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Oblea del arseniuro de galio de 4 pulgadas, substrato del Gaas para las aleaciones de baja temperatura
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Oblea del arseniuro de galio de 4 pulgadas, substrato del Gaas para las aleaciones de baja temperatura

Lugar de origen China
Nombre de la marca zmsh
Certificación no
Número de modelo GaAs-4inch
Detalles del producto
Materiales:
Substratos del solo cristal del GaAs
industria:
oblea del semicondutor
Aplicación:
substrato del semiconductor, microprocesador llevado, ventana de cristal óptica, substratos del disp
Método:
VFG
Tamaño:
campo común 2-6inch
Alta luz: 

oblea del arseniuro del indio

,

substrato laalo3

Descripción de producto

substratos de 4inch GaAs, oblea del GaAs para llevado, obleas cristalinas del arseniuro de galio, oblea del GaAs del dopante de Si/Zn

(Compuesto de A de los elementos galio y arsénico. Es un semiconductor directo del bandgap de III-V con una estructura cristalina de la blenda de cinc)

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Sobre cristal del GaAs

Nombre de producto: Substrato del cristal de (GaAs) del arseniuro de galio
Parámetros técnicos:
Monocristalino Arseniuro de galio (GaAs)
Doping Ninguno; Si; Cr; Te; Zn
Tipo de la conductividad SI; N; Si; N; P
Concentración de portador del cm -3 /> 5x10 17/~ 2x10 18> 5x10 18
Densidad de dislocación del cm -2 <5x10 5="">
Método del crecimiento y el tamaño máximo LEC Y HB Ø3 “
Especificaciones:

Orientación general: <100>: <110>: <111>:

Tamaño estándar: Ø3 “x 0.5m m; Ø2” x 0.5m m; Ø4 “x 0.5m m;

Nota: según los requisitos y el tamaño de clientes de la dirección correspondiente.

 

Uso:

1. Utilizado principalmente en electrónica, aleaciones de baja temperatura, arseniuro de galio.

 

2. El compuesto químico primario del galio en electrónica, se utiliza en circuitos de la microonda, circuitos de alta velocidad de la transferencia, y circuitos infrarrojos.

 

3. El nitruro del galio y el nitruro del galio del indio, porque las aplicaciones del semiconductor, producen los diodos electroluminosos azules y violetas (LEDs) y los lasers del diodo.

Oblea del arseniuro de galio de 4 pulgadas, substrato del Gaas para las aleaciones de baja temperatura 0

 

Especificación

 

Obleas del GaAs para los usos del LED

 

Artículo Especificaciones Observaciones
Tipo de la conducción SC/n-type SC/p-type con la droga del Zn disponible
Método del crecimiento VGF  
Dopante Silicio Zn disponible
Oblea Diamter 2, 3 y 4 pulgadas Lingote o como-corte disponible
Orientación cristalina (100) 20/60/150 de (110) El otro misorientation disponible
DE EJ o los E.E.U.U.  
Concentración de portador (0.4~2.5) E18/cm3  
Resistencia en el RT (1.5~9) E-3 Ohm.cm  
Movilidad 1500~3000cm2/V.sec  
Densidad del hoyo de grabado de pistas <5000>2  
Marca del laser a petición  
Final superficial P/E o P/P  
Grueso 220~450um  
Epitaxia lista  
Paquete Solo envase o casete de la oblea

 

Obleas del arseniuro de galio (GaAs) para los usos del LD

 

Artículo Especificaciones Observaciones
Tipo de la conducción SC/n-type  
Método del crecimiento VGF  
Dopante Silicio  
Oblea Diamter 2, 3 y 4 pulgadas Lingote o como-corte disponible
Orientación cristalina (100) 20/60/150 de (110) El otro misorientation disponible
DE EJ o los E.E.U.U.  
Concentración de portador (0.4~2.5) E18/cm3  
Resistencia en el RT (1.5~9) E-3 Ohm.cm  
Movilidad 1500~3000 cm2s/V.sec  
Densidad del hoyo de grabado de pistas <500>2  
Marca del laser a petición  
Final superficial P/E o P/P  
Grueso 220~350um  
Epitaxia lista  
Paquete Solo envase o casete de la oblea

 

Obleas del arseniuro de galio (GaAs), semiaislantes para los usos de la microelectrónica

 

Artículo Especificaciones Observaciones
Tipo de la conducción Aislamiento  
Método del crecimiento VGF  
Dopante Sin impurificar  
Oblea Diamter 2, 3 y 4 pulgadas Lingote disponible
Orientación cristalina (100) +/- 0,50  
DE EJ, los E.E.U.U. o muesca  
Concentración de portador n/a  
Resistencia en el RT >1E7 Ohm.cm  
Movilidad >5000 cm2s/V.sec  
Densidad del hoyo de grabado de pistas <8000>2  
Marca del laser a petición  
Final superficial P/P  
Grueso 350~675um  
Epitaxia lista  
Paquete Solo envase o casete de la oblea

 

Oblea del arseniuro de galio de 4 pulgadas, substrato del Gaas para las aleaciones de baja temperatura 1

 

FAQ –
Q: ¿Qué usted puede suministrar logística y coste?
(1) aceptamos DHL, Fedex, TNT, UPS, el ccsme, SF y el etc.
(2) si usted tiene su propio número expreso, es grande.
Si no, podríamos ayudarle para entregar. Freight=USD25.0 (el primer peso) + USD12.0/kg

Q: ¿Cuál es plazo de expedición?
(1) para los productos estándar tales como lente de la bola, lente de powell y lente del colimador:
Para el inventario: la entrega es 5 días laborables después de orden.
Para los productos modificados para requisitos particulares: la entrega es 2 o 3 workweeks después de orden.
(2) para los productos apagado-estándar, la entrega es 2 o 6 workweeks después de que usted ponga la orden.

Q: ¿Cómo pagar?
T/T, Paypal, unión del oeste, MoneyGram, garantía segura del pago y del comercio en Alibaba y etc….

Q: ¿Cuál es el MOQ?
(1) para el inventario, el MOQ es 5pcs.
(2) para los productos modificados para requisitos particulares, el MOQ es 5pcs-20pcs.
Depende de cantidad y de técnicas

Q: ¿Usted tiene informe de inspección para el material?
Podemos suministrar el informe de detalle para nuestros productos.
 

Empaquetado – Logistcs
Worldhawk se refiere a cada uno los detalles del paquete, limpieza, tratamiento antiestático, por electrochoque. ¡Según la cantidad y la forma del producto, tomaremos un diverso proceso de empaquetado!

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Rm5-616, No.851, avenida de Dianshanhu, área de Qingpu, ciudad de Shangai, CHINA
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