Detalles del producto
Lugar de origen: China.
Nombre de la marca: ZMSH
Certificación: rohs
Número de modelo: La placa de apoyo/placa de soporte de SiC
Condiciones de pago y envío
Precio: by case
Tiempo de entrega: 2-4weeks
Condiciones de pago: T/T
Tipo de material: |
CVD-SiC |
Diámetro: |
100-500m m |
El grosor: |
10 a 50 mm |
Temperatura máxima de funcionamiento: |
1650°C |
Densidad: |
3.10-3.21 g/cm3 |
Dureza (Mohs): |
9,2 |
Tipo de material: |
CVD-SiC |
Diámetro: |
100-500m m |
El grosor: |
10 a 50 mm |
Temperatura máxima de funcionamiento: |
1650°C |
Densidad: |
3.10-3.21 g/cm3 |
Dureza (Mohs): |
9,2 |
Las placas de soporte de carburo de silicio (SiC) son componentes cerámicos de alto rendimiento ampliamente utilizados en sectores de fabricación avanzados como semiconductores, LED y fotovoltaicos.Reconocidos por su excepcional resistencia térmicaZMSH ofrece soluciones personalizadas de placas de apoyo de SiC, incluyendo diseño, fabricación, pruebas y fabricación de placas de apoyo de SiC.,y apoyo postventa, garantizando una mayor estabilidad del proceso y eficiencia de producción.
Parámetro | Especificación | Unidad | Las notas |
Tipo de material | Se aplicarán las siguientes medidas: | - | No se puede optar |
Diámetro | 100-500 (se puede personalizar) | En el caso de los | Las costumbres |
El grosor | 10 a 50 | En el caso de los | Adjustable |
Temperatura máxima de funcionamiento | 1650 | °C | A largo plazo |
Conductividad térmica | 120 a 200 | El valor de las emisiones de CO | A 25 °C |
Coeficiente de expansión térmica | 4.0 × 10−6 | /°C | NT1cambio de temperatura |
Densidad | 3.10 a tres.21 | G/cm3 | Teórico |
Porosidad | < 0,5% | - | Es muy densa. |
Roughness de la superficie (Ra) | < 0,2 (polido) | Mm | El acabado del espejo |
La superficie es plana | ≤ 005 | En el caso de los vehículos de motor | Grado de precisión |
Dureza (Mohs) | 9.2 | - | Solo el diamante lo ocupa |
Resistencia a la flexión | Entre 350 y 450 | MPa | 3 puntos |
Purificación | > 99,9995% | - | de tipo semiconductor |
- ¿ Qué?
1.Resistencia a altas temperaturasFuncionamiento estable por encima de 1600°C, adecuado para condiciones extremas de proceso.
2.Conductividad térmica superior¢ superan a los materiales tradicionales (por ejemplo, grafito, alumina) en la rápida disipación de calor y reducción del estrés térmico.
3.Baja expansión térmica• Excelente estabilidad dimensional a altas temperaturas, minimizando la deformación.
4.Alta dureza y resistencia al desgasteDureza de Mohs de 9.2, garantizando una durabilidad a largo plazo.
5.Inertitud químicaResistente a ácidos, álcalis y entornos corrosivos (por ejemplo, grabado, CVD / PVD).
6.Alta pureza¢ Composición libre de metales, que cumple con las estrictas normas de la industria de semiconductores.
- ¿ Qué?1Compatibilidad del proceso
· Fabricación de semiconductoresCompatible con CVD, MOCVD y crecimiento epitaxial, asegurando un calentamiento uniforme de la obletera.
· Producción de LEDApoya sustratos de zafiro para un crecimiento consistente de la capa epitaxial.
· Energía fotovoltaicaSe utiliza en sinterización a alta temperatura y deposición de películas finas.
· Mecanizado de precisión¢ Adecuado para el corte por láser, el grabado por plasma y otros procesos de alta precisión.
2. Tipos de materiales
· SiC enlazado por reacción (RBSiC)¢ Eficaz en cuanto a costes, ideal para el uso general a altas temperaturas.
· Deposición química de vapor SiC (CVD-SiC)- Ultra alta pureza para procesos avanzados de semiconductores.
· SiC prensado en caliente (HPSiC)- Alta densidad y resistencia para aplicaciones de carga pesada.
3. Aplicaciones básicas
· Soporte de obleas/substratoAsegura una distribución térmica uniforme durante el procesamiento.
· Reemplazo del grafito¢ Elimina los riesgos de oxidación y contaminación por partículas.
· Equipo de grabadoProporciona un apoyo estable en el entorno plasmático.
1. Diseño personalizado dimensiones optimizadas, geometría y tratamientos de superficie (por ejemplo, pulido, recubrimientos).
2. Fabricación de precisión
3. Pruebas rigurosas inspección ultrasónica, ciclo térmico y protocolos de garantía de calidad.
4- Respuesta rápida: consultoría técnica, prototipos y apoyo a la producción por lotes.
5Apoyo global cobertura mundial (Asia-Pacífico, Europa, América) con servicio postventa las 24 horas del día, los 7 días de la semana.
1P: ¿Cuál es la temperatura máxima para las placas de soporte de SiC?
R: Las placas de soporte de SiC soportan hasta 1650 °C continuamente, lo que las hace ideales para procesos de CVD/MOCVD semiconductores.
2P: ¿Por qué usar SiC en lugar de grafito para soporte de obleas?
R: SiC ofrece cero contaminación de partículas, mayor rigidez y una vida útil más larga que el grafito en el procesamiento de obleas de alta pureza.
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