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El COMERCIO FAMOSO CO., LTD. de SHANGAI localiza en la ciudad de Shangai, que es la mejor ciudad de China, y nuestra fábrica se funda en la ciudad de Wuxi en 2014. Nos especializamos en el proceso de una variedad de materiales en las obleas, los substratos y el vidrio óptico custiomized parts.components ampliamente utilizados en electrónica, la óptica, la optoelectrónica y muchos otros campos. También hemos estado trabajando de cerca con muchos nacionales y las universidades, las instituciones ...
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Calidad Oblea del nitruro del galio & Oblea del zafiro fabricante

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Estudio de caso de ZMSH: Principal proveedor de zafiros sintéticos de alta calidad
Estudio de caso de ZMSH: Principal proveedor de zafiros sintéticos de alta calidad     IntroducciónZMSH es un nombre líder en la industria de piedras preciosas sintéticas, proporcionando una amplia gama de zafiros de colores vibrantes de alta calidad.Nuestras ofertas incluyen una amplia paleta de colores como el azul real, rojo vivo, amarillo, rosa, rosa-naranja, púrpura, y múltiples tonos verdes, incluyendo esmeralda y verde oliva.ZMSH se ha convertido en un socio preferido para las empresas que requieren, visualmente llamativas y duraderas piedras preciosas sintéticas. Destacamos nuestras piedras preciosas sintéticasEn el núcleo de la gama de productos de ZMSH están los zafiros sintéticos que emulan el brillo y la calidad de las piedras preciosas naturales al tiempo que ofrecen numerosas ventajas.Estos zafiros son cuidadosamente fabricados para lograr una consistencia de color excepcional y durabilidad, lo que las convierte en una alternativa superior a las piedras naturales. Beneficios de elegir zafiros sintéticos Consistencia sin igualNuestros zafiros creados en laboratorio se producen bajo condiciones controladas, asegurando que cumplan con estrictos estándares de calidad.libre de las variaciones de color y claridad que se ven a menudo en las piedras preciosas extraídas. Selección amplia de colores: ZMSH ofrece una amplia gama de colores, incluyendo azul real, rojo rubí, y tonos más suaves como rosa y rosa-naranja.adaptados a las necesidades específicas de los clientesEsta flexibilidad en la personalización de colores y tonos hace que nuestros zafiros sean perfectos para una amplia gama de diseños y propósitos industriales. Precios asequibles: Los zafiros cultivados en laboratorio ofrecen una alternativa más económica sin sacrificar el atractivo visual o la integridad estructural.Ofrecen un excelente valor para los clientes que necesitan piedras preciosas de alta calidad a una fracción del costo de las piedras naturales, por lo que son ideales tanto para productos de lujo como para aplicaciones prácticas. Saludable desde el punto de vista ambiental y ético: Al optar por piedras preciosas sintéticas, los clientes pueden evitar los daños ambientales y las preocupaciones éticas a menudo asociadas con la extracción de piedras preciosas tradicionales.Los zafiros sintéticos de ZMSH son creados de una manera ecológica, ofreciendo una elección sostenible y responsable. Fuerza y versatilidad: Los zafiros sintéticos poseen la misma dureza que sus contrapartes naturales, lo que los hace ideales para una variedad de usos, desde joyas de alta gama hasta aplicaciones industriales.Con una dureza de 9 en la escala de Mohs, estas gemas aseguran una durabilidad duradera en todos los entornos   ConclusiónZMSH se dedica a entregar zafiros sintéticos de primer nivel, ofreciendo a los clientes una variedad de soluciones de piedras preciosas personalizables, rentables y sostenibles.Si usted está buscando azul real para accesorios elegantes, verde esmeralda para componentes industriales, o cualquier otro color llamativo, ZMSH proporciona piedras preciosas que combinan belleza, consistencia y resistencia.Nuestra experiencia en la producción de zafiros sintéticos nos permite satisfacer las necesidades de varias industrias, garantizando una calidad fiable y prácticas éticas en cada orden.
