Wafer de carburo de silicio 4H tipo P cero MPD grado de producción de calificación 4 pulgadas 6 pulgadas

Wafer de carburo de silicio 4H tipo P cero MPD grado de producción de calificación 4 pulgadas 6 pulgadas

Wafer de carburo de silicio 4H tipo P

El presente estudio presenta las características y aplicaciones potenciales de una oblea de carburo de silicio (SiC) tipo 4H P, un material semiconductor conocido por sus excepcionales propiedades electrónicas y térmicas.La oblea de 4H-SiC, con una estructura de cristal hexagonal, está específicamente dopado para mostrar conductividad de tipo P. Tiene una banda ancha de 3,26 eV, alta movilidad de electrones y excelente conductividad térmica,que lo hace muy adecuado para alta tensiónAdemás, su capacidad para soportar ambientes hostiles, como la alta radiación y las temperaturas extremas, lo hace ideal para su uso en la industria aeroespacial,electrónica de potenciaEste trabajo se centra en el proceso de fabricación de la oblea de SiC tipo 4H P, las propiedades de los materiales, el proceso de fabricación de la oblea de SiC tipo 4H P y los sistemas de energía renovable.y su potencial para mejorar el rendimiento del dispositivo en sistemas electrónicos avanzados.

Las fotos de la oblea de carburo de silicio 4H P-Type

Diagrama de datos de la oblea de carburo de silicio 4H tipo P

4 pulgadas de diámetro de carburo de silicio (SiC) especificación del sustrato

Grado de grado			精选级 ((Z 级) Producción de MPD cero Grado (grado Z)	工业级 (P 级) Producción estándar Grado (grado P)	测试级 ((D 级) 级) Grado de simulacro (grado D)
Diámetro			99.5 mm~100,0 mm
厚度 espesor			350 μm ± 25 μm
晶片方向 Orientación de la oblea			En el eje opuesto: 2,0°-4,0° hacia adelante [1120] ± 0,5° para 4H/6H-P, sobre el eje: ∆111 ∆± 0,5° para 3C-N
微管密度 ※ Densidad de los microtubos			0 cm-2
电 阻 率 ※ Resistencia	el tipo p 4H/6H-P		≤ 0,1 Ω ̊cm		≤ 0,3 Ω ̊cm
	Tipo n 3C-N		≤ 0,8 mΩ cm		≤ 1 m Ω ̊cm
La dirección principal está en el lado.primario Orientación plana		4H/6H-P	- {1010} ± 5,0°
		3C-N	- {110} ± 5,0°
主定位边长度 Primario longitud plana			32.5 mm ± 2,0 mm
Duración de la línea secundaria			18.0 mm ± 2,0 mm
Dirección secundaria de orientación plana			Silicón hacia arriba: 90° CW. desde el plano Prime ± 5,0°
边缘去除 Exclusión del borde			3 mm		6 mm
局部厚度变化/总厚度变化/?? 曲度/?? 曲度 LTV/TTV/Bow/Warp			Se aplicarán las siguientes medidas:		Se aplicarán las siguientes medidas:
表面粗度 ※ La rugosidad			Polish Ra≤1 nm
			CMP Ra≤0,2 nm		Ra ≤ 0,5 nm
边缘裂纹 (强光灯观测) Las grietas del borde por la luz de alta intensidad			No hay		Duración acumulada ≤ 10 mm, longitud única ≤ 2 mm
六方空洞 ((强光灯测)) ※ Placas hexagonales por luz de alta intensidad			Área acumulada ≤ 0,05%		Área acumulada ≤ 0,1%
¿Qué tipo de luz es la luz de alta intensidad?			No hay		Área acumulada ≤ 3%
Incluciones de carbono visuales			Área acumulada ≤ 0,05%		Área acumulada ≤ 3%
# La superficie del silicio se rasca por la luz de alta intensidad			No hay		Duración acumulada ≤ 1 × diámetro de la oblea
崩边 ((强光灯观测) Chips de borde de alta intensidad por la luz			Ninguno ≥ 0,2 mm de ancho y profundidad		5 permitidos, ≤ 1 mm cada uno
La contaminación de la superficie del silicio por alta intensidad			No hay
包装 Embalaje			Contenedor de una sola o varias obleas

Las propiedades de la oblea de carburo de silicio 4H tipo P

La oblea de carburo de silicio (SiC) tipo 4H P tiene las siguientes propiedades clave:

Estructura de cristal:

El 4H-SiC tiene una estructura cristalina hexagonal con cuatro capas en su secuencia de apilamiento.

Conductividad de tipo P:

La oblea está dopada con impurezas aceptoras (como aluminio o boro), lo que le da conductividad de tipo P. Esto permite que la oblea conduzca portadores de carga positiva (agujeros),con un contenido de aluminio superior o igual a 10%, pero no superior a 50%.

Amplio espacio de banda:

El 4H-SiC tiene una banda ancha de aproximadamente 3,26 eV, lo que le permite operar a voltajes, temperaturas y frecuencias más altos en comparación con el silicio.Esta propiedad lo hace ideal para la electrónica de potencia y aplicaciones de alta temperatura.

