Efector de extremo de portador de cerámica Sic personalizado para manejo de obleas

Efector final de portador de cerámica Sic personalizado para manejo de obleas

El efector final de manipulación de obleas, fabricado con tecnología de mecanizado de ultraprecisión, logra una precisión dimensional a nivel de micrones (± 0,01 mm) y una estabilidad térmica excepcional (CTE ≤ 4,5 × 10 / 6 K).Su superficie presenta una capa protectora nanocristalina avanzada de SiC depositada en CVD (pureza > 99.995%), ofreciendo un acabado superficial superior (Ra<0,05μm) y resistencia al desgaste (tasa de desgaste <0,1μm/1000 ciclos), al tiempo que garantiza la transferencia de obleas sin daños a altas velocidades (1.5 m/s) con una generación mínima de partículas (< 5 partículas/ft3)Nuestro efector final revestido con SiC de alta pureza demuestra una excelente estabilidad de rendimiento a temperaturas extremas (-200°C~1200°C),excelente uniformidad térmica (±1°C@wafer de 150 mm) para la consistencia del grosor del crecimiento epitaxial (±10,5%), y una notable resistencia química (pH1-13), manteniendo un funcionamiento confiable durante > 100.000 ciclos.

Especificación técnica:

Principales características deEfector final para el manejo de obleas

1. capa protectora de SiC a nanoescala a través de la tecnología CVD

- Depósito mediante reactor CVD de pared caliente (1200°C) con tamaño de grano de 20 a 50 nm

- Densidad de recubrimiento ≥ 3,18 g/cm3, porosidad < 0,1%

2Estabilidad excepcional a altas temperaturas y uniformidad térmica

- Mantiene una conductividad térmica ≥ 120 W/m·K a 1000 °C

- Deformación térmica < 0,02 mm/100 mm (certificado según la norma ASTM E228)

3. Revestimiento cristalino de SiC ultrafinos para suavidad a nivel atómico

- Esmerile de diamantes pulido hasta Ra < 0,3 nm (verificado por AFM)

- Coeficiente de fricción superficial μ< 0,15 (contra las obleas de silicio)

4Resistencia química superior y durabilidad de limpieza

- velocidad de grabado < 0,01 μm/ciclo en soluciones SC1/SC2

- Aprueba el ensayo de limpieza del agua con ozono de 2000 ciclos (80°C)

5- Diseño estructural patentado que impide el agrietamiento/deslaminado

- Diseño de la capa de amortiguador de tensión (transición de gradiente SiC/Si)

- Resiste 1000 ciclos de choque térmico (de 196°C a 300°C) (conforme a la norma MIL-STD-883)

Las aplicaciones principales deEfector final para el manejo de obleas

1Procesos de vanguardia de semiconductores:

· Transporte de obleas dentro de las fábricas (AMHS)

· Carga y descarga de herramientas de litografía

2Embalaje avanzado:

· Alineación de precisión para el apilamiento de fan-out y IC 3D

· Manipulación de obleas ultrafinas (< 100 μm) para semiconductores compuestos de GaN/SiC

3- Entornos de vacío:

· Transferencia de obleas en cámaras PVD/CVD

Compatibilidad de procesos, materiales y aplicaciones

Imágenes de productosEfector final para el manejo de obleas

ZMSH es un proveedor líder de soluciones de manejo de obleas de carburo de silicio (SiC) de alto rendimiento, especializado en placas portadoras de ingeniería de precisión y efectores finales para la fabricación de semiconductores.Nuestros componentes avanzados de SiC cuentan con recubrimientos CVD ultra puros con rugosidad superficial inferior a 0.1μm Ra, garantizando un funcionamiento libre de partículas en ambientes de sala limpia de clase 1. Los productos demuestran una estabilidad térmica excepcional, manteniendo una precisión dimensional dentro de ± 0.03 mm a través de los rangos de temperatura extrema de -200°C a 1300°C, con coeficientes de expansión térmica tan bajos como 4.1 × 10−6/K.