Estudio de caso: El avance de ZMSH con el nuevo sustrato 4H/6H-P 3C-N SiC
Introducción ZMSH ha estado constantemente a la vanguardia de la innovación de obleas y sustratos de carburo de silicio (SiC), conocida por proporcionar un alto rendimiento6H-SiCy4H-SiCEn respuesta a la creciente demanda de materiales más capaces en aplicaciones de alta potencia y alta frecuencia,ZMSH ha ampliado su oferta de productos con la introducción de4H/6H-P 3C-N SiCEste nuevo producto representa un salto tecnológico significativo al combinar los productos tradicionales de la industria de la fabricación y la fabricación.Polítipo 4H/6H SiCsustratos con innovadores3C-N SiCLas películas, ofreciendo un nuevo nivel de rendimiento y eficiencia para los dispositivos de próxima generación. Resumen general del producto existente: Substratos de 6H-SiC y 4H-SiC Características clave Estructura de cristal: Tanto el 6H-SiC como el 4H-SiC poseen estructuras cristalinas hexagonales.Considerando que el 4H-SiC posee una mayor movilidad electrónica y una banda ancha de 3.2 eV, por lo que es adecuado para aplicaciones de alta frecuencia y alta potencia. Conductividad eléctrica: Disponible tanto en el tipo N como en las opciones de semi-aislamiento, lo que permite flexibilidad para diversas necesidades del dispositivo. Conductividad térmica: Estos sustratos presentan conductividades térmicas que oscilan entre 3,2 y 4,9 W/cm·K, lo cual es esencial para disipar el calor en ambientes de alta temperatura. Fuerza mecánica: Los sustratos presentan una dureza de Mohs de 9.2, proporcionando robustez y durabilidad para su uso en aplicaciones exigentes. Utilizaciones típicas: Utilizado comúnmente en electrónica de potencia, dispositivos de alta frecuencia y entornos que requieren resistencia a altas temperaturas y radiación. Los desafíosMientras6H-SiCy4H-SiCLos electrones son muy valorados, se encuentran con ciertas limitaciones en escenarios específicos de alta potencia, alta temperatura y alta frecuencia.y una banda más estrecha limitan su eficacia para aplicaciones de próxima generaciónEl mercado requiere cada vez más materiales con un rendimiento mejorado y menos defectos para garantizar una mayor eficiencia operativa. Innovación de nuevos productos: sustratos de SiC 4H/6H-P 3C-N Para superar las limitaciones de sus anteriores sustratos de SiC, ZMSH ha desarrollado el4H/6H-P 3C-N SiCEste nuevo producto aprovechacrecimiento epitaxialde películas de SiC 3C-N enSubstratos de politipo 4H/6H, proporcionando propiedades electrónicas y mecánicas mejoradas. Mejoras tecnológicas clave Politipo e integración de películasEl3C-SiCLas películas se cultivan epitaxialmente utilizandodeposición de vapor químico (CVD)En elSustratos de 4H/6H, lo que reduce significativamente el desajuste de la rejilla y la densidad de defectos, lo que mejora la integridad del material. Mejora de la movilidad electrónicaEl3C-SiCLa película ofrece una movilidad de electrones superior en comparación con laSustratos de 4H/6H, por lo que es ideal para aplicaciones de alta frecuencia. Mejora de la tensión de ruptura: Los ensayos indican que el nuevo sustrato ofrece un voltaje de descomposición significativamente más alto, por lo que es más adecuado para aplicaciones de alta intensidad energética. Reducción de defectos: Las técnicas de crecimiento optimizadas minimizan los defectos