Alta movilidad de los electrones:

El 4H-SiC tiene una mayor movilidad de electrones (~ 900 cm2/Vs) en comparación con otros politipos de SiC, lo que lleva a un mejor rendimiento en dispositivos electrónicos de alta frecuencia y alta potencia.

Conductividad térmica:

Con una excelente conductividad térmica, el 4H-SiC disipa el calor de manera eficiente, por lo que es adecuado para dispositivos que funcionan en entornos de alta potencia o alta temperatura,como inversores de potencia y dispositivos de RF.

Campo eléctrico de alta ruptura:

El 4H-SiC puede soportar campos eléctricos más altos (~ 2,2 MV / cm), lo que permite que los dispositivos hechos de él funcionen a voltajes más altos sin el riesgo de avería.

Resistencia a la radiación:

Este material es muy resistente a la radiación, por lo que es muy adecuado para su uso en aplicaciones aeroespaciales, satelitales y nucleares.

Estas propiedades hacen que la oblea SiC de tipo 4H P sea ideal para aplicaciones de alto rendimiento, alta eficiencia y alta durabilidad en campos como electrónica de potencia, aeroespacial y energía renovable.

Aplicaciones de las obleas de carburo de silicio 4H tipo P

La oblea de carburo de silicio (SiC) de tipo 4H P se utiliza ampliamente en varias aplicaciones avanzadas debido a sus propiedades materiales únicas.

Electrónica de potencia:

El amplio intervalo de banda y el alto voltaje de ruptura del 4H-SiC lo hacen ideal para su uso en dispositivos semiconductores de potencia como MOSFET, diodos de Schottky y tiristores.Estos dispositivos son esenciales en alta tensión, sistemas de energía de alta eficiencia como inversores, convertidores y motores para vehículos eléctricos (VE), sistemas de energía renovable y equipos industriales.

Electrónica de alta temperatura:

La capacidad del 4H-SiC para operar a altas temperaturas lo hace adecuado para la electrónica de potencia en entornos extremos, como la industria aeroespacial, automotriz y de petróleo y gas.circuitos de control, y módulos de potencia que necesitan funcionar en condiciones térmicas adversas.

Dispositivos de alta frecuencia:

Debido a su alta movilidad electrónica y conductividad térmica, el 4H-SiC es un material preferido para dispositivos de alta frecuencia, como amplificadores de RF, transistores de microondas y sistemas de radar.Permite velocidades de conmutación más altas y pérdidas de energía reducidas, crucial para comunicaciones y aplicaciones de defensa.

Vehículos eléctricos (VE):

En los vehículos eléctricos, las obleas de 4H-SiC se utilizan en sistemas de gestión de energía como cargadores a bordo, inversores de potencia y controladores de motor.tiempos de carga más rápidos, y mejora el rendimiento del vehículo mediante la reducción de las pérdidas de energía y la disipación de calor.

Sistemas de energía renovable:

La alta eficiencia y durabilidad de los dispositivos de energía 4H-SiC los hacen parte integral de los sistemas de energía renovable como los inversores solares y los controladores de turbinas eólicas.Ayudan a mejorar el rendimiento del sistema al minimizar las pérdidas de energía y permitir el funcionamiento en condiciones de alto estrés.

Aeroespacial y Defensa:

La resistencia a la radiación y las capacidades de alta temperatura del 4H-SiC lo hacen adecuado para aplicaciones aeroespaciales como sistemas de satélites, equipos de exploración espacial y electrónica de grado militar.Asegura fiabilidad y rendimiento en ambientes hostiles con una alta exposición a la radiación.

Redes eléctricas de alta tensión:

Las obleas de 4H-SiC se utilizan en redes de transmisión y distribución de energía.permitir la integración de las fuentes de energía renovables, y mejorar la estabilidad de las redes eléctricas.

Estas aplicaciones demuestran la amplia gama de industrias en las que las obleas de SiC de tipo 4H P son críticas, especialmente en sectores que exigen una alta eficiencia, alta potencia,y durabilidad en condiciones extremas.

Pregunta y respuesta

- ¿ Qué?¿Qué es un sustrato de obleas de carburo de silicio?

A: ¿Qué quieres decir?Un sustrato de obleas de carburo de silicio (SiC) es una rebanada delgada de material SiC cristalino utilizado como base para la fabricación de dispositivos semiconductores.Los sustratos de SiC son conocidos por su superior electricidadLas propiedades térmicas y mecánicas, en comparación con los sustratos de silicio tradicionales, ofrecen una amplia banda ancha, una alta conductividad térmica y un alto voltaje de ruptura, lo que las hace ideales parade alta temperatura, y aplicaciones de alta frecuencia.

Los sustratos de SiC se utilizan principalmente en electrónica de potencia, incluidos los MOSFET, los diodos Schottky y los dispositivos de RF, donde el rendimiento en condiciones extremas es crítico.También sirven como base para el crecimiento de capas epitaxiales, donde se depositan materiales semiconductores adicionales para crear estructuras electrónicas avanzadas.

Debido a su robustez, los sustratos de SiC son esenciales en industrias como vehículos eléctricos, sistemas de energía renovable, aeroespacial y telecomunicaciones, ayudando a mejorar la eficiencia, la durabilidad,y el rendimiento general en aplicaciones exigentes.