Detalles del producto
Lugar de origen: China.
Nombre de la marca: ZMSH
Número de modelo: 4H-N SiC
Condiciones de pago y envío
Tiempo de entrega: Entre 2 y 4 semanas
Condiciones de pago: T/T
El material: |
Monocristales de SiC |
El tipo: |
4h-n |
tamaño: |
4 pulgadas |
El grosor: |
350 mm |
Grado: |
Grado P o Grado D |
Personalización: |
Apoyados |
El material: |
Monocristales de SiC |
El tipo: |
4h-n |
tamaño: |
4 pulgadas |
El grosor: |
350 mm |
Grado: |
Grado P o Grado D |
Personalización: |
Apoyados |
4H-N Substrato de carburo de silicio SiC de 2 pulgadas 3 pulgadas 4 pulgadas 6 pulgadas 8 pulgadas de grado primario de grado falso
4H-N Substrato de carburo de silicio SiC de 2 pulgadas 3 pulgadas 4 pulgadas 6 pulgadas 8 pulgadas de grado primario de grado falso
La oblea de carburo de silicio 4H-N de 4 pulgadas (SiC) es un material semiconductor con una estructura cristalina de politipo 4H.
Es típicamente orientado como (0001) Si-face o (000-1) C-face.
Estas obleas son de tipo N, dopadas con nitrógeno, y tienen un grosor de aproximadamente 350 μm.
La resistividad de estas obleas generalmente cae entre 0,015 y 0,025 ohm·cm, y a menudo presentan una superficie pulida en uno o ambos lados.
Las obleas de carburo de silicio son conocidas por su excelente conductividad térmica.
Y también por una amplia banda de 3,23 eV, alto campo eléctrico de descomposición, y la movilidad significativa de electrones.
Exhiben una alta dureza, lo que los hace resistentes al desgaste y al choque térmico, y tienen una excepcional estabilidad química y térmica.
Estas propiedades hacen que las obleas de SiC sean adecuadas para aplicaciones en ambientes hostiles, incluidos dispositivos electrónicos de alta potencia, alta temperatura y alta frecuencia.
Nombre del producto: Substrato de carburo de silicio (SiC)
Estructura hexagonal: Propiedades electrónicas únicas.
Amplia banda: 3,23 eV, lo que permite el funcionamiento a altas temperaturas y la resistencia a la radiación
Alta conductividad térmica: facilita una disipación de calor eficiente
Campo eléctrico de alta ruptura: permite un funcionamiento de mayor voltaje con una reducción de las fugas
Alta movilidad de electrones: mejora el rendimiento de los dispositivos de RF y de energía
Baja densidad de dislocación: mejora la calidad del material y la fiabilidad del dispositivo
Alta dureza: ofrece resistencia al desgaste y al esfuerzo mecánico
Excelente estabilidad química: Resiste la corrosión y la oxidación
Alta resistencia al choque térmico: mantiene la integridad bajo cambios rápidos de temperatura
| Diámetro | 4 pulgadas (100 mm) |
| Orientación | Fuera del eje: 4,0° hacia < 1120 > ± 0,5° para 4H-N |
| El grosor | 350 mm±20 mm |
| Resistencia | 0.015-0.028 Q-cm |
| Densidad de los microtubos | P: < 2 cm^-2; D: < 15 cm^-2 |
| Finalización de la superficie | DSP o SSP |
| Concentración del portador | 1 x 10^18 cm^-3 ~ 1 x 10^19 cm^-3 |
| La rugosidad de la superficie | Polish Ra ≤ 1 nm |
Los sustratos de SiC (carburo de silicio) se utilizan en varias aplicaciones de alto rendimiento debido a sus propiedades únicas como alta conductividad térmica, alta resistencia al campo eléctrico y amplio intervalo de banda.Aquí hay algunas aplicaciones:
1. Energía electrónica
MOSFET: Para una conversión de energía eficiente, capaz de manejar altos voltajes y corrientes.
Diodos de Schottky: Se utilizan en rectificadores de potencia y aplicaciones de conmutación, ofreciendo baja caída de voltaje hacia adelante y conmutación rápida.
JFETs: Ideal para conmutación y amplificación de energía de alto voltaje.
2. Dispositivos de RF
Amplificadores de RF: mejora el rendimiento en las telecomunicaciones, especialmente en los rangos de alta frecuencia.
MMICs (Monolithic Microwave Integrated Circuits): Se utilizan en sistemas de radar, comunicaciones por satélite y otras aplicaciones de alta frecuencia.
3. Substratos de LED
LED de alto brillo: sus excelentes propiedades térmicas lo hacen adecuado para aplicaciones de iluminación y visualización de alta intensidad.
Podemos personalizar el tamaño del sustrato de SiC para satisfacer sus requisitos específicos.
También ofrecemos una oblea 4H-Semi HPSI SiC con un tamaño de 10x10 mm o 5x5 mm y tipo 6H-N,6H-Semi.
El precio está determinado por el caso, y los detalles del embalaje se pueden personalizar a su preferencia.
El tiempo de entrega es de 2-4 semanas. Aceptamos el pago a través de T/T.
Este es el de personalización.
Nuestro producto de sustrato de SiC viene con soporte técnico y servicios integrales para garantizar un rendimiento óptimo y la satisfacción del cliente.
Nuestro equipo de expertos está disponible para ayudar con la selección del producto, la instalación y la solución de problemas.
Ofrecemos formación y educación sobre el uso y mantenimiento de nuestros productos para ayudar a nuestros clientes a maximizar su inversión.
Además, proporcionamos actualizaciones y mejoras continuas de productos para garantizar que nuestros clientes siempre tengan acceso a la última tecnología.
Nos enorgullece ofrecer las obleas SiC de 8 pulgadas, las más grandes disponibles, con precios competitivos y excelente calidad.lo que los convierte en la opción ideal para aplicaciones de semiconductores de alto rendimiento¡Sigan adelante con nuestra tecnología de vanguardia!
4H-N Substrato de semiconductores de 8 pulgadas SIC Wafer de carburo de silicio para energía solar fotovoltaica
(Clic en la imagen para más información)
En segundo lugar
Nuestra amplia gama de obleas de SiC incluye 4H-N, 6H-N, 4H-SEMI, HPSI, 4H-P y 6H-P, para satisfacer diversas necesidades industriales.Estas obleas de alta calidad ofrecen un excelente rendimiento para la electrónica de potencia y aplicaciones de alta frecuencia, proporcionando flexibilidad y
la fiabilidad de las tecnologías de vanguardia.
Tipo 14H-N
4H-N 4 pulgadas de Nitruro de silicio SiC Substrato de calidad SiC para dispositivos de alta potencia
(Clic en la imagen para más información)
Tipo 26H-N
2 pulgadas de Sic Substrato 6H-N Tipo de espesor 350um 650um Wafer de SiC
(Clic en la imagen para más información)
Tipo 34H-SEMI
4" 4H-Semi alta pureza SIC Wafers Semiconductor de primer grado EPI sustratos
(Clic en la imagen para más información)
Tipo 4HPSI
10x10x0,5 mm HPSI 1sp 2sp 4H-SEMI SIC Substrato de obleas de carburo de silicio
(Clic en la imagen para más información)
Tipo 54H-P 6H-P
Wafer de carburo de silicio 6H tipo P y 4H tipo P MPD de producción cero de calibre falso Dia 4 pulgadas 6 pulgadas
(Clic en la imagen para más información)
