Detalles de los productos

Hogar PRODUCTOS

Carburo de silicio modificado para requisitos particulares del tamaño que pule pureza de cerámica del anillo de rodadura el 98%

Nombre De La Marca:	zmkj
Número De Modelo:	ALN
MOQ:	20pcs
Precio:	by case
Tiempo De Entrega:	10-20days

Información detallada

Descripción de producto

Información detallada

Lugar de origen:

China

Materiales:

Substratos sic de cerámica

Aplicaciones:

placas de cerámica para el proceso del semiconductor

color:

Negro

Tamaño:

tamaño modificado para requisitos particulares

Pureza:

98%

Detalles de empaquetado:

caja del casete 25pcs

Capacidad de la fuente:

10000PCS

Resaltar:

Substrato de cerámica del alúmina

substrato de cerámica del aln

Descripción de producto

Substrato de cerámica del carburo de silicio, piezas SIC de cerámica, anillo de rodadura de cerámica de pulido modificado para requisitos particulares del carburo de silicio

1. Introducción:

1. SIC Cermaic tiene las ventajas de la dureza estupenda, desgaste-resistencia del alto,

buena resistencia a la corrosión y aislamiento eléctrico, ácido-base resistente, tolerancia de intensidad alta, termoestable, da alta temperatura, buen aislamiento, de alta resistencia, proceso de la precisión, alta fuerza mecánica, buena estabilidad química.

Buena suavidad, sello mecánico bueno, superficie de pulido y así sucesivamente.

2. La formación de métodos incluye:
Secado de presionar
El presionar isostático
Bastidor el presionar caliente

3. El uso de nuestro producto:

Eje de cerámica, manga para diversa bomba.
Émbolo de cerámica para el limpiador de alta presión.
Wearlessness, ácido-base resistente y asamblea de cerámica de intensidad alta

apliqúese al petróleo, industria química.
Wearlesness, resistencia a la corrosión, piezas de la tabla del termo se aplica a la máquina de la precisión.

Artículo	SSIC
SIC pureza (%)	>98
Densidad a granel (g/cm3)	3.06-3.15
Max. Service Temp. (℃)	1800
Fuerza compresiva (Mpa)	≥3900
Resistencia de flexión (MPa)	400-580
Fuerza de la fractura (MPa)	3.05-4.6
Módulo de Young (Gpa)	380-410
Conductividad termal W/MK	102,6
Extensión termal a (1/℃)	4.02x10
El ratio de Poisson	0,14
Porosidad evidente %	0

Tamaño regular

tamaño común para los substratos, el otro producto del uso por modificado para requisitos particulares

Diámetro (milímetros)					Grueso (milímetro)
2" (50.8m m) DE 16m m	3" (76.2m m) OF22mm	4" (100m m) DE 30m m	5" (125m m) DE 42.5m m	6" (150m m) DE 47.5m m	0,385
					0,5
					0,65
					1,0

Servicio de pulido

Nuestro producto se puede pulir (pulimento solo y doble) por la máquina avanzada que importó

del extranjero. La aspereza superficial del substrato de cerámica puede alcanzar a 1nm sin poroso después de ser pulido.

Es perfectamente conveniente para la aplicación para dispositivos de pequeña espec., alta precisión, atando con alambre densidad y buena estabilidad.

Carburo de silicio modificado para requisitos particulares del tamaño que pule pureza de cerámica del anillo de rodadura el 98% 0

Etiquetas:

Oblea del nitruro del galio

Oblea del zafiro

Sic substrato

Zafiro Windows óptico

Oblea de silicio de IC

Zafiro sintético Rod

Placa del cuarzo fundido

Piezas del zafiro

Piedra preciosa sintética

Equipo del semiconductor

Oblea LiNbO3

Oblea del GaAs

Oblea del fosfuro de indio

substrato de cerámica

Envoltura del laboratorio

Oblea del nitruro del galio

Oblea del zafiro

Sic substrato

Zafiro Windows óptico

Oblea de silicio de IC

Zafiro sintético Rod

Placa del cuarzo fundido

Piezas del zafiro

Piedra preciosa sintética

Equipo del semiconductor

Oblea LiNbO3

Oblea del GaAs

Oblea del fosfuro de indio

substrato de cerámica

Envoltura del laboratorio

Detalles de los productos

Carburo de silicio modificado para requisitos particulares del tamaño que pule pureza de cerámica del anillo de rodadura el 98%

Substrato de cerámica del alúmina

substrato de cerámica del aln

Substrato de cerámica del alúmina

substrato de cerámica del aln

Carburo de silicio de cerámica

SiC Ceramic Optical Path Board for Wafer Inspection Equipment Parallelism ≤0.02mm

Bonding-Specific SiC Vacuum Chuck Wafer Adsorption Surface Flatness ≤1μm

Oblea del nitruro del galio

Oblea del zafiro

Sic substrato

Zafiro Windows óptico

Oblea de silicio de IC

Zafiro sintético Rod

Placa del cuarzo fundido

Piezas del zafiro

Piedra preciosa sintética

Equipo del semiconductor

Oblea LiNbO3

Oblea del GaAs

Oblea del fosfuro de indio

substrato de cerámica

Envoltura del laboratorio

Oblea del nitruro del galio

Oblea del zafiro

Sic substrato

Zafiro Windows óptico

Oblea de silicio de IC

Zafiro sintético Rod

Placa del cuarzo fundido

Piezas del zafiro

Piedra preciosa sintética

Equipo del semiconductor

Oblea LiNbO3

Oblea del GaAs

Oblea del fosfuro de indio

substrato de cerámica

Envoltura del laboratorio

Detalles de los productos

Carburo de silicio modificado para requisitos particulares del tamaño que pule pureza de cerámica del anillo de rodadura el 98%

Substrato de cerámica del alúmina

substrato de cerámica del aln

Substrato de cerámica del alúmina

substrato de cerámica del aln

Carburo de silicio de cerámica

SiC Ceramic Optical Path Board for Wafer Inspection Equipment Parallelism ≤0.02mm​​

​​Bonding-Specific SiC Vacuum Chuck Wafer Adsorption Surface Flatness ≤1μm​​

SiC Ceramic Optical Path Board for Wafer Inspection Equipment Parallelism ≤0.02mm

Bonding-Specific SiC Vacuum Chuck Wafer Adsorption Surface Flatness ≤1μm