Detalles del producto
Lugar de origen: China.
Nombre de la marca: ZMSH
Número de modelo: Sustrato de SiC
Condiciones de pago y envío
Tiempo de entrega: Entre 4 y 6 semanas
Condiciones de pago: T/T
El material: |
monocristal de SiC |
El tipo: |
4H-P / 6H-P |
Tamaño: |
4 pulgadas |
Grado: |
Primero/Dummy |
personalizado: |
Apoyados |
Color: |
Negro |
El material: |
monocristal de SiC |
El tipo: |
4H-P / 6H-P |
Tamaño: |
4 pulgadas |
Grado: |
Primero/Dummy |
personalizado: |
Apoyados |
Color: |
Negro |
- apoyar las personalizadas con diseño de ilustraciones
- un cristal hexagonal (4H SiC), hecho de monocristal SiC
- alta dureza, la dureza de Mohs alcanza 9.2, sólo superado por el diamante.
- excelente conductividad térmica, adecuada para ambientes de alta temperatura.
- características de banda ancha, adecuadas para dispositivos electrónicos de alta frecuencia y alta potencia.
El sustrato de SiC tipo P es un material semiconductor importante ampliamente utilizado en dispositivos electrónicos de alta potencia y alta frecuencia.el sustrato SiC de tipo P forma características de tipo P, lo que permite que el material proporcione una buena conductividad eléctrica y una alta concentración de portadores.Su excelente conductividad térmica y su alto voltaje de ruptura le permiten mantener un rendimiento estable en condiciones extremas.
El sustrato SiC de tipo P tiene una excelente estabilidad a altas temperaturas y resistencia a la radiación y puede funcionar normalmente en entornos de alta temperatura.Los sustratos de 4H-SiC muestran una menor pérdida de energía bajo campos eléctricos fuertes y son adecuados para su uso en vehículos eléctricosAdemás, la excelente conductividad térmica ayuda a mejorar la eficiencia de disipación de calor del dispositivo y a extender su vida útil.
Los sustratos de SiC de tipo P se utilizan ampliamente en dispositivos de energía, dispositivos de RF y dispositivos optoelectrónicos.
A menudo se utilizan para fabricar dispositivos como MOSFETs y IGBTs de tipo P para satisfacer las necesidades de alto voltaje, alta temperatura y alta frecuencia.Los sustratos de SiC de tipo 4H-P desempeñarán un papel cada vez más importante en la electrónica de potencia y las redes inteligentes futuras.
Detalles del sustrato SiC de tipo P
|
Propiedad |
Tipo P 4H-SiC, cristal único | Tipo P 6H-SiC, cristal único |
| Parámetros de la red | a=3,082 Å c=10,092 Å |
a=3,09 Å C=15,084 Å |
| Secuencia de apilamiento | El ABCB | Acceso a las oficinas |
| Dureza de Mohs | ≈9.2 | ≈9.2 |
| Densidad | 3.23 g/cm3 | 3.0 g/cm3 |
| Coeficiente de expansión térmica | 4.3×10-6/K (Caxis) 4.7×10-6/K (Caxis) | 4.3×10-6/K (Caxis) 4.7×10-6/K (Caxis) |
| Indice de refracción @750nm | no = 2,621 ne = 2.671 | no=2.612 y ne=2.651 |
| Constante dieléctrico | C ~ 9.66 | C ~ 9.66 |
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Conductividad térmica |
3 a 5 W/cm·K@298K |
3 a 5 W/cm·K@298K |
| La banda-brecha | 3.26 eV | 3.02 eV |
| Campo eléctrico de ruptura | 2-5×106V/cm | 2-5×106V/cm |
|
Velocidad de deriva de saturación |
2.0 × 105 m/s | 2.0 × 105 m/s |
Muestras de sustrato SiC de tipo P
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Preguntas frecuentes
1P: Comparado con el N-Type, ¿qué tal el P-Type?
R: Los sustratos P-Tipo 4H-SiC, dotados con elementos trivalentes como el aluminio, tienen agujeros como los principales portadores, proporcionando una buena conductividad y estabilidad a altas temperaturas.Substratos del tipo N, dopados con elementos pentavalentes como el fósforo, tienen electrones como portadores mayoritarios, lo que generalmente resulta en una mayor movilidad de electrones y una menor resistividad.
2P: ¿Cuáles son las perspectivas del mercado para el SiC tipo P?
R: Las perspectivas del mercado para el SiC tipo P son muy positivas, impulsadas por la creciente demanda de electrónica de alta potencia en vehículos eléctricos, sistemas de energía renovable,y aplicaciones industriales avanzadas.
