Detalles del producto
Lugar de origen: China.
Nombre de la marca: ZMSH
Certificación: ROHS
Condiciones de pago y envío
Tiempo de entrega: 2-4weeks
Condiciones de pago: T/T
Nombre del producto: |
plaquetas de carburo de silicio plaquetas sic |
Grado: |
Cero grado de producción de MPD y Cero grado de producción de MPD |
Densidad de Micropipe: |
0 cm-2 |
Resistencia de tipo p 4H/6H-P: |
≤ 0,1 Ω ̊cm |
Orientación plana primaria: |
Se aplicarán las siguientes medidas: |
Orientación plana primaria 3C-N: |
3C-N |
Longitud plana primaria: |
Longitud plana primaria |
Longitud plana secundaria: |
18,0 mm ± 2,0 mm |
18,0 mm ± 2,0 mm: |
Polish Ra≤1 nm |
Nombre del producto: |
plaquetas de carburo de silicio plaquetas sic |
Grado: |
Cero grado de producción de MPD y Cero grado de producción de MPD |
Densidad de Micropipe: |
0 cm-2 |
Resistencia de tipo p 4H/6H-P: |
≤ 0,1 Ω ̊cm |
Orientación plana primaria: |
Se aplicarán las siguientes medidas: |
Orientación plana primaria 3C-N: |
3C-N |
Longitud plana primaria: |
Longitud plana primaria |
Longitud plana secundaria: |
18,0 mm ± 2,0 mm |
18,0 mm ± 2,0 mm: |
Polish Ra≤1 nm |
Oferta de carburo de silicio 6H de tipo P, grado de producción estándar Dia:145.5 mm~150,0 mm de espesor 350 μm ± 25 μm
6H oblea de carburo de silicio de tipo P
Este documento presenta el desarrollo y las características de una oblea de carburo de silicio (SiC) de 6H, que es de tipo P y fabricada con el grado de producción estándar.La oblea exhibe un rango de diámetro entre 145.5 mm y 150,0 mm, con un espesor controlado de 350 μm ± 25 μm. Debido a su alta conductividad térmica, su amplio intervalo de banda y su excelente resistencia a altos voltajes y temperaturas,Las obleas de SiC 6H son muy adecuadas para aplicaciones en electrónica de potenciaEste estudio se centra en el proceso de fabricación, las propiedades de los materiales y los parámetros de rendimiento.proporcionando información sobre su potencial para aplicaciones comerciales de semiconductores.
Propiedades de las obleas de carburo de silicio tipo 6H
La oblea de carburo de silicio (SiC) de grado de producción estándar tipo 6H P tiene las siguientes propiedades:
Estas propiedades hacen que la oblea SiC de tipo 6H P sea un material ideal para dispositivos electrónicos de alta potencia, alta frecuencia y alta temperatura, ampliamente utilizados en electrónica de potencia, dispositivos de semiconductores, radar,y sistemas de comunicación.
