Detalles del producto
Lugar de origen: China.
Nombre de la marca: ZMSH
Número de modelo: Sustrato de SiC
Condiciones de pago y envío
Tiempo de entrega: Entre 2 y 4 semanas
Condiciones de pago: T/T
El material: |
Monocristales de SiC |
El grosor: |
350um o 500um |
Es el día.: |
de una longitud igual o superior a 150 mm |
Grado: |
Grado P o Grado D |
orientación: |
fuera del eje: 4° hacia <11-20> ± 0,5° |
Superficie: |
DSP, Si Face CMP y otros. |
El material: |
Monocristales de SiC |
El grosor: |
350um o 500um |
Es el día.: |
de una longitud igual o superior a 150 mm |
Grado: |
Grado P o Grado D |
orientación: |
fuera del eje: 4° hacia <11-20> ± 0,5° |
Superficie: |
DSP, Si Face CMP y otros. |
En el caso de los productos que no estén incluidos en la lista de productos, se considerará que los productos incluidos en la lista de productos incluidos en la lista de productos incluidos en la lista de productos incluidos en la lista de productos incluidos en la lista de productos incluidos en la lista de productos incluidos en la lista de productos incluidos en la lista de productos incluidos en la lista de productos incluidos en la lista de productos incluidos en la lista de productos incluidos en la lista de productos.
Características del 4H-N SiC
- el usoSIC Monocristalinopara la fabricación
- se permite la personalización mediante dibujos de diseño
- alto rendimiento, alta resistividad y bajas corrientes de fuga
- 9,2 Mohs alta dureza, justo detrás del diamante
- ampliamente utilizados en áreas de alta tecnología, como la electrónica de potencia, los LED y los sensores
Breve introducción del 4H-N SiC
El carburo de silicio (SiC) es un material semiconductor hecho de silicio y carbono.
Tiene una dureza y resistencia excelentes, lo que la hace muy duradera.
El SiC es conocido por su excelente conductividad térmica, lo que le permite disipar el calor de manera eficiente, lo que lo hace ideal para aplicaciones de alta potencia y alta temperatura.
Una de sus principales propiedades es un amplio intervalo de banda, que permite a los dispositivos operar a voltajes, temperaturas y frecuencias más altos que el silicio.
El SiC también tiene una alta movilidad de electrones, lo que ayuda a permitir dispositivos electrónicos más rápidos y eficientes.
Su estabilidad química y su resistencia a la oxidación lo hacen ideal para ambientes hostiles.
El SiC se utiliza ampliamente en la electrónica de potencia, donde la eficiencia y la durabilidad son críticas, así como en dispositivos de alta frecuencia, LED,y como sustrato para el crecimiento de otros materiales semiconductores como el nitruro de galio (GaN).
Sus propiedades lo convierten en un material valioso en aplicaciones electrónicas avanzadas.
Más detalles sobre el 4H-N SiC
* Más detalles se muestran en el cuadro siguiente.
| Especificación del sustrato de carburo de silicio de tipo N de 6 pulgadas de diámetro 4H | ||
| Propiedad del sustrato | Grado de producción | Grado de imitación |
| Diámetro | Se aplicarán las siguientes medidas: | |
| Orientación de la superficie | fuera del eje: 4° hacia <11-20> ± 0,5° | |
| Orientación plana primaria | Se aplicarán las siguientes medidas: | |
| Duración plana primaria | 47.5 mm ± 2,0 mm | |
| Resistencia | 0.015 ~ 0.028Ω·cm | ≤ 0,1Ω·cm |
| El grosor | 350.0 μm ± 25,0 μm o 500.0 μm ± 25,0 μm | |
| TTV | ≤ 15 μm | ≤ 25 μm |
| - ¿Qué quieres decir? | ≤ 30 μm | ≤ 50 μm |
| La velocidad warp. | ≤ 40 μm | ≤ 60 μm |
| Finalización de la superficie | Polvo de doble cara, Si Face CMP (polvar químico) | |
| La rugosidad de la superficie | CMP Si Face Ra≤0,5 nm, C Face Ra≤1 nm | No incluido |
| Nota: Las especificaciones personalizadas distintas de los parámetros anteriores son aceptables. | ||
Otras muestras de4H-N SiC
* Si tiene más requisitos, podemos fabricar los personalizados.
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Preguntas frecuentes
1P: ¿Dónde se puede usar 6 pulgadas 4H-N SiC?
R: Hay muchas áreas de aplicación, como MOSFET, IGBT y diodo, adecuados para aplicaciones de alta potencia y alta eficiencia como vehículos eléctricos, convertidores de energía y redes inteligentes.
2P: ¿Cómo contribuye el 4H-N SiC a la energía renovable?
R: La electrónica de potencia basada en 4H-N SiC mejora la eficiencia y fiabilidad de los sistemas de energía renovable como los inversores solares y las turbinas eólicas, lo que permite una mejor conversión y gestión de la energía
