Wafer de zafiro de 8' de diámetro 200 mm ± 0,2 mm espesor 725 Um C-plano 99,99% puro

Wafer de zafiro de 8 pulgadas de 200 mm de diámetro (± 0,2 mm), 725 μm de grosor, plano C, 99,99% puro

Esta oblea de zafiro de alta pureza de 8 pulgadas (200 mm) presenta una precisión dimensional excepcional (diámetro ± 0,2 mm, grosor de 725 μm) y orientación cristalográfica (plano C),lo que lo hace ideal para aplicaciones optoelectrónicas y semiconductoras exigentesCon una pureza del 99,99% y una estabilidad mecánica / térmica superior, la oblea sirve como un sustrato óptimo para la fabricación de dispositivos LED, diodo láser y RF.Su acabado uniforme de la superficie y su inertitud química aseguran su fiabilidad en ambientes hostiles, mientras que su gran diámetro permite una producción en masa rentable.

Características clave de las obleas de zafiro

Geometría de precisión:

• Diámetro: 200 mm ± 0,2 mm, garantizando la compatibilidad con las herramientas de semiconductores estándar.
• El espesor: 725 μm ± 25 μm, optimizado para la resistencia mecánica y la estabilidad del proceso.

Excelencia cristalográfica:

• Orientación en plano C (0001), preferida para el crecimiento epitaxial de GaN en dispositivos LED/HEMT.
• Baja densidad de dislocación (< 1.000 cm-2) para la integración de dispositivos de alto rendimiento.

Purificación muy alta:

• > 99,99% (4N), minimizando las impurezas que afectan el rendimiento óptico/eléctrico.

Propiedades sólidas del material:

• Dureza: 9 Mohs, resistente a los arañazos para una mayor durabilidad.
• Estabilidad térmica: punto de fusión ~ 2.050°C, adecuado para procesos a altas temperaturas.
• Transparencia óptica: 85%+ en los espectros visibles hasta los cercanos al infrarrojo (350 nm ∼4,500 nm).

Calidad de la superficie:

• Polvo listo para la epitaxia: Ra < 0,3 nm para deposición de película delgada libre de defectos.
• Posibilidad de pulido de doble cara a petición.

Aplicaciones de las obleas de zafiro

Optomecánica:

Substrato para los LED azules/verdes/blancos (epitaxia de InGaN/GaN).

Diodos láser (emitientes de borde/VCSEL) en pantallas y comunicaciones.

Electrónica de potencia:

Dispositivos de RF (antenas 5G/6G, amplificadores de potencia) debido a la baja pérdida dieléctrica.

Transistores de alta movilidad electrónica para vehículos eléctricos.

Industria y Defensa:

Ventanas infrarrojas, cúpulas de misiles (transparencia de zafiro a mediados de infrarrojos).

Las cubiertas de protección para sensores en entornos corrosivos/abrasivos.

Tecnologías emergentes:

Computación cuántica (substratos de cristal SPD).

Las pantallas de los dispositivos portátiles (cobertas resistentes a los arañazos).

Especificaciones

Pregunta y respuesta

P1: ¿Por qué elegir zafiro de plano C para la epitaxis de GaN?
A1: ¿Qué es esto?La simetría hexagonal del plano C coincide con la estructura cristalina de GaN, reduciendo el desajuste de la red y permitiendo un crecimiento epitaxial de alta calidad para LED y dispositivos de energía.

P2: ¿Cómo afecta el espesor (725 μm) al rendimiento de la oblea?
A2: ¿Qué es esto?725μm equilibra la estabilidad mecánica (reducción de la rotura durante el manejo) con la conductividad térmica, crítica para la disipación de calor uniforme en los procesos MOCVD.

P3: ¿Se puede utilizar esta oblea para aplicaciones láser de alta potencia?
A3: ¿Qué es eso?Su alta conductividad térmica y transparencia en longitudes de onda UV-NIR lo hacen adecuado para sustratos de diodos láser y ventanas ópticas.

P4: ¿Cuál es el problema?¿Están disponibles orientaciones personalizadas (por ejemplo, plano R)?

A5: No se puedeSí, las obleas A-plane, R-plane y M-plane se pueden personalizar para aplicaciones especializadas como dispositivos SAW.