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Se trata de una muestra de la composición de las partículas de los componentes de la base de datos.0

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Se trata de una muestra de la composición de las partículas de los componentes de la base de datos.0

Sapphire Wafer 8'' Dia 200mm±0.2mm Thickness 725Um C-Plane SSP,DSP hardness9.0
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Datos del producto:
Lugar de origen: China
Nombre de la marca: zmsh
Certificación: rohs
Número de modelo: 8'' Dia 200mm±0.2mm Espesor 725Um
Pago y Envío Términos:
Cantidad de orden mínima: 5
Precio: 45
Detalles de empaquetado: Caja de transporte con cojín de espuma + Caja de cartón
Tiempo de entrega: 3-5 semanas
Condiciones de pago: En el caso de las empresas de servicios de telecomunicaciones, el importe de la ayuda será el siguie
Capacidad de la fuente: 3000 por mes
Descripción detallada del producto
El material: > 99,99% Cristal de zafiro Diámetro: Las demás partidas de las placas:
Grosor: 725 ± 25um Orientación: El plano C <0001>
TTV: ≤ 15um abrigo: ≤ 30 mm
- ¿ Por qué?: -30 ~ 10um
Resaltar:

Oferta de zafiro 8'

,

725Um espesor Wafer de zafiro

 

Wafer de zafiro de 8" 200 mm de diámetro (±0,2 mm), 725µm de grosor, C-Plane SSP, DSP

 

 

Esta oblea de zafiro de 8 pulgadas (200 mm) de alta pureza presenta una precisión dimensional excepcional (±0,2 mm de diámetro, 725µm de grosor) y orientación cristalográfica (plano C), lo que la hace ideal para aplicaciones optoelectrónicas y de semiconductores exigentes. Con una pureza del 99,99% y una estabilidad mecánica/térmica superior, la oblea sirve como un sustrato óptimo para la fabricación de LED, diodos láser y dispositivos de RF. Su acabado superficial uniforme y su inercia química garantizan la fiabilidad en entornos hostiles, mientras que su gran diámetro permite una producción masiva rentable.

 


 

Características clave de las obleas de zafiro

 

Geometría de precisión de la oblea de zafiro:

  • Diámetro: 200 mm ±0,2 mm, lo que garantiza la compatibilidad con las herramientas estándar de semiconductores.
  • Grosor: 725µm ±25µm, optimizado para la resistencia mecánica y la estabilidad del proceso.

 

 

de la oblea de zafiro Pureza ultra alta:

  • >99,99% (4N) de pureza, minimizando las impurezas que afectan al rendimiento óptico/eléctrico.

 

 

de la oblea de zafiro Propiedades robustas del material:

  • Dureza: 9 Mohs, resistente a los arañazos para una mayor durabilidad de manipulación.
  • Estabilidad térmica: Punto de fusión ~2.050°C, adecuado para procesos a alta temperatura.
  • Transparencia óptica: 85% + en espectros visibles a casi infrarrojos (350 nm–4.500 nm).

 

 

de la oblea de zafiro Calidad de la superficie:

  • Pulido listo para epitaxia: Ra <0,3 nm para la deposición de película fina sin defectos.
  • Pulido de doble cara opcional bajo petición.

 

 

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Aplicaciones de imágenes de obleas de zafiro

 

Oblea de zafiro en optoelectrónica:

Sustrato para LED azules/verdes/blancos (epitaxia InGaN/GaN).

Diodos láser (emisión de borde/VCSEL) en pantallas y comunicaciones.

 

Oblea de zafiro en Electrónica de potencia:

Dispositivos de RF (antenas 5G/6G, amplificadores de potencia) debido a la baja pérdida dieléctrica.

Transistores de alta movilidad de electrones (HEMT) para vehículos eléctricos.

 

Oblea de zafiro en Industria y defensa:

Ventanas de infrarrojos, cúpulas de misiles (transparencia del zafiro al infrarrojo medio).

Cubiertas protectoras para sensores en entornos corrosivos/abrasivos.

 

Oblea de zafiro en Tecnologías emergentes:

Computación cuántica (sustratos de cristal SPD).

Pantallas de dispositivos portátiles (cubiertas resistentes a los arañazos).

 

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Especificaciones

 

Parámetro

Valor

Diámetro 200 mm ±0,2 mm
Grosor 725µm ±25µm
Orientación Plano C (0001) ±0,2°
Pureza >99,99% (4N)
Rugosidad superficial (Ra) <0,3 nm (listo para epitaxia)
TTV ≤15um
WARP ≤30um
BOW -30~10um

 

 


 

Equipos de fábrica

 

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