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SiC Carburo de silicio bandejas cerámicas de placa portador de obleas Proceso de grabado ICP para el procesamiento de crecimiento epitaxial
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4'' 5'' SiO2 Chips de IC de cristal único Método CZ 500um 1mm Capa de oxidación 500nm 2μM
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Wafer de carburo de silicio tipo 4H-N de 2 a 12 pulgadas.
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