincidencia
202 PRODUCTOS
2/4/6/8 pulgadas Sic Substrato de carburo de silicio 4H 6H 3C Tipo de soporte Personalizar Industria de semiconductores Tamaños múltiples
Consiga el mejor precio
Substrato de carburo de silicio de cristal único de 12 pulgadas Sic Tamaño grande Diámetro de alta pureza 300 mm Grado del producto Para comunicación 5G
Consiga el mejor precio
2 pulgadas / 4 pulgadas / 6 pulgadas Sic Substrato de carburo de silicio 4H-P Tipo fuera del eje 2,0 ° hacia el grado de producción
Consiga el mejor precio
Sic Substrato de carburo de silicio tipo 6H-P en el eje 0° Dureza de Mohs 9.2 para dispositivo láser
Consiga el mejor precio
2 pulgadas 4 pulgadas 6 pulgadas Sic Substrato de carburo de silicio 6H Tipo de alta P-dopaje Fuera del eje 4,0° hacia el grado primario grado falso
Consiga el mejor precio
2 pulgadas / 4 pulgadas / 6 pulgadas / 5,0 * 5,0 mm / 10,0 * 10,0 mm Sic Substrato de carburo de silicio Tipo 3C-N En el eje: < 111 > ± 0,5 ° Grado de producción Grado de simulacro
Consiga el mejor precio
tipo del grado N de la producción del substrato del carburo de silicio de la oblea de 8inch DSP 4H sic para el experimento
Consiga el mejor precio
Substrato de carburo de silicio de 6 pulgadas 4H-P Diámetro 150 mm espesor 350 μm Producción de MPD cero, grado de producción estándar
Consiga el mejor precio
Substrato de carburo de silicio de 6 pulgadas Sic Tipo 6H-P para sistemas de comunicaciones y radares Diámetro 150 mm Prime Grade
Consiga el mejor precio
Sic Substrato de carburo de silicio 5.0*5.0mm Cuadrado Tipo 6H-P espesor 350μm grado cero grado falso
Consiga el mejor precio
Substrato de carburo de silicio 4' Sic 3C-N Diámetro 100 mm Conductivo Tipo Cero MPD grado de producción
Consiga el mejor precio
Substrato de carburo de silicio de 2 pulgadas Sic 6H baja resistencia tipo dopado con P alto Diámetro 50,8 mm