De la pureza elevada de silicio del carburo oblea sin impurificar sic, substrato del carburo de silicio de 6Inch 4H-Semi sic

Sic oblea

Sic cristalino cutted en rebanadas, y puliendo, sic la oblea viene. Para la especificación y los detalles, visite por favor debajo de la página.

Crecimiento sic cristalino

El crecimiento cristalino a granel es la técnica para la fabricación de substratos monocristalinos, haciendo la base para el proceso adicional del dispositivo. Para tener una brecha en sic tecnología necesitamos obviamente la producción sic de substrato con un process.6H- reproductivo y sic los cristales 4H- se crecen en crisoles del grafito en las temperaturas altas hasta 2100-2500°C. La temperatura de funcionamiento en el crisol es proporcionada por la calefacción inductiva (RF) o resistente. El crecimiento ocurre en sic las semillas finas. La fuente representa sic la carga policristalina del polvo. Sic el vapor en la cámara de crecimiento consiste en principalmente tres especies, a saber, Si, Si2C, y SiC2, que son diluidos por el gas portador, por ejemplo, argón. Sic la evolución de la fuente incluye la variación de tiempo de la porosidad y del diámetro del gránulo y la grafitización de los gránulos del polvo.

Sic oblea del epi

Sic Crystal Structure

Sic el cristal tiene muchas diversas estructuras cristalinas, que se llama los polytypes. Los polytypes mas comunes sic actualmente de ser convertido para la electrónica son los 3C-SiC cúbicos, los 4H-SiC y los 6H-SiC hexagonales, y los 15R-SiC romboédricos. Estos polytypes son caracterizados por la secuencia de amontonamiento de las capas del biatom sic de la estructura

defectos sic cristalinos

La mayor parte de los defectos que fueron observados en sic también fueron observados en otros materiales cristalinos. Como las dislocaciones, las faltas de amontonamiento (SFs), los límites del ángulo bajo (laboratorios) y los gemelos. Algunos otros aparecen en los materiales que tienen la mezcla del zing o la estructura de wurzita, como el IDBs. Micropipes y las inclusiones a partir de otras fases aparecen principalmente adentro sic.

Uso sic cristalino

Muchos investigadores conocen el uso del general sic: Deposición del nitruro de III-V; Dispositivos optoelectrónicos; Dispositivos de poder más elevado; Dispositivos des alta temperatura; De alta frecuencia pocas personas del poder Devices.But conocen usos del detalle, nosotros enumeran un cierto detalle

uso y advantagement materiales

• Unión mal hecha baja del enrejado
• Alta conductividad termal
• Bajo consumo de energía
• Características transitorias excelentes
• Alto hueco de banda

Usos:

• Dispositivo de la epitaxia de GaN
• Dispositivo optoelectrónico
• Dispositivo de alta frecuencia
• Dispositivo de poder más elevado
• Dispositivo de alta temperatura
• Diodos electroluminosos