y dislocaciones del cristal, asegurando la estabilidad a largo plazo en entornos difíciles. Capacidades optoelectrónicas: La película 3C-SiC también presenta características optoelectrónicas únicas, particularmente útiles para detectores ultravioleta y varias otras aplicaciones optoelectrónicas. Ventajas del nuevo sustrato 4H/6H-P 3C-N SiC Mayor movilidad de electrones y resistencia a la descomposiciónEl3C-N SiCLa película garantiza una estabilidad y una eficiencia superiores en dispositivos de alta potencia y alta frecuencia, lo que resulta en una vida útil operativa más larga y un mayor rendimiento. Mejor conductividad térmica y estabilidad: Con una mayor capacidad de disipación de calor y estabilidad a temperaturas elevadas (más de 1000°C), el sustrato es adecuado para aplicaciones de alta temperatura. Aplicaciones optoelectrónicas ampliadas: Las propiedades optoelectrónicas del sustrato amplían su ámbito de aplicación, lo que lo hace ideal para sensores ultravioleta y otros dispositivos optoelectrónicos avanzados. Mejora de la durabilidad química: El nuevo sustrato presenta una mayor resistencia a la corrosión química y a la oxidación, lo cual es vital para su uso en ambientes industriales adversos. Áreas de aplicación El4H/6H-P 3C-N SiCEl sustrato es ideal para una amplia gama de aplicaciones de vanguardia debido a sus propiedades eléctricas, térmicas y optoelectrónicas avanzadas: Electrónica de potencia: Su tensión de ruptura superior y la gestión térmica lo convierten en el sustrato de elección para dispositivos de alta potencia como:MOSFETs,Los IGBT, yDiodos de Schottky. Dispositivos de radiofrecuencia y microondas: La alta movilidad de los electrones garantiza un rendimiento excepcional en alta frecuenciaRFydispositivos de microondas. Detectores de ultravioleta y optoelectrónica: Las propiedades optoelectrónicas de3C-SiChacerla especialmente adecuada paraDetección UVy varios sensores optoelectrónicos. Conclusión y recomendación del producto El ZMSH lanzó el4H/6H-P 3C-N SiCEste producto innovador, con su mejora de la movilidad de los electrones, reducción de la densidad de defectos,y mejorado voltaje de ruptura, está bien posicionada para satisfacer las crecientes demandas de los mercados de potencia, frecuencia y optoelectrónica.Su estabilidad a largo plazo en condiciones extremas también lo convierte en una opción muy confiable para una amplia gama de aplicaciones. La ZMSH alienta a sus clientes a adoptar la4H/6H-P 3C-N SiCEl substrato para aprovechar sus capacidades de rendimiento de vanguardia.Este producto no sólo cumple con los estrictos requisitos de los dispositivos de próxima generación, sino que también ayuda a los clientes a obtener una ventaja competitiva en un mercado en rápida evolución.   Recomendación del producto   4 pulgadas 3C tipo N SiC Substrato de carburo de silicio Substrato de espesor 350um Prime Grade Dummy Grade       - apoyar las personalizadas con diseño de ilustraciones   - un cristal cúbico (3C SiC), hecho de monocristal SiC   - Alta dureza, la dureza de Mohs alcanza 9.2, sólo superado por el diamante.   - excelente conductividad térmica, adecuada para ambientes de alta temperatura.   - características de banda ancha, adecuadas para dispositivos electrónicos de alta frecuencia y alta potencia.
¿Cómo se desarrolla el estrés en los materiales de cuarzo?
