Detalles de los productos

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2" 3" 4" 6" primeros de 4h-Semi 4 H-N Insulating Sic del substrato de silicio del carburo oblea sic

Nombre De La Marca:	zmkj
Número De Modelo:	pureza elevada 4h-semi sin impurificar
MOQ:	3PCS
Precio:	by required
Tiempo De Entrega:	10-20days

Información detallada

Descripción de producto

Información detallada

Lugar de origen:

CHINA

material:

cristal del carburo de silicio

tamaño:

3inch o 4inch

uso:

óptico

resistencia:

>1E7

tipo:

4H-SEMI

Grueso:

0.5m m

superficie:

DSP

Orientación:

0° de c-AXIS

Detalles de empaquetado:

Empaquetado en un ambiente del sitio limpio de la clase 100, en los casetes de solos envases de la o

Capacidad de la fuente:

100pcs/months

Resaltar:

0.5m m semi que aíslan sic

Xsemi hexagonal que aísla sic

Sic oblea del carburo de silicio

Descripción de producto

2" 3" 4" 6" primeros de 4h-Semi 4 H-N Insulating Sic del substrato de silicio del carburo oblea sic

Carborundo sic cristalino de la oblea del substrato del carburo de silicio

PROPIEDADES MATERIALES DEL CARBURO DE SILICIO

Nombre de producto:

Substrato cristalino del carburo de silicio (sic)

Descripción de producto:

2-6inch

Parámetros técnicos:

Estructura de célula	Hexagonal
Enreje constante	= 3,08 Å c = 15,08 Å
Prioridades	ABCACB (6H)
Método del crecimiento	MOCVD
Dirección	Eje de crecimiento o (° parcial 0001) 3,5
Polaco	Pulido de la superficie del Si
Bandgap	eV 2,93 (indirecto)
Tipo de la conductividad	N o seimi, pureza elevada
Resistencia	0,076 ohmio-cm
Permitividad	e (11) = e (22) = 9,66 e (33) = 10,33
Conductividad termal @ 300K	5 con el cm. K
Dureza	9,2 Mohs

Especificaciones:

6H N-tipo N-tipo dia2 semiaislante “x0.33mm, dia2” x0.43mm, dia2 ' x1mmt, tiro de 10x10m m, de 10x5m m solo o tiro doble, Ra de 4H <10a>

Empaquetado estándar:

bolso limpio 1000 sitio limpio, 100 o solo empaquetado de la caja

Uso del carburo de silicio en industria del dispositivo de poder

Del funcionamiento de la unidad del silicio del Si de silicio del carburo nitruro GaN del galio sic
EV del hueco de banda 1,12 3,26 3,41
Campo eléctrico MV/cm de la avería 0,23 2,2 3,3
Movilidad de electrón cm^2/Vs 1400 950 1500
Derive la velocidad 10^7 cm/s 1 2,7 2,5
Conductividad termal W/cmK 1,5 3,8 1,3

Comparado con los dispositivos del silicio (Si), los dispositivos de poder del carburo de silicio (sic) pueden alcanzar eficazmente eficacia alta, la miniaturización y al peso ligero de los sistemas electrónicos del poder. La pérdida de energía de los dispositivos de poder del carburo de silicio es el solamente 50% del de los dispositivos del Si, la generación de calor es el solamente 50% del de los dispositivos del silicio, y tiene una densidad más de gran intensidad. En el mismo nivel de poder, el volumen de módulos de poder del carburo de silicio es perceptiblemente más pequeño que el de los módulos de poder del silicio. Tomar al módulo de poder inteligente IPM como un ejemplo, usando los dispositivos de poder del carburo de silicio, el volumen del módulo se puede reducir a 1/3 a 2/3 de módulos de poder del silicio.

Hay 3 tipos de diodos del poder del carburo de silicio: Diodos de Schottky (SBD), diodos de PIN y diodos de Schottky del control de la barrera de empalme (JBS). La deuda a la barrera de Schottky, SBD tiene una altura más baja de la barrera de empalme, así que el SBD tiene la ventaja del voltaje delantero bajo. La aparición del SBD del carburo de silicio aumentó la gama del uso de SBD de 250V a 1200V. Al mismo tiempo, sus características das alta temperatura son buenas, de temperatura ambiente a 175°C limitaron por la cáscara, los aumentos actuales de la salida reversa apenas. En el campo del uso de rectificadores sobre 3kV, el PiN del carburo de silicio y los diodos del carburo de silicio JBS han atraído la atención debido a su voltaje de avería más alto, velocidad más rápidamente que cambiaba, volumen más pequeño y peso más ligero que los rectificadores de silicio.

