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grueso modificado para requisitos particulares 1.5m m 4" obleas sic cristalinas del espacio en blanco del como-corte 4H-N
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de 3inch 4inch 2inch 0.35m m DSP de silicio 4h-N del carburo obleas superficiales sic
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Substrato de cerámica del catalizador de las obleas DSP de 4H-N 5x5m m sic
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Tamaño transparente de SIC Crystal Optical Lens 4H-SEMI Customzied
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Wafer SICOI de 4 pulgadas, 6 pulgadas, 8 pulgadas, 4H-SiC sobre aislante, película de SiC de 100 a 150 mm SOBRE silicio
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Lente modificada para requisitos particulares descolorida transparente de HPSI 4H-SEMI SIC
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Substrato de carburo de silicio de cristal único de 12 pulgadas Sic Tamaño grande Diámetro de alta pureza 300 mm Grado del producto Para comunicación 5G
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Oferta de carburo de silicio 6H de tipo P, grado de producción estándar Dia:145.5 mm~150.0 mm espesor 350 μm ± 25 μm
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Wafer de carburo de silicio 6H tipo P y 4H tipo P MPD de producción cero de calibre falso Dia 4 pulgadas 6 pulgadas
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tipo grado de 2inch 3inch Dia100m 4H-N de la producción de la oblea del carburo de silicio para el dispositivo de semiconductor
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4 grueso de la oblea 0.5m m de H-N As-Cut Silicon Carbide para la electrónica de poder
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Sustrato de carburo de silicio 4H para electrónica de potencia, dispositivos de RF y optoelectrónica UV