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Grueso simulado de la oblea Dia150mm 4H-N 500m m del substrato del grado 6Inch sic

Name: Grueso simulado de la oblea Dia150mm 4H-N 500m m del substrato del grado 6Inch sic
Brand: SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD
SKU: 6inch-001
Price: Negociable USD
Availability: InStock

Detalles del producto

Lugar de origen: China

Nombre de la marca: zmsh

Número de modelo: 6inch-001

Condiciones de pago y envío

Cantidad de orden mínima: 1pcs

Precio: by case by FOB

Detalles de empaquetado: Empaquetado en un ambiente del sitio limpio de la clase 100, en los casetes de solos envases de la o

Tiempo de entrega: dentro de 40days

Capacidad de la fuente: 50pcs/months

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Detalles del producto

Descripción de producto

Resaltar: 
                                                                                                                                                                                                                                                sic oblea, sic substrato
                              

usos:	dispositivo, llevado, 5G, detector, electrónica de poder	industria:	oblea del semicondctor
material:	semiconductor sic	color:	verde o blanco o azul
dureza:	9,0	tipo:	4H, 6H, dopado, ninguno-dopado,

usos:	dispositivo, llevado, 5G, detector, electrónica de poder
industria:	oblea del semicondctor
material:	semiconductor sic
color:	verde o blanco o azul
dureza:	9,0
tipo:	4H, 6H, dopado, ninguno-dopado,

Grueso simulado de la oblea Dia150mm 4H-N 500m m del substrato del grado 6Inch sic

6inch sic substratos, 6inch sic obleas, lingotes sic cristalinos,

bloque sic cristalino, sic substratos del semiconductor, oblea del carburo de silicio

6 pulgada de diámetro, especificación del substrato del carburo de silicio (sic)
Grado		Grado cero de MPD	Grado de la producción	Grado de la investigación	Grado simulado

Diámetro		150,0 mm±0.2mm

ThicknessΔ		350 μm±25μm o 500±25un

Orientación de la oblea		De eje: 4.0° hacia< 1120=""> ±0.5° para el eje de 4 H-N On: <0001> ±0.5° para 6H-SI/4H-SI

Plano primario		{10-10} ±5.0°

Longitud plana primaria		47,5 mm±2.5 milímetro

Exclusión del borde		3 milímetros

TTV/Bow /Warp		≤15μm/≤40μm/≤60μm

Densidad de Micropipe		cm2s ≤1	cm2s ≤5	cm2s ≤15	cm2s ≤100

Resistencia	4H-N	0.015~0.028 Ω·cm

	4/6H-SI	≥1E5 Ω·cm

Aspereza		Ra≤1 polaco nanómetro

		CMP Ra≤0.5 nanómetro

Grietas por la luz de intensidad alta		Ninguno		1 permitida, ≤2 milímetro	≤ acumulativo 10m m, solo length≤2mm de la longitud

Placas del hex. por la luz de intensidad alta		Área acumulativa el ≤1%		Área acumulativa el ≤2%	Área acumulativa el ≤5%

Áreas de Polytype por la luz de intensidad alta		Ninguno		El area≤2% acumulativo	El area≤5% acumulativo

Rasguños por la luz de intensidad alta		3 rasguños a la longitud acumulativa del diámetro 1×wafer		5 rasguños a la longitud acumulativa del diámetro 1×wafer	5 rasguños a la longitud acumulativa del diámetro 1×wafer


Microprocesador del borde		Ninguno		3 permitida, ≤0.5 milímetro cada uno	5 permitida, ≤1 milímetro cada uno

Contaminación por la luz de intensidad alta		Ninguno

Porque el cristal del tamaño 6inch crece dificultades técnicas de los &process (traslapados y que pulen), apenas podemos proporcionar el grado simulado 6inch como productos comunes en 30days y las producciones califican pero necesitando ser reservado para 90days.

Sobre nuestra compañía

SHANGAI CO. COMERCIAL FAMOSO, LTD. localiza en la ciudad de Shangai, que es la mejor ciudad de China, y nuestra fábrica se funda en la ciudad de Wuxi en 2014.

Nos especializamos en el proceso de una variedad de materiales en las obleas, los substratos y parts.components de cristal óptico custiomized ampliamente utilizados en electrónica, la óptica, la optoelectrónica y muchos otros campos. También hemos estado trabajando de cerca con muchos nacionales y las universidades, las instituciones de investigación y las compañías de ultramar, proporcionan productos modificados para requisitos particulares y los servicios para sus proyectos del R&D.

Es nuestra visión a mantener una buena relación de la cooperación con nuestros todos los clientes al lado de nuestros buenos reputatiaons.

Tags:

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12 pulgadas de diámetro 300 mm SIC Substrato epitaxial Wafer pulido de carburo de silicio Ingot Prime Grade 4H-N Tipo conductor solar fotovoltaico

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2 pulgadas 4 pulgadas 6 pulgadas 8 pulgadas 12 pulgadas Wafer de carburo de silicio SiC 4H-N Grado Dummy Rrime Grado Materiales semiconductores de alta dureza

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2 pulgadas 4H-N de carburo de silicio SiC Substrato de espesor 350um 500um Wafer de SiC Prime Grade Grade Dummy

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2 pulgadas / 4 pulgadas / 6 pulgadas Sic Substrato de carburo de silicio 4H-P Tipo fuera del eje 2,0 ° hacia el grado de producción

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2 pulgadas / 4 pulgadas / 6 pulgadas / 5,0 * 5,0 mm / 10,0 * 10,0 mm Sic Substrato de carburo de silicio Tipo 3C-N En el eje: < 111 > ± 0,5 ° Grado de producción Grado de simulacro

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Wafer de carburo de silicio Sic 6H-P Tipo fuera del eje 2.0° hacia la producción grado grado de investigación

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