¿Cómo se desarrolla el estrés en los materiales de cuarzo?     1.Estrés térmico durante el enfriamiento (causa principal) El cristal de cuarzo desarrolla tensión interna cuando se expone a temperaturas no uniformes.El vidrio de cuarzo exhibe una estructura atómica específica que es más "adecuada" o estable bajo esas condiciones térmicasCuando el cristal de cuarzo experimenta un calentamiento o enfriamiento desigual, se produce una expansión diferencial.   El estrés generalmente surge cuando las regiones más calientes intentan expandirse pero están restringidas por las zonas más frías circundantes.tensión de compresiónSi la temperatura es lo suficientemente alta como para ablandar el cristal de cuarzo, la tensión puede aliviarse.si el proceso de enfriamiento es demasiado rápidoLa viscosidad del material aumenta demasiado rápidamente, y la estructura atómica no puede ajustarse a tiempo para acomodar la caída de temperatura.tensión de tracción, lo que es más probable que cause daños estructurales.   La tensión aumenta progresivamente a medida que la temperatura baja y puede alcanzar niveles altos después de que termina el enfriamiento.10^4,6 el equilibrio, la temperatura se refiere como elpunto de deformaciónEn esta etapa, la viscosidad es demasiado alta para que ocurra la relajación del estrés.     Es normal.Deformado>           2.Estrés por transición de fase y relajación estructural   Relajación estructural metastableEn el estado fundido, el cuarzo presenta una disposición atómica muy desordenada.debido a la alta viscosidad del estado vidrioso, el movimiento atómico está limitado, dejando la estructura en un estado deestado metastableEsto generaestrés relajante, que puede liberarse lentamente con el tiempo (como se ha observado en elenvejecimientoel fenómeno en los anteojos).   Tendencia a la cristalización microscópica: Si el cuarzo fundido se mantiene en rangos de temperatura específicos (por ejemplo, cerca de latemperatura de desvitrificación), puede producirse cristalización microscópica (por ejemplo, precipitación demicrocristales de cristobalitaEl desajuste de volumen entre las fases cristalina y amorfa puede inducirtensión de transición de fase.       3.Cargas externas y acciones mecánicas 1) Tensión inducida durante el mecanizado El procesamiento mecánico, como el corte, la molienda y el pulido, puede introducirdistorsión de la red superficial, lo que resulta enesfuerzo de mecanizadoPor ejemplo, el corte con una muela genera calor localizado y presión mecánica en el borde, lo que conduce a la concentración de tensión.Las técnicas inadecuadas durante la perforación o la ranura pueden crear muescas que actúan comositios de inicio de grietas.   2) Estrés de carga en los entornos de servicio Cuando se utiliza como material estructural, el cuarzo fundido puede tenercargas mecánicascomo la presión o la flexión, generandoesfuerzo macroscópicoPor ejemplo, los contenedores de cuarzo que contienen sustancias pesadas desarrollan tensiones de flexión.       4.Choque térmico y cambios repentinos de temperatura 1) Estrés instantáneo por calentamiento o enfriamiento rápidos Aunque el cuarzo fundido tiene un coeficiente de expansión térmica extremadamente bajo (~ 0,5 × 10 - 6 ° C),cambios rápidos de temperatura(por ejemplo, calentamiento desde la temperatura ambiente a altas temperaturas o inmersión en agua helada) puede dar lugar a una expansión o contracción térmica localizada, causandotensión térmica instantáneaLos vasos de vidrio de laboratorio hechos de cuarzo pueden fracturarse bajo tales choques térmicos. 2) Fluctuaciones cíclicas de la temperatura Bajoambientes térmicos cíclicos a largo plazo(por ejemplo, revestimientos de hornos o ventanas ópticas de alta temperatura), la expansión y contracción térmicas repetidas pueden acumularestrés por fatiga, acelerando el envejecimiento y el agrietamiento del material.           5.Efectos químicos y acoplamiento por estrés 1) Estrés por corrosión y disolución Cuando el cuarzo fundido entra en contacto conSoluciones alcalinas fuertes(por ejemplo, NaOH) ogases ácidos de alta temperatura(por ejemplo, HF), su superficie puede ser sometida acorrosión o disolución química, perturbando la uniformidad estructural y causandoestrés químicoEl ataque alcalino puede causar cambios en el volumen de la superficie o formarlas micro grietas. 2) Estrés inducido por ECV En eldeposición de vapor químico (CVD)Procesos, recubrimiento de cuarzo con materiales comoSecopuede introducirtensión interfacialEn el caso de la película, la tensión de refrigeración puede ser muy alta, debido a los desajustes en los coeficientes de expansión térmica o módulos elásticos entre la película y el sustrato.delaminado de películas o agrietamiento de sustratos.     6.Defectos internos e impurezas 1) Burbujas e impurezas incrustadas Durante la fusión, el residuoburbujas de gaso bienlas impurezasLa diferencia en las propiedades físicas (p. ej.,el coeficiente de expansión térmica o módulo) entre estas inclusiones y el vidrio circundante puede conducir aconcentración de estrés localizada, aumentando el riesgo deformación de grietas alrededor de las burbujasbajo carga. 2) Micro grietas y defectos estructurales Las impurezas de las materias primas o los defectos de fusión pueden provocarlas micro grietasCuando se exponen a cargas externas o a fluctuaciones de temperatura,concentración de tensión en las puntas de las grietaspuede intensificar, acelerarpropagación de grietasy, en última instancia, comprometiendo la integridad del material.   Nuestros productos - ¿ Qué?    

