Substrato de zafiro cuadrado ultragran 310 × 310 × 1 mm para aplicaciones de semiconductores y aeroespaciales

Substrato de zafiro cuadrado ultragran 310 × 310 × 1 mm para aplicaciones de semiconductores y aeroespaciales

Resumen del producto

El sustrato de zafiro cuadrado de 310 × 310 × 1 mm representa el límite superior del crecimiento actual de cristales sintéticos de zafiro y la tecnología de mecanizado de precisión de gran área.99% de óxido de aluminio monocristalino de alta pureza (Al2O3), esta placa de zafiro ofrece una excepcional planitud, estabilidad térmica, resistencia química y resistencia mecánica a través de una superficie expansiva.

A diferencia de las obleas de zafiro redondas estándar diseñadas para la producción directa de semiconductores, este producto está diseñado principalmente como un sustrato portador, placa base o panel de zafiro de gran área.Se utiliza ampliamente en el procesamiento epitaxial de GaN, ambientes de semiconductores de alta temperatura, sistemas ópticos avanzados y aplicaciones aeroespaciales donde la estabilidad dimensional y la durabilidad son críticas.

Principales aplicaciones

• Placas portadoras de obleas de semiconductores

  • Epitaxia de GaN sobre zafiro (MOCVD)

  • Manejo de procesos a altas temperaturas

• Ventanas ópticas de gran superficie y miradores

• Ventanas de observación aeroespacial y al vacío

• Placas de base para sistemas láser

• Sustratos de unión de precisión

• Plataformas de zafiro para la industria y la investigación

Especificaciones técnicas

Ventajas clave

Capacidad de formato ultragran

Mantiene una excelente planitud y uniformidad del espesor a escala de 310 mm, lo que permite un rendimiento confiable en aplicaciones de gran superficie.

Durabilidad mecánica excepcional

Con una dureza de Mohs de 9, la superficie de zafiro resiste los arañazos y el desgaste durante el manejo y el procesamiento de alta carga.

Estabilidad térmica superior

Diseñados para soportar ciclos repetidos de alta temperatura que se encuentran comúnmente en MOCVD y otros procesos de crecimiento epitaxial.

Calidad de la superficie óptica

El pulido de doble cara logra una rugosidad de superficie inferior al nanómetro, lo que hace que la placa sea ideal para ventanas ópticas y aplicaciones de unión de alta resistencia.

Resistencia química excepcional

Ofrece una durabilidad significativamente mayor que el cuarzo fundido o el vidrio en entornos de proceso corrosivos y ásperos.

Fabricación y control de calidad

• Crecimiento de bolas de zafiro a gran escala

• El corte de precisión y el procesamiento para aliviar las tensiones

• Polido de doble cara (DSP)

• Inspección interferométrica de plano de toda la superficie

• Inspección visual y dimensional del 100% antes del envío

Preguntas frecuentes

P1: ¿Este producto es una oblea de zafiro estándar?
No, este producto está clasificado como un sustrato de zafiro o placa portadora de gran tamaño, no como una oblea semiconductora estándar.

P2: ¿Puede fabricar tamaños mayores de 310 mm?
Nuestra capacidad actual para sustratos de zafiro cuadrado oscila entre 250 mm y 310 mm por lado, dependiendo de la orientación y el grosor.

P3: ¿Es adecuado para el crecimiento epitaxial de GaN?
Este sustrato de zafiro se utiliza ampliamente como placa portadora para procesos epitaxiales de GaN sobre zafiro, especialmente en sistemas MOCVD de alto rendimiento.

P4: ¿Cómo se garantiza la planitud en una superficie tan grande?
Utilizamos equipos de pulido de doble cara de gran formato y verificamos cada placa con interferometría láser para garantizar la planitud λ/10 a 633 nm.

P5: ¿Cómo se empaqueta el sustrato para su envío?
Cada placa está envasada en un paquete al vacío de alta limpieza y absorción de golpes diseñado para evitar daños durante el transporte internacional.