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Oblea de zafiro SSP de plano C de 4 pulgadas para epitaxia de GaN / III-nitruro

Nombre De La Marca:	ZMSH
MOQ:	10 piezas
Precio:	Pricing is subject to market fluctuations
Tiempo De Entrega:	2-4 semanas
Condiciones De Pago:	T/T

Información detallada

Descripción de producto

Información detallada

Lugar de origen:

Porcelana

Lugar de origen:

Porcelana

Diámetro:

100 mm/4 pulgadas

Espesor:

650±15 micras

Orientación:

Plano C(0001) ± 0,3°

Arco:

<15>

Rugosidad de la superficie frontal:

<0,2 nanómetro

Resistencia al calor:

>1500°C

Detalles de empaquetado:

Personalizable

Capacidad de la fuente:

1000 unidades/mes

Resaltar:

Oblea de zafiro SSP de plano C de 4 pulgadas

Oblea de zafiro SSP para epitaxia de GaN

Oblea de zafiro para epitaxia de III-nitruros

Descripción de producto

Descripción del producto

Oblea de zafiro SSP de plano C de 4 pulgadas para epitaxia de GaN / III-nitruro

Visión general

Producimos Pureza 5N (99.999%)Al monocristalino₂O₃ para aplicaciones avanzadas de semiconductores, optoelectrónica y óptica.

Estos sustratos están pulidos por una sola cara para una excelente suavidad superficial (Ra ≤ 0.2 nm). Estos sustratos ofrecen una estabilidad térmica excepcional (>1500 °C), alta transmitancia óptica (~86–89% a 550 nm) y una estricta uniformidad de espesor (TTV ≤20 µm). Son ideales para el crecimiento epitaxial de LED, dispositivos semiconductores de GaN y III-nitruro, y aplicaciones de alta temperatura u ópticas.

Oblea de zafiro SSP de plano C de 4 pulgadas para epitaxia de GaN / III-nitruro 1

Características clave

Alta pureza [Pureza 5N (99.999%)] zafiro monocristalino (Al₂O₃)
Orientación de plano C (0001) con tolerancia estricta de ±0.3°
Superficie pulida por una sola cara (SSP), Ra frontal < 0.2 nm
Excelente planitud y baja comba (<15 µm)
Alta estabilidad térmica y química para entornos hostiles
Eje, diámetro y espesor personalizables disponibles

Especificaciones

Parámetro	Especificación
Diámetro	100 mm ± 0.3 mm (4 pulgadas)
Orientación	Plano C (0001), ±0.3°
Espesor	650 µm ± 15 µm
Comba	<15 µm
Superficie frontal	Pulido por una sola cara (Ra < 0.2 nm)
Rugosidad del lado posterior	1.0 ± 0.2µm
TTV (Variación total de espesor)	≤ 20 µm
LTV (Variación local de espesor)	≤ 20 µm
Deformación	≤ 20 µm
Material	Al₂O₃ de alta pureza >99.999%

Propiedades mecánicas y térmicas

Dureza Mohs: 9 (solo superada por el diamante)
Conductividad térmica: 25 W/m·K
Punto de fusión: 2045°C
Baja expansión térmica asegura estabilidad dimensional

Aplicaciones

Sustrato para crecimiento epitaxial de GaN, AlN y III-V o II-VI
Producción de LED azules, verdes, blancos y UV
Sustratos de diodos láser (LD)
Componentes y ventanas ópticas infrarrojas (IR)
Ópticas y microelectrónica de alta precisión
Cristales de reloj/cubiertas de smartphone

¿Por qué elegir zafiro de plano C?

El sustrato de zafiro es ideal para aplicaciones ópticas y electrónicas de alto rendimiento. El zafiro ofrece una dureza excepcional (Mohs 9), alta estabilidad térmica hasta ~1500 °C y excelente resistencia química, una opción perfecta para entornos exigentes como durante los procedimientos de crecimiento cristalino MOCVD y MBE. Su estructura de plano C también es razonablemente compatible con la estructura cristalina de los III-nitruros, facilitando la alineación epitaxial y el crecimiento cristalino uniforme.

Embalaje y envío

25 obleas en una caja de cassette por bolsa de vacío o método personalizado bajo pedido

Preguntas frecuentes

P:¿Cuál es el rango de transmitancia óptica?
R: Transparente desde ~200 nm (UV) hasta ~5000 nm (medio IR).

P:¿La oblea es conductora?
R: No, el zafiro es un aislante, ideal para prevenir corrientes de fuga en la electrónica.

P:¿Se puede personalizar la oblea?

R: Sí, aceptamos diámetros, espesores y orientación de eje personalizados según las especificaciones del cliente.

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