Sic cristalino es un material ancho-bandgap importante del semiconductor. Debido a su alta conductividad termal, alta tarifa de la deriva del electrón, alta fuerza de campo de la avería y las propiedades físicas y químicas estables, es ampliamente utilizado en temperatura alta, en dispositivos electrónicos el de alta frecuencia y del poder más elevado. Hay más de 200 tipos sic de cristales que se han descubierto hasta ahora. Entre ellos, los cristales 4H- y 6H-SiC se han suministrado comercialmente. Todos pertenecen al grupo del punto de 6m m y tienen un efecto óptico no lineal del segundo-orden. Sic los cristales semiaislantes son visibles y medios. La banda infrarroja tiene una transmitencia más alta. Por lo tanto, los dispositivos optoelectrónicos basados en sic cristales son muy convenientes para los usos en ambientes extremos tales como temperatura alta y alta presión. El cristal semiaislante 4H-SiC se ha demostrado ser un nuevo tipo de cristal óptico no lineal mediados de-infrarrojo. Comparado con los cristales ópticos no lineales mediados de-infrarrojos de uso general, sic el cristal tiene un hueco de banda amplio (3.2eV) debido al cristal. , Alta conductividad termal (los 490W/m·K) y la energía en enlace grande (5eV) entre el Si-c, haciendo sic cristalino tienen un alto umbral de daño de laser. Por lo tanto, el cristal semiaislante 4H-SiC como cristal no lineal de la conversión de frecuencia tiene ventajas obvias en hacer salir el laser mediados de-infrarrojo de alta potencia. Así, en el campo de lasers de alta potencia, sic cristalino está un cristal óptico no lineal con perspectivas amplias del uso. Sin embargo, la investigación actual basada en las propiedades no lineales sic de cristales y de usos relacionados no es todavía completa. Este trabajo toma las propiedades ópticas no lineales de los cristales 4H- y 6H-SiC como el contenido principal de la investigación, y apunta solucionar algunos problemas básicos sic de cristales en términos de propiedades ópticas no lineales, para promover el uso sic de cristales en el campo de la óptica no lineal. Una serie de trabajo relacionado se ha realizado teóricamente y experimental. Los resultados de investigación principales son como sigue: 　　 Primero, las propiedades ópticas no lineales básicas sic de cristales se estudian. La refracción variable de la temperatura de los cristales 4H- y 6H-SiC en las bandas visibles y mediados de-infrarrojas (404.7nm~2325.4nm) fue probada, y la ecuación de Sellmier del índice de refracción variable de la temperatura fue cabida. La teoría modelo del solo oscilador fue utilizada para calcular la dispersión del coeficiente termo-óptico. Se da una explicación teórica; la influencia del efecto termo-óptico sobre hacer juego de fase de los cristales 4H- y 6H-SiC se estudia. Los resultados muestran que el hacer juego de fase de los cristales 4H-SiC no es afectado por temperatura, mientras que los cristales 6H-SiC todavía no pueden alcanzar hacer juego de fase de la temperatura. condición. Además, el factor de duplicación de la frecuencia del cristal semiaislante 4H-SiC fue probado por el método de la franja del fabricante.　　 En segundo lugar, la generación del parámetro del femtosegundo y el funcionamiento ópticos de la amplificación del cristal 4H-SiC se estudia. El hacer juego de fase, la velocidad de grupo que hace juego, el mejor ángulo no-colineal y mejor la longitud cristalina del cristal 4H-SiC bombeados por el laser del femtosegundo 800nm se analizan teóricamente. Usando el laser del femtosegundo con una longitud de onda de la salida 800nm por el Ti: El laser del zafiro como la fuente de la bomba, usando tecnología paramétrica óptica de dos etapas de la amplificación, usando un cristal semiaislante 3.1m m grueso 4H-SiC como cristal óptico no lineal, bajo hacer juego de fase del 90°, por primera vez, un laser mediados de-infrarrojo con una longitud de onda de centro de 3750nm, una sola energía de pulso hasta 17μJ, y una anchura de pulso de 70fs fue obtenido experimental. El laser del femtosegundo 532nm se utiliza como la luz de la bomba, y el sic cristalino es el 90° fase-hecho juego para generar la luz de señal con una longitud de onda del centro de la salida de 603nm con parámetros ópticos. Tercero, el funcionamiento de ensanchamiento espectral de 4H-SiC semiaislante cristalino como medio óptico no lineal se estudia. Los resultados experimentales muestran que la anchura del mitad-máximo de los aumentos ensanchados del espectro con la longitud cristalina y el incidente de la densidad de poder del laser en el cristal. El aumento linear se puede explicar por el principio de modulación de la uno mismo-fase, que es causada principalmente por la diferencia del índice de refracción del cristal con la intensidad de la luz de incidente. Al mismo tiempo, se analiza que en escala de tiempo del femtosegundo, el índice de refracción no lineal sic del cristal se puede atribuir principalmente a los electrones encuadernados en el cristal y a los electrones gratuitos en la banda de conducción; y la tecnología de la z-exploración se utiliza para estudiar preliminar el sic cristalino debajo del laser 532nm. Absorción no lineal y funcionamiento no lineal del índice de refracción.

