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High-Purity Sapphire Wafer for LED, Semiconductor, Laser, and Optical Devices

Nombre De La Marca:	ZMSH
Número De Modelo:	2 a 12 pulgadas todos disponibles
MOQ:	5
Precio:	by case
Tiempo De Entrega:	2-4 semanas
Condiciones De Pago:	T/T

Información detallada

Descripción de producto

Información detallada

Lugar de origen:

Porcelana

Lugar de origen:

Porcelana

Material:

99,999% Al2O3

Industria:

Vidrio llevado, óptico, oblea eli-lista

Solicitud:

Oblea de Semicondutor, microprocesador llevado, ventana de cristal óptica, cerámica electrónica

Color:

blanco o rojo o azul

transmisividad de la luz de la visión:

el 85%

advantagement:

altos hardness9.0, llevan resistencia

tipo:

Solo cristal

Detalles de empaquetado:

los envases Vacío-sellados con nitrógeno rellenan en un ambiente de la clase 100

Descripción de producto

Product Description

Our sapphire wafers are made of single crystal aluminum oxide (Al₂O₃) with a hexagonal lattice structure, commonly available in C-plane, A-plane, and R-plane orientations. With broad optical transparency from near-ultraviolet (190 nm) to mid-infrared, these wafers are ideal for optical components, infrared devices, high-strength laser windows, and mask materials. Sapphire’s high hardness, thermal stability, corrosion resistance, high melting point (2045°C), and excellent transparency make it a reliable material for demanding applications, though it requires precision processing.

For LED manufacturing, sapphire wafers are essential for high-quality GaN epitaxial growth, as their surface processing directly affects the brightness and uniformity of white, blue, and green LEDs. The minimal lattice mismatch between sapphire C-plane substrates and III-V/II-VI thin films ensures excellent alignment with high-temperature epitaxy processes, making sapphire wafers indispensable for advanced optoelectronic devices.

High-Purity Sapphire Wafer for LED, Semiconductor, Laser, and Optical Devices 0

Etiquetas:

Oblea de carburo de silicio de 4 pulgadas tipo N con múltiples opciones de grosor para trenes de potencia de vehículos eléctricos y unidades de motor de alta densidad

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Anillo de SiC CVD de alta pureza para grabado por plasma de semiconductores con 370 mm de diámetro y conductividad térmica de 120 a 200 W/m·K

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