2025

07/02

Resumen completo de las cerámicas avanzadas utilizadas en equipos de semiconductores
Resumen completo de las cerámicas avanzadas utilizadas en equipos de semiconductores   Los componentes cerámicos de precisión son elementos esenciales en el equipo central para los procesos clave de fabricación de semiconductores, como la fotolitografía, el grabado, la deposición de película delgada, la implantación de iones y el CMP.Las demás piezas, incluidos los rodamientosLos conductores, los rieles de guía, los revestimientos de la cámara, los mandos electrostáticos y los brazos robóticos son especialmente críticos dentro de las cámaras de proceso, donde cumplen funciones como soporte, protección y control de flujo. Este artículo proporciona una visión general sistemática de cómo se aplican las cerámicas de precisión en los principales equipos de fabricación de semiconductores.       Procesos de vanguardia: Cerámica de precisión en equipos de fabricación de obleas 1Equipo de fotolitografía   Para garantizar una alta precisión del proceso en los sistemas de fotolitografía avanzados, una amplia gama de componentes cerámicos con una excelente multifuncionalidad, estabilidad estructural, resistencia térmica,y precisión dimensional se utilizanEstos incluyen chucks electrostáticos, chucks de vacío, bloques, bases magnéticas enfriadas con agua, reflectores, rieles de guía, etapas y soportes de máscaras.   Componentes cerámicos clave:Chock electrostático, etapa de movimiento   Materiales principales:Las partidas de las partidas de las partidas de las partidas de las partidas de las partidas de las partidas de las partidasAlumina (Al2O3), nitruro de silicio (Si3N4),Etapas de movimiento:Cerámica de cordierita, carburo de silicio (SiC)   Desafíos técnicos:Diseño de estructuras complejas, control de materias primas y sinterización, gestión de temperatura y mecanizado de ultra precisión. El sistema material de las etapas de movimiento de litografía es crucial para lograr una alta precisión y velocidad de escaneo.Los materiales deben tener una alta rigidez específica y una baja expansión térmica para soportar movimientos a alta velocidad con una distorsión mínima, mejorando así el rendimiento y manteniendo la precisión..       2Equipo de grabado   El grabado es fundamental para transferir patrones de circuito de la máscara a la oblea.anillos aislantes, placas de cubierta, anillos de enfoque y mandos electrostáticos. Componentes cerámicos clave:Dispositivo para el control de las emisiones de gases   Materiales cerámicos principales:Se trata de una mezcla de las siguientes sustancias:     Cámara de grabado: Con las geometrías de los dispositivos de contracción, se requieren controles de contaminación más estrictos.     Requisitos de materiales: Alta pureza, mínima contaminación por metales Químicamente inerte, especialmente para los gases de grabado a base de halógenos Alta densidad, porosidad mínima Grano fino, contenido límite de grano bajo Buena maquinabilidad mecánica Propiedades eléctricas o térmicas específicas, si es necesario   Placa de distribución de gas: Con cientos o miles de microagujeros perforados con precisión, estas placas distribuyen uniformemente los gases del proceso, lo que garantiza una deposición / grabado constante.   Los desafíos: Las exigencias para la uniformidad del diámetro del orificio y las paredes interiores libres de hendiduras son extremadamente altas. Incluso pequeñas desviaciones pueden causar variaciones en el grosor de la película y pérdida de rendimiento.   