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Sic Substrato de carburo de silicio tipo 6H-P en el eje 0° Dureza de Mohs 9.2 para dispositivo láser
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2 pulgadas 4 pulgadas 6 pulgadas Sic Substrato de carburo de silicio 6H Tipo de alta P-dopaje Fuera del eje 4,0° hacia el grado primario grado falso
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Wafer de carburo de silicio Sic 6H-P Tipo fuera del eje 2.0° hacia la producción grado grado de investigación
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6H-P Substrato SiC de carburo de silicio 6 pulgadas SIC Wafer 4H-P para dispositivos optoelectrónicos
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Substrato de carburo de silicio de 6 pulgadas Sic Tipo 6H-P para sistemas de comunicaciones y radares Diámetro 150 mm Prime Grade
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2 pulgadas / 4 pulgadas / 6 pulgadas / 5,0 * 5,0 mm / 10,0 * 10,0 mm Sic Substrato de carburo de silicio Tipo 3C-N En el eje: < 111 > ± 0,5 ° Grado de producción Grado de simulacro
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CVD SiC Epitaxy Wafer de 2 pulgadas 3 pulgadas 4 pulgadas 6 pulgadas de espesor epitaxy 2,5-120 um para energía electrónica
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4H-N carburo de silicio SiC sustrato 2 pulgadas 3 pulgadas 4 pulgadas 6 pulgadas 8 pulgadas 12 pulgadas Prime Grade Dummy Grade
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2 pulgadas 6H - semi bajo consumo de energía de la oblea del carburo de silicio para el detector
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Wafer Sic de carburo de silicio
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Sustratos de SiC de grado industrial 6H para electrónica de alta temperatura, UV y de precisión
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10 milímetros X 10 milímetros de tipo semiaislante sic grado sic Crystal Substrate de 6H de la investigación del substrato