Diámetro de la oblea epitaxial SiC de 6 pulgadas 150 mm Tipo 4H-N Tipo 4H-P Tipo para comunicación 5G

- ¿ Qué?

- ¿ Qué?Aplicaciones clave - ¿ Qué? de plaquetas epitaxiales de SiC de 6 pulgadas

1Sistemas de energía renovable

· Inversores de aerogeneradores: plaquetas epitaxiales de SiC de 1700 V para la conversión CC-AC en aerogeneradores a gran escala, que mejoran la eficiencia de conversión de energía hasta el 99,2% y reducen las pérdidas de CC en un 15%.

· Almacenamiento de energía híbrida: módulos SiC de 10 kV para convertidores bidireccionales CC-CC en sistemas de almacenamiento de baterías a escala de red, que permiten una transferencia de energía sin problemas entre las redes solar/eólica y la red.

2Infraestructura de energía de los centros de datos

· Unidad de refrigeración ultraeficiente: los MOSFET SiC de 650 V integrados en unidades de distribución de energía (PDU), alcanzan una eficiencia del 98% y reducen los costes de refrigeración en un 20% gracias a una menor disipación de calor.

· Redes eléctricas inteligentes: tiristores SiC de 3300 V para la transmisión de alta tensión CC (HVDC) en microrredes de centros de datos, reduciendo al mínimo las pérdidas de transmisión a < 0,3%.

3- El motor industrial.

· Motor de CA de alta potencia: módulos IGBT SiC de 1200 V para motores industriales en la fabricación de acero, que permiten un control de velocidad variable con una eficiencia del 97% y reducen el desperdicio de energía en un 12%.

· carretillas elevadoras eléctricas: inversores basados en SiC de 400 V para carretillas elevadoras eléctricas compactas y de alto rendimiento, que aumentan el tiempo de funcionamiento en un 30% gracias a un menor consumo de energía.

4. Sistemas de energía aeroespacial

· Unidades de potencia auxiliares (APU): plaquetas epitaxiales 6H-SiC resistentes a la radiación para inversores de APU en aeronaves, que funcionan de forma fiable a -55°C a 225°C y superan las pruebas de dureza a la radiación MIL-STD-883.

Los servicios de ZMSH de6 pulgadas de Wafers SiC epitaxial

Servicios y cartera de productos de ZMSH Nuestro negocio principal abarca una cobertura completa de sustratos de SiC de 2 ′′12 pulgadas y obleas epitaxiales, incluyendo politipos de tipo 4H/6H-N, HPSI, SEMI y 3C-N,con capacidades avanzadas en fabricación a medida (e.g., corte a través de agujeros, pulido de doble cara, embalaje a nivel de obleas) y soluciones de extremo a extremo que abarcan la epitaxia de VDC, la implantación iónica, el recocido y la validación del dispositivo. Aprovechando el 75% de los equipos de CVD de origen nacional, ofrecemos soluciones rentables, logrando un 25% más bajos costos de producción en comparación con los competidores globales.

Las preguntas frecuentes de6 pulgadasOferta epitaxial de SiC

1P: ¿Cuáles son las aplicaciones principales de las obleas epitaxiales de SiC de 6 pulgadas? - ¿ Qué?

R: Se utilizan ampliamente en vehículos de nueva energía (inversores de accionamiento principal, sistemas de carga rápida), inversores fotovoltaicos, estaciones base de comunicación 5G y motores industriales,Mejora de la eficiencia energética y reducción del consumo de energía.

2P: ¿Cómo minimizar la densidad de defectos en las obleas epitaxiales de SiC de 6 pulgadas? - ¿ Qué?

R: La densidad de defectos se controla mediante la optimización de la relación C/Si (0,9), la regulación de la temperatura de crecimiento (1590°C) y el crecimiento asistido por el campo magnético, reduciendo los defectos fatales (por ejemplo,defectos triangulares) hasta < 0.4 centímetros - 2.

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