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Comprar Material del semiconductor de las obleas de 4H-N 4inch 6inch sic para SBD MOS Device Fabricación en línea

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Comprar 2 pulgadas / 4 pulgadas / 6 pulgadas Sic Substrato de carburo de silicio 4H-P Tipo fuera del eje 2,0 ° hacia el grado de producción Fabricación en línea

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Comprar 2 pulgadas 4 pulgadas 6 pulgadas Sic Substrato de carburo de silicio 6H Tipo de alta P-dopaje Fuera del eje 4,0° hacia el grado primario grado falso Fabricación en línea

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Comprar 2 pulgadas / 4 pulgadas / 6 pulgadas / 5,0 * 5,0 mm / 10,0 * 10,0 mm Sic Substrato de carburo de silicio Tipo 3C-N En el eje: < 111 > ± 0,5 ° Grado de producción Grado de simulacro Fabricación en línea

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Comprar Dureza modificada para requisitos particulares del substrato del carburo de silicio del tamaño 9,4 sic porciones para el equipo Fabricación en línea

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