Materiales principales:CVD SiC, alumina, nitruro de silicio   Anillo de enfoque: Diseñado para equilibrar la uniformidad del plasma y igualar la conductividad de la oblea de silicio.El SiC ofrece una conductividad similar y una resistencia superior al plasma, lo que permite una vida más larga.   El material:Carburo de silicio (SiC) - ¿ Qué?       3Equipo de deposición de películas finas (CVD / PVD)     En los sistemas CVD y PVD, las partes cerámicas clave incluyen mandos electrostáticos, placas de distribución de gas, calentadores y revestimientos de cámara. Componentes cerámicos clave:Cambio electrostático, calentador de cerámica   Materiales principales: Las demás:Nitruro de aluminio (AlN), alumina (Al2O3)   Calentador de cerámica: Un componente crítico situado dentro de la cámara de proceso, en contacto directo con la oblea, que sostiene la oblea y asegura temperaturas de proceso uniformes y estables en toda su superficie. - ¿ Qué?   Procesos de back-end: Cerámica de precisión en equipos de envasado y ensayo       1. CMP (planarización química mecánica) Los equipos de CMP utilizan placas de pulido de cerámica, brazos de manejo, plataformas de alineación y mandos de vacío para una planarización de la superficie de alta precisión.   2Equipo para cortar y envasar obleas Componentes cerámicos clave: Cuchillas para cortar:Compuestos de diamantes-cerámica, velocidad de corte de ~ 300 mm/s, astillamiento de los bordes < 1 μm Los demás componentes de las máquinas de ensamblaje:Cerámica AlN con conductividad térmica de 220 W/m·K; uniformidad de temperatura ±2°C Los substratos del LTCC:Precisión de anchura de línea de hasta 10 μm; admite la transmisión de 5G mmWave Las herramientas de capillario cerámicas:Se utiliza en el enlace de alambre, generalmente hecho de Al2O3 o alumina endurecida con zirconio   3Estaciones de sonda. Componentes cerámicos clave: Substrato de interponedor:Óxido de berilio (BeO), nitruro de aluminio (AlN) Los dispositivos de ensayo de alta frecuencia:Cerámica AlN para un rendimiento RF estable     Nuestros productos  

2025

07/02

Puntos Clave en la Preparación de Cristales Únicos de Carburo de Silicio de Alta Calidad
Métodos de preparación de los cristales simples de SiC: enfoque en el método PVT   Los principales métodos de preparación de los cristales simples de carburo de silicio (SiC) incluyen el transporte físico de vapor (PVT), el crecimiento en solución de semillas superiores (TSSG),y deposición química de vapor a alta temperatura (HT-CVD).Entre ellos, elMétodo PVTes el más ampliamente adoptado en la producción industrial debido a su equipo simple, facilidad de control, costo de equipo relativamente bajo y gastos operativos.     Tecnologías clave en el crecimiento de cristales de SiC con PVT Diagrama esquemático de la estructura de crecimiento del PVT       Las consideraciones clave para el cultivo de cristales de SiC utilizando el método de transporte de vapor físico (PVT) incluyen:   Pureza de los materiales de grafito en el campo térmico El contenido de impurezas en las piezas de grafito debe ser inferior5x10-6, y el contenido de impurezas en el fieltro de aislamiento debe ser inferior10 por 10-6. Las concentraciones de boro (B) y aluminio (Al) deben ser inferiores a:0.1×10-6.   Selección correcta de la polaridad del cristal de semilla ElC (0001)la cara es adecuada para crecer4H-SiCLos cristales. ElSi (0001)la cara es adecuada para crecer6H-SiCLos cristales.   Uso de cristales de semillas fuera del eje Las semillas fuera del eje alteran la simetría de crecimiento y ayudan a reducir la formación de defectos en el cristal.   Proceso de unión de cristal de buena semilla Asegura la estabilidad mecánica y la uniformidad durante el proceso de crecimiento.   