Detalles del producto
Lugar de origen: China
Nombre de la marca: zmkj
Número de modelo: 4H-N, 4inch
Condiciones de pago y envío
Cantidad de orden mínima: 10pcs
Precio: by required
Detalles de empaquetado: Empaquetado en un ambiente del sitio limpio de la clase 100, en los casetes de solos envases de la o
Tiempo de entrega: 10-20days
Capacidad de la fuente: 100pcs/months
Material: |
cristal del carburo de silicio |
Tamaño: |
4inch |
Solicitud: |
grado del cristal de semilla |
Resistencia: |
los 0.015~0.028Ω.cm |
Tipo: |
4h-n |
Grueso: |
1.6m m |
Superficie: |
como-corte |
Grado: |
Producción |
Material: |
cristal del carburo de silicio |
Tamaño: |
4inch |
Solicitud: |
grado del cristal de semilla |
Resistencia: |
los 0.015~0.028Ω.cm |
Tipo: |
4h-n |
Grueso: |
1.6m m |
Superficie: |
como-corte |
Grado: |
Producción |
tipo de la producción del grado del grado substratos SIMULADOS sic, substratos de 4inch dia100m 4H-N del carburo de silicio para el dispositivo de semiconductor,
obleas cristalinas modificadas para requisitos particulares del carburo de silicio del grueso 4inch 4H-N sic para el grado del cristal de semilla 4inch;
Carborundo sic cristalino de la oblea del substrato del carburo de silicio
PROPIEDADES MATERIALES DEL CARBURO DE SILICIO
| Nombre de producto: | Substrato cristalino del carburo de silicio (sic) | ||||||||||||||||||||||||
| Descripción de producto: | 2-6inch | ||||||||||||||||||||||||
| Parámetros técnicos: |
|
||||||||||||||||||||||||
| Especificaciones: | 6H N-tipo N-tipo dia2 semiaislante “x0.33mm, dia2” x0.43mm, dia2 ' x1mmt, tiro de 10x10m m, de 10x5m m solo o tiro doble, Ra de 4H <10a> | ||||||||||||||||||||||||
| Empaquetado estándar: | bolso limpio 1000 sitio limpio, 100 o solo empaquetado de la caja |
2. los substratos clasifican de estándar
|
especificación del substrato del carburo de silicio de 4 pulgadas de diámetro (sic) |
|||||||||
| Grado | Grado cero de MPD | Grado de la producción | Grado de la investigación | Grado simulado | |||||
| Diámetro | 100,0 mm±0.5 milímetro | ||||||||
| Grueso | 350 μm±25μm (el grueso 200-2000um también es aceptable) | ||||||||
| Orientación de la oblea | De eje: 4.0° hacia <1120> ±0.5° para 4H-N | ||||||||
| Densidad de Micropipe | cm2s ≤1 | cm2s ≤5 | cm2s ≤15 | cm2s ≤50 | |||||
| Resistencia | 4H-N | 0.015~0.028 Ω•cm | |||||||
| 6H-N | 0.02~0.1 Ω•cm | ||||||||
| 4/6H-SI | ≥1E5 Ω·cm | ||||||||
| Plano primario y longitud | {10-10} ±5.0°, 32,5 mm±2.0 milímetro | ||||||||
| Longitud plana secundaria | 18.0mm±2.0 milímetro | ||||||||
| Orientación plana secundaria | Silicio cara arriba: El 90° CW. de ±5.0° plano primero | ||||||||
| Exclusión del borde | 3 milímetros | ||||||||
| TTV/Bow /Warp | ≤15μm/≤25μm/≤40μm | ||||||||
| Aspereza | Ra≤1 polaco nanómetro, CMP Ra≤0.5 nanómetro | ||||||||
| Grietas por la luz de intensidad alta | Ninguno | 1 permitida, ≤2 milímetro | ≤ acumulativo 10m m, solo length≤2mm de la longitud | ||||||
| Placas del hex. por la luz de intensidad alta | Área acumulativa el ≤1% | Área acumulativa el ≤1% | Área acumulativa el ≤3% | ||||||
| Áreas de Polytype por la luz de intensidad alta | Ninguno | Área acumulativa el ≤2% | Área acumulativa el ≤5% | ||||||
| Rasguños por la luz de intensidad alta | 3 rasguños a la longitud acumulativa del diámetro 1×wafer | 5 rasguños a la longitud acumulativa del diámetro 1×wafer | 5 rasguños a la longitud acumulativa del diámetro 1×wafer | ||||||
| microprocesador del borde | Ninguno | 3 permitida, ≤0.5 milímetro cada uno | 5 permitida, ≤1 milímetro cada uno | ||||||
| Contaminación por la luz de intensidad alta | Ninguno | ||||||||
Sic la oblea y los lingotes 2-6inch y el otro tamaño modificado para requisitos particulares también puede ser proporcionado.
exhibición del detalle 3.Products
Entrega y paquete
Q1. ¿Es su compañía una fábrica o una compañía comercial?
Somos la fábrica y también podemos hacer la exportación.
¿Q2.Is usted único trabajo de la compañía con sic negocio?
sí; sin embargo no crecemos el sic cristalino de uno mismo.
Q3. ¿Podría usted suministrar la muestra?
Sí, podemos suministrar la muestra del zafiro según el requisito de cliente.
Q4. ¿Usted tiene acción sic de obleas?
guardamos generalmente algunas obleas del tamaño estándar sic de las obleas 2-6inch en existencia.
¿Q5.Where localizan a su compañía?
Nuestra compañía situada en Shangai, China.
Q6. ¿Cuánto tiempo tomará para conseguir los productos?
Tardará generalmente 3~4 semanas para procesar. Es depender de la cantidad y del tamaño de los productos.
