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Wafer de semillas de SiC 6 pulgadas 8 pulgadas 4H-N Tipo de producción de grado de calificación para el crecimiento de wafer de SiC

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Se trata de una muestra de la composición de las partículas de los componentes de la base de datos.0

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Wafer de semillas de SiC de 8 pulgadas de espesor 600±50um de tipo 4H grado de producción para el crecimiento de cristales de carburo de silicio

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