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Substrato de SiC 4H-N de espesor 350um utilizado en material semiconductor de optoelectrónica
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Substrato de vidrio de chip microfluídico oblea ópticamente transparente procesamiento de alta precisión de personalización BF33 JGS1 JGS2 Zafiro Cuarzo Corning Glass
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Método Polytype Diamond Substrate Wafers For GaN Epitaxial de MPCVD
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El maniquí del substrato del nitruro de silicio de 4 pulgadas 4H-N sic califica sic el substrato para los dispositivos de poder más elevado
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tipo del grado N de la producción del substrato del carburo de silicio de la oblea de 8inch DSP 4H sic para el experimento
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N-tipo 6H o 4H de las obleas del carburo de silicio 2Inch o sic substratos semiaislantes
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Oblea del carburo de silicio de SIC del substrato del semiconductor de 4H-N 8inch para fotovoltaico solar
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resistencia 0.015-0.028ohm del substrato de 10x10m m 5x5m m sic. El cm o >1E7ohm.Cm sic salta
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de 3inch 4inch 2inch 0.35m m DSP de silicio 4h-N del carburo obleas superficiales sic
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Modificado para requisitos particulares GaN-en-GaN sic el diámetro 100m m de Sapphire Substrate Epitaxial Wafer 4inch del silicio
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2 pulgadas tipo N 6H politipo de carburo de silicio sustrato optoelectrónica crecimiento de nitruro de galio
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2" 3" 4" 6" primeros de 4h-Semi 4 H-N Insulating Sic del substrato de silicio del carburo oblea sic