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Buen precio Línea de pulido de obleas de silicio y SiC de 6–8 pulgadas con cabezales cuádruples y montaje de circuito cerrado en línea
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Método Polytype Diamond Substrate Wafers For GaN Epitaxial de MPCVD

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El maniquí del substrato del nitruro de silicio de 4 pulgadas 4H-N sic califica sic el substrato para los dispositivos de poder más elevado

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tipo del grado N de la producción del substrato del carburo de silicio de la oblea de 8inch DSP 4H sic para el experimento

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N-tipo 6H o 4H de las obleas del carburo de silicio 2Inch o sic substratos semiaislantes

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Oblea del carburo de silicio de SIC del substrato del semiconductor de 4H-N 8inch para fotovoltaico solar

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resistencia 0.015-0.028ohm del substrato de 10x10m m 5x5m m sic. El cm o >1E7ohm.Cm sic salta

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de 3inch 4inch 2inch 0.35m m DSP de silicio 4h-N del carburo obleas superficiales sic

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Modificado para requisitos particulares GaN-en-GaN sic el diámetro 100m m de Sapphire Substrate Epitaxial Wafer 4inch del silicio

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Wafer de 4 pulgadas de Si Dia 100mm espesor 350um Orientación <100> DSP SSP Wafer de silicio personalizado tipo N tipo P

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Oferta de silicio personalizada de 4 pulgadas (100 mm): espesor de 350 μm, orientación <100>, DSP/SSP, dopaje tipo N/P

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