Detalles del producto
Lugar de origen: China.
Nombre de la marca: ZMSH
Número de modelo: Sustrato de SiC
Condiciones de pago y envío
Tiempo de entrega: Entre 4 y 6 semanas
Condiciones de pago: T/T
El material: |
monocristal de SiC |
El tipo: |
4H-P / 6H-P |
Tamaño: |
4 pulgadas |
Grado: |
Primero/Dummy |
personalizado: |
Apoyados |
Color: |
Negro |
El material: |
monocristal de SiC |
El tipo: |
4H-P / 6H-P |
Tamaño: |
4 pulgadas |
Grado: |
Primero/Dummy |
personalizado: |
Apoyados |
Color: |
Negro |
- apoyar las personalizadas con diseño de ilustraciones
- un cristal hexagonal (4H SiC), hecho de monocristal SiC
- alta dureza, la dureza de Mohs alcanza 9.2, sólo superado por el diamante.
- excelente conductividad térmica, adecuada para ambientes de alta temperatura.
- características de banda ancha, adecuadas para dispositivos electrónicos de alta frecuencia y alta potencia.
6H-P SiC (carburo de silicio policristalino hexagonal) es un material semiconductor importante, que se utiliza ampliamente en alta temperatura,dispositivos electrónicos de alta frecuencia y alta potencia debido a su excelente estabilidad térmica y propiedades eléctricasSu estructura cristalina hexagonal única permite que el 6H-P SiC mantenga una buena conductividad y resistencia mecánica en condiciones extremas.una tensión de ruptura alta y una excelente conductividad térmica,, por lo que muestra un gran potencial de aplicación en dispositivos electrónicos de potencia, células solares y LED.
En comparación con el SiC de tipo N, el SiC 6H-P tiene diferencias obvias en el tipo de dopaje y el mecanismo de conductividad.El SiC de tipo N aumenta su conductividad añadiendo donantes de electrones (como nitrógeno o fósforo) para aumentar la concentración del portadorPor el contrario, el tipo de portador y la concentración de 6H-P SiC dependen de la selección y distribución de sus elementos dopantes.que hace que funcione bien en aplicaciones de alta frecuencia, mientras que el 6H-P SiC puede mantener la estabilidad en ambientes de alta temperatura y alta potencia debido a sus características estructurales,que lo hace adecuado para aplicaciones tales como electrónica de potencia y sensores de alta temperatura.
El proceso de producción de 6H-P SiC es relativamente maduro, y se prepara principalmente por deposición química de vapor (CVD) y crecimiento de fusión.Debido a su excelente resistencia mecánica y resistencia a la corrosiónEl 6H-P SiC se considera una opción ideal para reemplazar los materiales tradicionales de silicio, especialmente para aplicaciones en ambientes hostiles.
Con la creciente demanda de dispositivos de alta eficiencia, la investigación y el desarrollo de 6H-P SiC avanza constantemente, y se espera que desempeñe un papel más importante en los vehículos de nueva energía, las redes inteligentes,En la actualidad, la tecnología de la radiofrecuencia es una de las más importantes herramientas de radiofrecuencia en el mundo.
Detalles del sustrato SiC de tipo P
|
Propiedad |
Tipo P 4H-SiC, cristal único | Tipo P 6H-SiC, cristal único |
| Parámetros de la red | a=3,082 Å c=10,092 Å |
a=3,09 Å C=15,084 Å |
| Secuencia de apilamiento | El ABCB | Acceso a las oficinas |
| Dureza de Mohs | ≈9.2 | ≈9.2 |
| Densidad | 3.23 g/cm3 | 3.0 g/cm3 |
| Coeficiente de expansión térmica | 4.3×10-6/K (Caxis) 4.7×10-6/K (Caxis) | 4.3×10-6/K (Caxis) 4.7×10-6/K (Caxis) |
| Indice de refracción @750nm | no = 2,621 ne = 2.671 | no=2.612 y ne=2.651 |
| Constante dieléctrico | C ~ 9.66 | C ~ 9.66 |
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Conductividad térmica |
3 a 5 W/cm·K@298K |
3 a 5 W/cm·K@298K |
| La banda-brecha | 3.26 eV | 3.02 eV |
| Campo eléctrico de ruptura | 2-5×106V/cm | 2-5×106V/cm |
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Velocidad de deriva de saturación |
2.0 × 105 m/s | 2.0 × 105 m/s |
Muestras de sustrato SiC de tipo P
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Preguntas frecuentes
1P: Comparado con el N-Type, ¿qué tal el P-Type?
R: Los sustratos P-Tipo 4H-SiC, dotados con elementos trivalentes como el aluminio, tienen agujeros como los principales portadores, proporcionando una buena conductividad y estabilidad a altas temperaturas.Substratos del tipo N, dopados con elementos pentavalentes como el fósforo, tienen electrones como portadores mayoritarios, lo que generalmente resulta en una mayor movilidad de electrones y una menor resistividad.
2P: ¿Cuáles son las perspectivas del mercado para el SiC tipo P?
R: Las perspectivas del mercado para el SiC tipo P son muy positivas, impulsadas por la creciente demanda de electrónica de alta potencia en vehículos eléctricos, sistemas de energía renovable,y aplicaciones industriales avanzadas.
