Horno automático de recocido rápido de semiconductores de doble cavidad compatible con equipos de tratamiento térmico de obleas de 6 pulgadas 8 pulgadas 12 pulgadas 200-1300 °C

Horno de recocido rápido de semiconductores automático de doble cavidad compatible con equipos de tratamiento térmico de obleas de 6 pulgadas 8 pulgadas 12 pulgadas 200-1300 ° C

El horno automático de recocido rápido de doble cámara es un equipo de tratamiento térmico de alta precisión diseñado para materiales semiconductores,que utiliza una estructura de doble cámara para lograr un proceso de calentamiento y enfriamiento rápido eficiente y uniformeEn la industria de materiales semiconductores, el dispositivo se utiliza principalmente para procesos de tratamiento térmico de obleas, semiconductores compuestos (como GaN, SiC) y materiales de película delgada,optimización de las propiedades eléctricas y estructurales de los materiales mediante un control preciso de la temperatura y el tiempo, mejorando el rendimiento y el rendimiento del dispositivo.

Especificación del equipo

1.Rango de temperatura:temperatura ambiente a 1300°C (se pueden personalizar las temperaturas más altas).

2.Tasa de calentamiento:hasta 100°C/s.

3.Número de cámaras:Diseño de doble cámara, soporte de procesamiento paralelo, mejora la eficiencia de producción.

4.Control de la atmósfera:Apoyar el nitrógeno, el argón, el hidrógeno y otras atmósferas para satisfacer los diferentes requisitos del proceso.

5.Uniformidad:Uniformidad del campo de temperatura ≤ ± 1°C para garantizar la uniformidad del tratamiento del material.

6.Grado de automatización:Sistema de control automático, ajuste preestablecido de parámetros de proceso de apoyo y monitorización remota.

Aplicación principal del proceso

· Semiconductores basados en silicio:Se utiliza para el recocido térmico rápido (RTA) de obleas de silicio para activar iones dopados y reparar defectos de la red.

· Semiconductores compuestos:Es adecuado para el tratamiento térmico de GaN, SiC y otros materiales semiconductores de banda ancha para mejorar la calidad del cristal y las características de la interfaz.

· Material de película:Se utiliza para el recocido de película metálica y película de óxido (como medio de alta k) para optimizar la conductividad y la estabilidad de la película.

· Implantación iónica/recubrimiento por contacto

· Anulación a alta temperatura

· Difusión a alta temperatura

· Las aleaciones metálicas

· Tratamiento térmico por oxidación

Campo de aplicación principal
 

- Fabricación de obleas:para la activación por dopaje, el recocido por óxido y el recocido por metalización y otros procesos clave.