| Nombre De La Marca: | ZMSH |
| MOQ: | 1 |
| Tiempo De Entrega: | 2-4 SEMANAS |
| Condiciones De Pago: | T/T |
El horno de sinterización SiC está diseñado para la sinterización y carbonización a alta temperatura de obleas, semillas de SiC, papel de grafito y placas de grafito. Cuando se combina con la máquina de unión por pulverización totalmente automática SiC, garantiza productos unidos de SiC sin burbujas, prensados uniformemente y de alta precisión.
El horno permite ajustar la temperatura, la presión y el tiempo de sinterización, lo que garantiza una carbonización completa del adhesivo y una unión química estable. Es ideal para entornos de alta temperatura, alta resistencia y corrosivos, proporcionando un proceso de producción estable y de alto rendimiento (>90%) para la unión de semillas de SiC, la preparación de obleas de semiconductores y la unión de materiales de alta precisión.
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Sinterización y carbonización a alta temperatura
Las obleas unidas, las semillas de SiC, el papel de grafito y las placas de grafito se someten a un tratamiento controlado a alta temperatura.
Las capas adhesivas se carbonizan y curan por completo, formando una unión química estable.
Prensado uniforme
La presión ajustable asegura una unión uniforme en toda la interfaz, evitando deformaciones o vacíos locales.
Las funciones de asistencia por vacío y detección de burbujas logran sinterización sin burbujas.
Parámetros de proceso programables
La temperatura, la presión, los perfiles de subida/bajada y el tiempo de permanencia son totalmente programables.
Se adapta a las diferentes características de los materiales y a los requisitos del proceso, lo que garantiza una resistencia y fiabilidad de la unión constantes.
Control de temperatura de alta precisión: Temperatura uniforme del horno para obtener resultados de unión consistentes.
Sistema de presión ajustable: Asegura una compresión uniforme de la interfaz.
Asistencia por vacío: Elimina las burbujas de aire para una unión sin defectos.
Control de proceso programable: Ciclos automáticos de subida, permanencia y enfriamiento, con múltiples recetas almacenadas.
Diseño modular: Fácil mantenimiento y capacidad de expansión futura.
Características de seguridad: Protección contra sobretemperatura y sobrepresión, enclavamientos de funcionamiento.
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| Parámetro | Especificación | Notas |
|---|---|---|
| Tamaño de la cámara del horno | Personalizable según el tamaño de la oblea | Admite obleas individuales o múltiples |
| Rango de temperatura | 100–1600 °C (personalizable) | Adecuado para diferentes materiales de unión de SiC |
| Precisión de la temperatura | ±1 °C | Asegura una sinterización uniforme |
| Rango de presión | 0–5 MPa | Ajustable para un prensado uniforme |
| Velocidad de subida/bajada | 1–10 °C/min | Ajustable por proceso |
| Nivel de vacío | ≤10⁻² Pa | Elimina las burbujas de aire internas, mejora el rendimiento de la unión |
| Fuente de alimentación | 220V / 380V | Según los requisitos del cliente |
| Tiempo de ciclo | 30–180 min | Ajustable según el grosor del material y el proceso |
Unión de semillas de SiC: Sinterización y carbonización a alta temperatura para una unión fuerte y uniforme.
Preparación de obleas de semiconductores: Sinterización de obleas de SiC monocristalinas o multicristalinas.
Materiales resistentes a altas temperaturas y a la corrosión: Cerámicas de alto rendimiento y compuestos a base de grafito.
I+D y producción piloto: Sinterización de materiales de alta precisión y en pequeños lotes.
Alto rendimiento: Cuando se combina con la máquina de unión por pulverización automatizada, el rendimiento de la unión supera el 90%.
Alta estabilidad: La temperatura, la presión y el vacío ajustables garantizan resultados de sinterización consistentes.
Alta fiabilidad: Los componentes clave cumplen con los estándares internacionales para un funcionamiento estable a largo plazo.
Expandible: El diseño modular permite obleas múltiples o tamaños de obleas más grandes.
Funcionamiento fácil de usar: La interfaz programable automatiza todo el ciclo de sinterización.
P1: ¿Qué materiales puede procesar el horno de sinterización SiC?
A1: Obleas, semillas de SiC, papel de grafito, placas de grafito y otros materiales resistentes a altas temperaturas y a la corrosión.
P2: ¿Son ajustables la temperatura y la presión?
A2: Sí. La temperatura oscila entre 100–1600 °C y la presión entre 0–5 MPa. Ambos son totalmente ajustables según los requisitos del material y del proceso.
P3: ¿Cómo se asegura la sinterización sin burbujas?
A3: El horno integra evacuación asistida por vacío y prensado uniforme, garantizando una unión sin burbujas y completa.
P4: ¿Se pueden procesar varias obleas a la vez?
A4: Sí. La cámara se puede personalizar para obleas individuales o múltiples.
P5: ¿Cuál es el tiempo de ciclo de sinterización típico?
A5: Ajustable, generalmente 30–180 minutos, dependiendo del grosor del material y de la configuración del proceso.