Detalles del producto
Lugar de origen: China
Nombre de la marca: zmsh
Número de modelo: HPSI
Condiciones de pago y envío
Cantidad de orden mínima: 1pcs
Precio: by case
Detalles de empaquetado: por el caso modificado para requisitos particulares
Tiempo de entrega: 15days dentro
Capacidad de la fuente: 100PCS
Industria: |
substrato del semiconductor |
Materiales: |
sic cristal |
Solicitud: |
5G, material del dispositivo, MOCVD, electrónica de poder |
Tipo: |
4H-N, semi, ningún dopado |
Color: |
verde, azul, blanco |
Hardeness: |
9,0 para arriba |
Industria: |
substrato del semiconductor |
Materiales: |
sic cristal |
Solicitud: |
5G, material del dispositivo, MOCVD, electrónica de poder |
Tipo: |
4H-N, semi, ningún dopado |
Color: |
verde, azul, blanco |
Hardeness: |
9,0 para arriba |
Hardness9.4 el carburo de silicio transparente descolorido de la pureza elevada 4H-SEMI sic pulió la oblea para el uso óptico de la alta transmitencia
| Propiedad | 4H-SiC, solo cristal | 6H-SiC, solo cristal |
| Parámetros del enrejado | a=3.076 Å c=10.053 Å | a=3.073 Å c=15.117 Å |
| Amontonamiento de secuencia | ABCB | ABCACB |
| Dureza de Mohs | ≈9.2 | ≈9.2 |
| Densidad | 3,21 g/cm3 | 3,21 g/cm3 |
| Therm. Coeficiente de la extensión | 4-5×10-6/K | 4-5×10-6/K |
| Índice @750nm de la refracción |
ningunos = 2,61 ne = 2,66 |
ningunos = 2,60 ne = 2,65 |
| Constante dieléctrica | c~9.66 | c~9.66 |
| Conductividad termal (N-tipo, 0,02 ohm.cm) |
a~4.2 W/cm·K@298K c~3.7 W/cm·K@298K |
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| Conductividad termal (semiaislante) |
a~4.9 W/cm·K@298K c~3.9 W/cm·K@298K |
a~4.6 W/cm·K@298K c~3.2 W/cm·K@298K |
| Banda-Gap | eV 3,23 | eV 3,02 |
| Campo eléctrico de la avería | los 3-5×106V/cm | los 3-5×106V/cm |
| Velocidad de deriva de la saturación | 2.0×105m/s | 2.0×105m/s |
Propiedades físicas y electrónicas sic de comparado a GaAa y al Si
Energía amplia Bandgap (eV)
4H-SiC: 3,26 6H-SiC: 3,03 GaAs: Si 1,43: 1,12
Los dispositivos electrónicos formaron en sic pueden actuar en extremadamente las temperaturas altas sin el sufrimiento desde efectos intrínsecos de la conducción debido al bandgap ancho de la energía. También, esta propiedad permite sic emitir y detectar la luz corta de la longitud de onda que hace la fabricación de diodos electroluminosos azules y de fotodetectores ULTRAVIOLETA ciegos casi solares posibles.
Campo eléctrico de la alta avería [V/cm (para la operación V 1000)]
4H-SiC: 2,2 x 106* 6H-SiC: 2,4 x 106* GaAs: 3 x 105 Si: 2,5 x 105
Sic puede soportar una pendiente del voltaje (o el campo eléctrico) sobre ocho veces mayor que el Si o el GaAs sin experimentar avería de avalancha. Este campo eléctrico de la alta avería permite la fabricación de dispositivos muy de alto voltaje, de alta potencia tales como diodos, de transitors del poder, de tiristores del poder y de amortiguadores de onda, así como de dispositivos de la microonda del poder más elevado. Además, permite que los dispositivos sean puestos muy cerca junto, proporcionando la alta densidad de embalaje del dispositivo para los circuitos integrados.
Alta conductividad termal (W/cm · K @ RT)
4H-SiC: 3.0-3.8 6H-SiC: 3.0-3.8 GaAs: 0,5 Si: 1,5
Sic está un conductor termal excelente. El calor fluirá más fácilmente a través sic que otros materiales del semiconductor. De hecho, en la temperatura ambiente, sic tiene una conductividad termal más alta que cualquier metal. Esta propiedad permite sic a los dispositivos actuar en extremadamente los niveles de poder más elevado y todavía disipar una gran cantidad del exceso de calor generado.
Alta velocidad de deriva saturada del electrón [centímetro/segundo (@ V/cm del ≥ 2 x 105 de E)]
4H-SiC: 2,0 x 107 6H-SiC: 2,0 x 107 GaAs: 1,0 x 107 Si: 1,0 x 107
Sic los dispositivos pueden actuar en los de alta frecuencia (RF y microonda) debido a la alta velocidad de deriva saturada del electrón de sic.
Usos
Deposición del nitruro de *III-V Dispositivos *Optoelectronic
Dispositivos del *High-Power * dispositivos des alta temperatura
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2" |
3" |
4" |
6" |
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Polytype |
4H/6H |
4H |
4H |
4H |
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Diámetro |
50.80mm±0.38m m |
76.2mm±0.38m m |
100.0mm±0.5m m |
150.0mm±0.2m m |
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FAQ:
Q: ¿Cuál es la manera de envío y de coste?
: (1) aceptamos a DHL, Fedex, el ccsme por el MANDO.
Q: ¿Cómo pagar?
: T/T, por adelantado
Q: ¿Cuál es su MOQ?
: (1) para el inventario, el MOQ es 30g.
(2) para los productos comunes modificados para requisitos particulares, el MOQ es 50g
Q: ¿Cuál es plazo de expedición?
: (1) para los productos estándar
Para el inventario: la entrega es 5 días laborables después de que usted pone la orden.
Para los productos modificados para requisitos particulares: la entrega es 2 -4 semanas después de usted contacto de la orden.
