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Detalles de los productos

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Equipo del semiconductor
Created with Pixso. Fuego de sinterizado de SiC ¥ Carbonización a altas temperaturas y solución de unión uniforme

Fuego de sinterizado de SiC ¥ Carbonización a altas temperaturas y solución de unión uniforme

Nombre De La Marca: ZMSH
MOQ: 1
Tiempo De Entrega: 2-4 SEMANAS
Condiciones De Pago: T/T
Información detallada
Lugar de origen:
Shangai, China
Tamaño de la cámara del horno:
Personalizable por tamaño de oblea
Rango de temperatura:
100–1600 °C (personalizable)
Precisión de temperatura:
±1 ºC
Rango de presión:
0–5 MPa
Tasa de aceleración/descenso:
1–10 ºC/min
Nivel de vacío:
≤10⁻² Pa
Descripción de producto

Horno de sinterización SiC – Carbonización a alta temperatura y solución de unión uniforme


Descripción general del producto


El horno de sinterización SiC está diseñado para la sinterización y carbonización a alta temperatura de obleas, semillas de SiC, papel de grafito y placas de grafito. Cuando se combina con la máquina de unión por pulverización totalmente automática SiC, garantiza productos unidos de SiC sin burbujas, prensados uniformemente y de alta precisión.

El horno permite ajustar la temperatura, la presión y el tiempo de sinterización, lo que garantiza una carbonización completa del adhesivo y una unión química estable. Es ideal para entornos de alta temperatura, alta resistencia y corrosivos, proporcionando un proceso de producción estable y de alto rendimiento (>90%) para la unión de semillas de SiC, la preparación de obleas de semiconductores y la unión de materiales de alta precisión.


Fuego de sinterizado de SiC ¥ Carbonización a altas temperaturas y solución de unión uniforme 0


Tecnología principal


  1. Sinterización y carbonización a alta temperatura

    • Las obleas unidas, las semillas de SiC, el papel de grafito y las placas de grafito se someten a un tratamiento controlado a alta temperatura.

    • Las capas adhesivas se carbonizan y curan por completo, formando una unión química estable.

  2. Prensado uniforme

    • La presión ajustable asegura una unión uniforme en toda la interfaz, evitando deformaciones o vacíos locales.

    • Las funciones de asistencia por vacío y detección de burbujas logran sinterización sin burbujas.

  3. Parámetros de proceso programables

    • La temperatura, la presión, los perfiles de subida/bajada y el tiempo de permanencia son totalmente programables.

    • Se adapta a las diferentes características de los materiales y a los requisitos del proceso, lo que garantiza una resistencia y fiabilidad de la unión constantes.


Características del sistema


  • Control de temperatura de alta precisión: Temperatura uniforme del horno para obtener resultados de unión consistentes.

  • Sistema de presión ajustable: Asegura una compresión uniforme de la interfaz.

  • Asistencia por vacío: Elimina las burbujas de aire para una unión sin defectos.

  • Control de proceso programable: Ciclos automáticos de subida, permanencia y enfriamiento, con múltiples recetas almacenadas.

  • Diseño modular: Fácil mantenimiento y capacidad de expansión futura.

  • Características de seguridad: Protección contra sobretemperatura y sobrepresión, enclavamientos de funcionamiento.

Fuego de sinterizado de SiC ¥ Carbonización a altas temperaturas y solución de unión uniforme 1


Especificaciones técnicas


Parámetro Especificación Notas
Tamaño de la cámara del horno Personalizable según el tamaño de la oblea Admite obleas individuales o múltiples
Rango de temperatura 100–1600 °C (personalizable) Adecuado para diferentes materiales de unión de SiC
Precisión de la temperatura ±1 °C Asegura una sinterización uniforme
Rango de presión 0–5 MPa Ajustable para un prensado uniforme
Velocidad de subida/bajada 1–10 °C/min Ajustable por proceso
Nivel de vacío ≤10⁻² Pa Elimina las burbujas de aire internas, mejora el rendimiento de la unión
Fuente de alimentación 220V / 380V Según los requisitos del cliente
Tiempo de ciclo 30–180 min Ajustable según el grosor del material y el proceso


Aplicaciones típicas


  • Unión de semillas de SiC: Sinterización y carbonización a alta temperatura para una unión fuerte y uniforme.

  • Preparación de obleas de semiconductores: Sinterización de obleas de SiC monocristalinas o multicristalinas.

  • Materiales resistentes a altas temperaturas y a la corrosión: Cerámicas de alto rendimiento y compuestos a base de grafito.

  • I+D y producción piloto: Sinterización de materiales de alta precisión y en pequeños lotes.


Ventajas clave


  • Alto rendimiento: Cuando se combina con la máquina de unión por pulverización automatizada, el rendimiento de la unión supera el 90%.

  • Alta estabilidad: La temperatura, la presión y el vacío ajustables garantizan resultados de sinterización consistentes.

  • Alta fiabilidad: Los componentes clave cumplen con los estándares internacionales para un funcionamiento estable a largo plazo.

  • Expandible: El diseño modular permite obleas múltiples o tamaños de obleas más grandes.

  • Funcionamiento fácil de usar: La interfaz programable automatiza todo el ciclo de sinterización.


Preguntas frecuentes – Preguntas más frecuentes


P1: ¿Qué materiales puede procesar el horno de sinterización SiC?
A1: Obleas, semillas de SiC, papel de grafito, placas de grafito y otros materiales resistentes a altas temperaturas y a la corrosión.


P2: ¿Son ajustables la temperatura y la presión?
A2: Sí. La temperatura oscila entre 100–1600 °C y la presión entre 0–5 MPa. Ambos son totalmente ajustables según los requisitos del material y del proceso.


P3: ¿Cómo se asegura la sinterización sin burbujas?
A3: El horno integra evacuación asistida por vacío y prensado uniforme, garantizando una unión sin burbujas y completa.


P4: ¿Se pueden procesar varias obleas a la vez?
A4: Sí. La cámara se puede personalizar para obleas individuales o múltiples.


P5: ¿Cuál es el tiempo de ciclo de sinterización típico?
A5: Ajustable, generalmente 30–180 minutos, dependiendo del grosor del material y de la configuración del proceso.