Gráfico de datos de las obleas de carburo de silicio tipo 6H
Especificación del sustrato de carburo de silicio (SiC) de 6 pulgadas de diámetro
| Grado de grado |
精选级 ((Z 级) Producción de MPD cero Grado (grado Z) |
工业级 (P 级) Producción estándar Grado (grado P) |
测试级 ((D 级) 级) Producción de MPD cero Grado (grado D) |
||
| Diámetro | 145.5 mm ~ 150,0 mm | ||||
| 厚度 espesor35 | 350 μm ± 25 μm | ||||
| 晶片方向 Orientación de la oblea |
- Fuera del eje: 2.0°-4.0° hacia [1120] ± 0,5° para 4H/6H-P, En el eje: ∼111 ∼ 0,5° para 3C-N |
||||
| 微管密度 ※ Densidad de los microtubos | 0 cm-2 | ||||
| 电 阻 率 ※ Resistencia | el tipo p 4H/6H-P | ≤ 0,1 Ω ̊cm | ≤ 0,3 Ω ̊cm | ||
| Tipo n 3C-N | ≤ 0,8 mΩ cm | ≤ 1 m Ω ̊cm | |||
| Principal de orientación plana | 4H 6H-P |
- {1010} ± 5,0° |
|||
| 3C-N |
- {110} ± 5,0° |
||||
| 主定位边长度 Primario longitud plana | 32.5 mm ± 2,0 mm | ||||
| Duración de la línea secundaria |
18.0 mm ± 2,0 mm |
||||
| Dirección secundaria de orientación plana | Silicón hacia arriba: 90° CW. desde el plano Prime ± 5,0° | ||||
| 边缘去除 Exclusión del borde | 3 mm | 6 mm | |||
| 局部厚度变化/总厚度变化/?? 曲度/?? 曲度 LTV/TTV/Bow/Warp |
Se aplicarán las siguientes medidas: |
Se aplicarán las siguientes medidas: | |||
| 表面粗度 ※ La rugosidad | Lengua polacaRa ≤ 1 nm | ||||
| CMPRa≤0,2 nm | Ra ≤ 0,5 nm | ||||
|
Las grietas de borde por la luz de alta intensidad |
No hay | Duración acumulada ≤ 10 mm, longitud única ≤ 2 mm | |||
| 六方空洞 ((强光灯测)) ※ Placas hexagonales por luz de alta intensidad | Área acumulada ≤ 0,05% | Área acumulada ≤ 0,1% | |||
| ¿Qué tipo de luz es la luz de alta intensidad? | No hay | Área acumulada ≤ 3% | |||
| Incluciones de carbono visuales | Área acumulada ≤ 0,05% | Área acumulada ≤ 3% | |||
| # La superficie del silicio se rasca por la luz de alta intensidad | No hay | Duración acumulada ≤ 1 × diámetro de la oblea | |||
| 崩边 ((强光灯观测) Chips de borde de alta intensidad por la luz | Ninguno ≥ 0,2 mm de ancho y profundidad | 5 permitidos, ≤ 1 mm cada uno | |||
| La contaminación de la superficie del silicio por alta intensidad | No hay | ||||
| 包装 Embalaje | Contenedor de una sola o varias obleas | ||||
Orientación del sustrato de SiC
| Orientación del sustrato de SiC | |
|
Orientación del cristal |
Cristalografía de orientación del sustrato SiC el ángulo de inclinación entre el eje c y el vector perpendicular a la superficie de la oblea (véase la Figura 1). |
|
Desviación de orientación ortogonal |
Cuando la cara de cristal se desvía intencionalmente de la cara de cristal (0001), el Ángulo entre el vector normal de la cara de cristal proyectado en el plano (0001) y la dirección [11-20] más cercana al plano (0001). |
| fuera del eje |
< 11-20 > Desviación de dirección 4,0°±0,5° |
| eje positivo | La dirección de desviación de 0° ± 0,5° |
Foto de una oblea de carburo de silicio tipo 6H
Aplicación de las obleas de carburo de silicio de tipo 6H
La oblea de carburo de silicio (SiC) de tipo 6H P tiene varias aplicaciones importantes debido a sus propiedades materiales únicas, lo que la hace adecuada para electrónica de alto rendimiento y condiciones extremas.Las principales aplicaciones incluyen::
Electrónica de potencia: Las obleas de SiC se utilizan ampliamente en dispositivos electrónicos de potencia como MOSFET, diodos y tiristores. Estos dispositivos son cruciales para aplicaciones de alto voltaje y alta eficiencia como inversores,Conversores, y motores de propulsión, especialmente en sistemas de energía renovable, vehículos eléctricos (VE) y equipos industriales.
Electrónica de alta temperatura: Debido a la alta estabilidad térmica de 6H SiC, es ideal para dispositivos que funcionan en temperaturas extremas, como sensores, fuentes de alimentación y sistemas de control para la industria aeroespacial, automotriz,y aplicaciones industriales.
