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Oblea de carburo de silicio de 4 pulgadas tipo N con múltiples opciones de grosor para trenes de potencia de vehículos eléctricos y unidades de motor de alta densidad
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Ingot de carburo de silicio de 6 pulgadas con alto campo de descomposición, conductividad térmica y energía de banda ancha para electrónica de potencia
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bandeja cerámica de carburo de silicio para el procesamiento de obleas de semiconductores
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Placa cerámica escalonada de carburo de silicio (SiC) personalizada para equipos semiconductores
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Wafer de carburo de silicio tipo 4H-P en el eje 0°Utilizado para la fabricación de dispositivos de alta potencia
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N-tipo 6H o 4H de las obleas del carburo de silicio 2Inch o sic substratos semiaislantes
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Oblea del carburo de silicio de SIC del substrato del semiconductor de 4H-N 8inch para fotovoltaico solar
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Wafer de carburo de silicio Sic 5*5mm/10*10mm Tipo 4H-P Grado de producción para electrónica de potencia
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grado de la producción de la oblea de 8inch 6inch 4 H-N Type Sic Substrate para los dispositivos de la radiofrecuencia
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modificado para requisitos particulares 4 obleas del carburo de silicio de los substratos 4inch 6inch de H-N Type Semi-Insulating sic
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Wafer de carburo de silicio Sic 6H-P Tipo fuera del eje 2.0° hacia la producción grado grado de investigación
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Semi - substrato aislador del carburo de silicio, sic pureza elevada de la oblea 4H