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sic carburo de silicio del lingote 4inch grueso de 5 - de 15m m para los semiconductores
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2" InSb-Te EPI Substrato de banda estrecha Semiconductor Substrato de la sala de componentes
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4H-P Carburo de silicio SiC sustrato 4 pulgadas SIC Wafer 6H-P para deposición de nitruro III-V
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3' 4' 350um 500um SSP DSP 4H- 6H- Investigación Grado de SIC Substrato epitaxial
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2 pulgadas 4 pulgadas 6 pulgadas Sic Substrato de carburo de silicio 6H Tipo de alta P-dopaje Fuera del eje 4,0° hacia el grado primario grado falso
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2 pulgadas / 4 pulgadas / 6 pulgadas / 5,0 * 5,0 mm / 10,0 * 10,0 mm Sic Substrato de carburo de silicio Tipo 3C-N En el eje: < 111 > ± 0,5 ° Grado de producción Grado de simulacro
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Tamaño transparente de SIC Crystal Optical Lens 4H-SEMI Customzied
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2 pulgadas / 4 pulgadas / 6 pulgadas Sic Substrato de carburo de silicio 4H-P Tipo fuera del eje 2,0 ° hacia el grado de producción
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