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75 PRODUCTOS
Método PVT del horno de crecimiento de Sic 6 pulgadas 8 pulgadas 12 pulgadas bajo consumo de energía
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Substrato de carburo de silicio de cristal único de 12 pulgadas Sic Tamaño grande Diámetro de alta pureza 300 mm Grado del producto Para comunicación 5G
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Substratos de carburo de silicio 4H-N de alta calidad (12-inch/300mm) para dispositivos de alta potencia
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2 pulgadas 6H - semi bajo consumo de energía de la oblea del carburo de silicio para el detector
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Obleas de 4 pulgadas, 6 pulgadas, 8 pulgadas, 4H-SiCOI, sustratos compuestos de SiC sobre aislante
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Línea de pulido de obleas de silicio y SiC de 6–8 pulgadas con cabezales cuádruples y montaje de circuito cerrado
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tipo grado de 2inch 3inch Dia100m 4H-N de la producción de la oblea del carburo de silicio para el dispositivo de semiconductor
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Máquina de corte de hilo diamantado de triple estación y un solo hilo para procesamiento de SiC / Zafiro / Silicio
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Wafer de carburo de silicio 4H tipo P cero MPD grado de producción de calificación 4 pulgadas 6 pulgadas
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Oferta de carburo de silicio 6H de tipo P, grado de producción estándar Dia:145.5 mm~150.0 mm espesor 350 μm ± 25 μm
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Wafer de carburo de silicio 6H tipo P y 4H tipo P MPD de producción cero de calibre falso Dia 4 pulgadas 6 pulgadas
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Equipos láser microfluídicos para el procesamiento de obleas semiconductoras