Interfaz de crecimiento estable durante el proceso El mantenimiento de una interfaz sólida/gas estable es crucial para la formación de cristales de alta calidad.     Tecnologías críticas para el crecimiento de los cristales de SiC   Tecnología de dopaje en polvo de SiC Dopaje con cerio (Ce)en el polvo fuente promueve el crecimiento estable de cristales de 4H-SiC monofásicos. Los beneficios incluyen una mayor tasa de crecimiento, un mejor control de orientación, una reducción de impurezas y defectos, y una mayor estabilidad de fase única y calidad cristalina. También ayuda a suprimir la erosión posterior y mejora la cristalinidad única.   Control de los gradientes térmicos axiales y radiales El gradiente térmico axial afecta la estabilidad del politipo y la eficiencia de crecimiento. Los bajos gradientes pueden dar lugar a politipos no deseados y reducir el transporte de materiales. Los gradientes axiales y radiales adecuados aseguran un crecimiento rápido y una calidad de cristal estable.   Control de la dislocación del plano basal Los BPD son causados por una tensión de cizallamiento superior a la tensión de cizallamiento crítica del SiC. Estos defectos se forman durante las etapas de crecimiento y enfriamiento debido a la activación del sistema de deslizamiento. Reducir el estrés interno minimiza la formación de TLP.   Control de la proporción de composición de la fase gaseosa A. Nomayor relación carbono/silícioen la fase gaseosa ayuda a suprimir la conversión de politipo. Reduce la agrupación de grandes pasos, mantiene la información de la superficie de crecimiento y mejora la estabilidad del politipo.   - ¿ Qué?   Control de crecimiento bajo estrés El estrés interno conduce a la flexión de la red, el agrietamiento de los cristales y el aumento de los BPD, lo que afecta negativamente la epitaxia y el rendimiento del dispositivo. Las estrategias clave para reducir el estrés incluyen:   Optimización de los parámetros del campo térmico y del procesopara acercarse al crecimiento de equilibrio.   Diseño nuevo de la estructura del crisolpara permitir la expansión libre del cristal.   Adaptación de los métodos de unión de semillas, por ejemplo, dejando unEspacio de 2 mmentre la semilla y el soporte de grafito para adaptarse a las diferencias de expansión térmica.   Control del recocido posterior al crecimiento, incluyendo el enfriamiento in situ del horno y parámetros de recocido optimizados para liberar la tensión residual.     Tendencias de desarrollo de la tecnología de crecimiento de cristales de SiC   En el futuro, el crecimiento de cristal único de SiC de alta calidad avanzará en las siguientes direcciones:   Tamaño de la oblea más grande El diámetro de la oblea de SiC ha crecido de unos pocos milímetros a6 pulgadas, 8 pulgadas, e incluso12 pulgadas. Las obleas más grandes mejoran la eficiencia de producción, reducen los costos y cumplen con los requisitos de los dispositivos de alta potencia.   Una calidad superior Si bien la calidad del cristal de SiC ha mejorado significativamente, aún persisten defectos como micropipes, dislocaciones e impurezas. La eliminación de estos defectos es fundamental para garantizar el rendimiento y la fiabilidad del dispositivo.   Costo más bajo El alto costo actual de los cristales de SiC limita su adopción generalizada. Se pueden lograr reducciones de costos mediante la optimización del proceso, una mayor eficiencia y materias primas más baratas.     Conclusión: El crecimiento de cristales simples de SiC de alta calidad es un área clave de la investigación de materiales semiconductores.que establece una base sólida para su aplicación en condiciones de alta temperatura, de alta frecuencia y electrónica de alta potencia.   Nuestros productos:  

2025

07/08