2. los substratos clasifican de estándar

especificación del substrato del carburo de silicio de 4 pulgadas de diámetro (sic)
Grado		Grado cero de MPD	Grado de la producción	Grado de la investigación	Grado simulado
Diámetro		76,2 mm±0.3 milímetro o 100±0.5m m;
Grueso		500±25um
Orientación de la oblea		0° (0001) del eje
Densidad de Micropipe		cm2s ≤1	cm2s ≤5	cm2s ≤15	cm2s ≤50
Resistencia	4H-N	0.015~0.028 Ω•cm
	6H-N	0.02~0.1 Ω•cm
	4/6H-SI	≥1E7 Ω·cm
Plano primario y longitud		{10-10} ±5.0°, 32,5 mm±2.0 milímetro
Longitud plana secundaria		18.0mm±2.0 milímetro
Orientación plana secundaria		Silicio cara arriba: El 90° CW. de ±5.0° plano primero
Exclusión del borde		3 milímetros
TTV/Bow /Warp		≤15μm/≤25μm/≤40μm
Aspereza		Ra≤1 polaco nanómetro, CMP Ra≤0.5 nanómetro
Grietas por la luz de intensidad alta		Ninguno		1 permitida, ≤2 milímetro	≤ acumulativo 10m m, solo length≤2mm de la longitud

Placas del hex. por la luz de intensidad alta		Área acumulativa el ≤1%		Área acumulativa el ≤1%	Área acumulativa el ≤3%
Áreas de Polytype por la luz de intensidad alta		Ninguno		Área acumulativa el ≤2%	Área acumulativa el ≤5%

Sic la oblea y los lingotes 2-6inch y el otro tamaño modificado para requisitos particulares también puede ser proporcionado.

exhibición del detalle 3.Products

2" 3" 4" 6" primeros de 4h-Semi 4 H-N Insulating Sic del substrato de silicio del carburo oblea sic 0

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Entrega y paquete

2" 3" 4" 6" primeros de 4h-Semi 4 H-N Insulating Sic del substrato de silicio del carburo oblea sic 3

FAQ

Q1. ¿Es su compañía una fábrica o una compañía comercial?
Somos la fábrica y también podemos hacer la exportación.
¿Q2.Is usted único trabajo de la compañía con sic negocio?
sí; sin embargo no crecemos el sic cristalino de uno mismo.
Q3. ¿Podría usted suministrar la muestra?
Sí, podemos suministrar la muestra del zafiro según el requisito de cliente
Q4. ¿Usted tiene acción sic de obleas?
guardamos generalmente algunas obleas del tamaño estándar sic de las obleas 2-6inch en existencia
Q5.Where es su compañía localizada.
Nuestra compañía situada en Shangai, China.
Q6. Cuánto tiempo tomará para conseguir los productos.
Tardará generalmente 3~4 semanas para procesar. Es depender el y tamaño de los productos.

Etiquetas:

Oblea del nitruro del galio

Oblea del zafiro

Sic substrato

Zafiro Windows óptico

Oblea de silicio de IC

El alambre vio la máquina

Zafiro sintético Rod

Placa del cuarzo fundido

Piezas del zafiro

Piedra preciosa sintética

Equipo del semiconductor

Oblea LiNbO3

Oblea del fosfuro de indio

substrato de cerámica

Envoltura del laboratorio

Oblea del GaAs

Oblea del nitruro del galio

Oblea del zafiro

Sic substrato

Zafiro Windows óptico

Oblea de silicio de IC

El alambre vio la máquina

Zafiro sintético Rod

Placa del cuarzo fundido

Piezas del zafiro

Piedra preciosa sintética

Equipo del semiconductor

Oblea LiNbO3

Oblea del fosfuro de indio

substrato de cerámica

Envoltura del laboratorio

Oblea del GaAs

Detalles de los productos

2" 3" 4" 6" primeros de 4h-Semi 4 H-N Insulating Sic del substrato de silicio del carburo oblea sic

0.5m m semi que aíslan sic

Xsemi hexagonal que aísla sic

Sic oblea del carburo de silicio

sic oblea

sic substrato

substrato del carburo de silicio

4H-N Type SiC Substrate 10x10mm Wafer for Power Electronics

4H Silicon Carbide Substrate for Power Electronics, RF Devices & UV Optoelectronics