Detalles del producto
Lugar de origen: China
Nombre de la marca: zmsh
Certificación: no
Número de modelo: GaAs-4inch
Condiciones de pago y envío
Cantidad de orden mínima: 5pcs
Precio: by case
Detalles de empaquetado: casstle 25pcs en sitio de limpieza de 100 grados
Tiempo de entrega: 1-4weeks
Capacidad de la fuente: 1000pcs/month
Materiales: |
Substratos del solo cristal del GaAs |
industria: |
oblea del semicondutor |
Aplicación: |
substrato del semiconductor, microprocesador llevado, ventana de cristal óptica, substratos del disp |
Método: |
VFG |
Tamaño: |
campo común 2-6inch |
Materiales: |
Substratos del solo cristal del GaAs |
industria: |
oblea del semicondutor |
Aplicación: |
substrato del semiconductor, microprocesador llevado, ventana de cristal óptica, substratos del disp |
Método: |
VFG |
Tamaño: |
campo común 2-6inch |
substratos de 4inch GaAs, oblea del GaAs para llevado, obleas cristalinas del arseniuro de galio, oblea del GaAs del dopante de Si/Zn
(Compuesto de A de los elementos galio y arsénico. Es un semiconductor directo del bandgap de III-V con una estructura cristalina de la blenda de cinc)
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Sobre cristal del GaAs
| Nombre de producto: | Substrato del cristal de (GaAs) del arseniuro de galio | ||||||||||||
| Parámetros técnicos: |
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| Especificaciones: |
Orientación general: <100>: <110>: <111>: Tamaño estándar: Ø3 “x 0.5m m; Ø2” x 0.5m m; Ø4 “x 0.5m m; Nota: según los requisitos y el tamaño de clientes de la dirección correspondiente. |
Uso:
1. Utilizado principalmente en electrónica, aleaciones de baja temperatura, arseniuro de galio.
2. El compuesto químico primario del galio en electrónica, se utiliza en circuitos de la microonda, circuitos de alta velocidad de la transferencia, y circuitos infrarrojos.
3. El nitruro del galio y el nitruro del galio del indio, porque las aplicaciones del semiconductor, producen los diodos electroluminosos azules y violetas (LEDs) y los lasers del diodo.
Especificación
Obleas del GaAs para los usos del LED
| Artículo | Especificaciones | Observaciones |
| Tipo de la conducción | SC/n-type | SC/p-type con la droga del Zn disponible |
| Método del crecimiento | VGF | |
| Dopante | Silicio | Zn disponible |
| Oblea Diamter | 2, 3 y 4 pulgadas | Lingote o como-corte disponible |
| Orientación cristalina | (100) 20/60/150 de (110) | El otro misorientation disponible |
| DE | EJ o los E.E.U.U. | |
| Concentración de portador | (0.4~2.5) E18/cm3 | |
| Resistencia en el RT | (1.5~9) E-3 Ohm.cm | |
| Movilidad | 1500~3000cm2/V.sec | |
| Densidad del hoyo de grabado de pistas | <5000>2 | |
| Marca del laser | a petición | |
| Final superficial | P/E o P/P | |
| Grueso | 220~450um | |
| Epitaxia lista | Sí | |
| Paquete | Solo envase o casete de la oblea | |
Obleas del arseniuro de galio (GaAs) para los usos del LD
| Artículo | Especificaciones | Observaciones |
| Tipo de la conducción | SC/n-type | |
| Método del crecimiento | VGF | |
| Dopante | Silicio | |
| Oblea Diamter | 2, 3 y 4 pulgadas | Lingote o como-corte disponible |
| Orientación cristalina | (100) 20/60/150 de (110) | El otro misorientation disponible |
| DE | EJ o los E.E.U.U. | |
| Concentración de portador | (0.4~2.5) E18/cm3 | |
| Resistencia en el RT | (1.5~9) E-3 Ohm.cm | |
| Movilidad | 1500~3000 cm2s/V.sec | |
| Densidad del hoyo de grabado de pistas | <500>2 | |
| Marca del laser | a petición | |
| Final superficial | P/E o P/P | |
| Grueso | 220~350um | |
| Epitaxia lista | Sí | |
| Paquete | Solo envase o casete de la oblea | |
Obleas del arseniuro de galio (GaAs), semiaislantes para los usos de la microelectrónica
| Artículo | Especificaciones | Observaciones |
| Tipo de la conducción | Aislamiento | |
| Método del crecimiento | VGF | |
| Dopante | Sin impurificar | |
| Oblea Diamter | 2, 3 y 4 pulgadas | Lingote disponible |
| Orientación cristalina | (100) +/- 0,50 | |
| DE | EJ, los E.E.U.U. o muesca | |
| Concentración de portador | n/a | |
| Resistencia en el RT | >1E7 Ohm.cm | |
| Movilidad | >5000 cm2s/V.sec | |
| Densidad del hoyo de grabado de pistas | <8000>2 | |
| Marca del laser | a petición | |
| Final superficial | P/P | |
| Grueso | 350~675um | |
| Epitaxia lista | Sí | |
| Paquete | Solo envase o casete de la oblea | |
FAQ –
Q: ¿Qué usted puede suministrar logística y coste?
(1) aceptamos DHL, Fedex, TNT, UPS, el ccsme, SF y el etc.
(2) si usted tiene su propio número expreso, es grande.
Si no, podríamos ayudarle para entregar. Freight=USD25.0 (el primer peso) + USD12.0/kg
Q: ¿Cuál es plazo de expedición?
(1) para los productos estándar tales como lente de la bola, lente de powell y lente del colimador:
Para el inventario: la entrega es 5 días laborables después de orden.
Para los productos modificados para requisitos particulares: la entrega es 2 o 3 workweeks después de orden.
(2) para los productos apagado-estándar, la entrega es 2 o 6 workweeks después de que usted ponga la orden.
Q: ¿Cómo pagar?
T/T, Paypal, unión del oeste, MoneyGram, garantía segura del pago y del comercio en y etc….
Q: ¿Cuál es el MOQ?
(1) para el inventario, el MOQ es 5pcs.
(2) para los productos modificados para requisitos particulares, el MOQ es 5pcs-20pcs.
Depende de cantidad y de técnicas
Q: ¿Usted tiene informe de inspección para el material?
Podemos suministrar el informe de detalle para nuestros productos.
Empaquetado – Logistcs
Worldhawk se refiere a cada uno los detalles del paquete, limpieza, tratamiento antiestático, por electrochoque. ¡Según la cantidad y la forma del producto, tomaremos un diverso proceso de empaquetado!