Dispositivos de alta frecuencia: El amplio intervalo de banda del SiC lo hace adecuado para aplicaciones de RF (radiofrecuencia) y microondas.y infraestructuras de comunicación inalámbrica de alta frecuencia, amplificadores y interruptores de alta potencia.
Vehículos eléctricos (VE): Las obleas de SiC se utilizan en los convertidores de potencia, inversores y sistemas de carga de vehículos eléctricos, contribuyendo a una mayor eficiencia, una carga más rápida,y un rango de conducción extendido debido a las bajas pérdidas de energía en comparación con los dispositivos tradicionales de silicio.
Aeroespacial y Defensa: Su resistencia a la radiación y a las altas temperaturas hace que sea un excelente material para aplicaciones en exploración espacial, sistemas de satélites y electrónica militar.Se utiliza en amplificadores de alta potencia, transmisores y sensores para entornos extremos.
Sistemas de energía renovable: Los dispositivos basados en SiC son esenciales en las aplicaciones de energía renovable, como los inversores de energía solar y los sistemas de energía eólica,debido a su alta eficiencia y capacidad para manejar altos voltajes y temperaturas, reduciendo las pérdidas de energía y mejorando el rendimiento general del sistema.
Dispositivos de conmutación de alta potencia: las obleas de SiC se utilizan para fabricar interruptores semiconductores de alta potencia que se utilizan en redes eléctricas industriales,donde la eficiencia y la capacidad de operar en condiciones de alta corriente y voltaje son cruciales.
LED y optoelectrónica: El SiC se utiliza como sustrato para la fabricación de LED, especialmente para LED de alto brillo y alta potencia, así como para dispositivos optoelectrónicos utilizados en sensores y sistemas de comunicación óptica.
Estas aplicaciones se benefician de la capacidad de las obleas de SiC de tipo 6H P para manejar altos voltajes, operar a temperaturas extremas y proporcionar una excelente conductividad térmica y rendimiento de alta frecuencia,lo que lo convierte en un material crítico para la electrónica avanzada.
Pregunta y respuesta
- ¿ Qué?¿Cuál es la diferencia entre el carburo de silicio 4H y 6H?
A: ¿Qué quieres decir?La principal diferencia entre el carburo de silicio 4H y 6H (SiC) radica en sus estructuras cristalinas, que afectan significativamente sus propiedades electrónicas y físicas.
Estructura de cristal:
4H y 6H se refieren a diferentes politipos de SiC, caracterizados por variaciones en sus secuencias de apilamiento.y el número (4 o 6) indica el número de bicapas de Si-C en una celda unitaria.
Movilidad de los electrones:
Una de las diferencias más significativas es su movilidad electrónica, que afecta su eficiencia en dispositivos electrónicos.
El bandgap:
Tanto el 4H como el 6H SiC tienen bandgap amplios, pero el 4H-SiC tiene un bandgap ligeramente mayor (3,26 eV) en comparación con el 6H-SiC (3,0 eV).Esto hace que el 4H-SiC sea más adecuado para aplicaciones de alto voltaje y alta temperatura.
Uso comercial:
Debido a su superior movilidad de electrones y mayor banda,4H-SiCes el politipo preferido para dispositivos de potencia, especialmente en aplicaciones de alto voltaje y alta eficiencia como vehículos eléctricos, inversores solares y electrónica industrial.
6H-SiC, aunque todavía se usa, generalmente es menos favorecido para la electrónica de potencia, pero se puede encontrar en aplicaciones de menor rendimiento o donde la diferencia en la movilidad no es tan crítica.
En resumen, el 4H-SiC generalmente se considera mejor para la electrónica de alta potencia debido a su movilidad de electrones superior y mayor banda ancha, mientras que el 6H-SiC tiene un uso más limitado en comparación.
